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[实用新型]半导体晶圆解理装置-CN202223423577.2有效
发明人：凡皓雪;李明欣;李宁 -专利权人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请涉及晶圆解理的技术领域，尤其是涉及一种半导体晶圆解理装置，包括放置台、第一调节组件、第二调节组件、解理支撑杆和解理组件，所述放置台上开有用于容纳晶圆的容纳槽，所述解理支撑杆设置在所述第一调节组件或所述第二调节组件上，所述解理支撑杆上设有刻度线，所述解理组件连接在所述解理支撑杆上，所述第一调节组件驱动所述解理支撑杆运动的方向与所述第二调节组件驱动所述解理支撑杆运动的方向互相垂直。本申请通过解理支撑杆、解理组件、第一调节组件和第二调节组件的配合，实现对晶圆的解理，在解理过程中，实现了数据化确定晶圆的解理位置，提高了解理的准确度。
半导体解理装置

[发明专利]解理装置、解理设备和解理方法-CN202110591877.2有效
发明人：李渊;毛寒青 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及解理装置、解理设备和解理方法。解理装置包括：壳体，形成有能构建超高真空环境的腔体，所述腔体内设有传样通道，所述壳体适于浸没在冷却流体中；解理组件，设置在所述腔体内并能在所述传样通道的下方运动以靠近或远离所述传样通道；其中，所述腔体还适于容纳测试装置本发明能实现从解理到测试的全程低温环境。
解理装置设备方法

[发明专利]一种半导体芯片的无损解理方法-CN202111467885.2有效
发明人：黄寓洋;范亚明 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片的无损解理方法，包括：提供一半导体芯片，定义第一解理线及第二解理线；根据第一解理线及第二解理线加工第一解理槽和第二解理槽；涂布纯光刻胶树脂形成第一上加强层和第一下加强层；再次切割，形成第三解理槽和第四解理槽；向第三解理槽和第四解理槽内涂布掺杂有增强纤维的光刻胶树脂，形成第二上加强层和第二下加强层；完成解理。本发明方法采用纯光刻胶树脂和掺杂有增强纤维的光刻胶树脂进行逐级填充形成两层加强层，能够有效的平衡半导体芯片在切割过程中受到的应力，从而显著降低芯片破裂的几率，不仅可以简化芯片解理工序，且能产生很好的经济效益
一种半导体芯片无损解理方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410589907.6在审
发明人：绵谷力;根岸将人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明得到一种半导体装置的制造方法，其不依赖于解理刀的位置控制的精度，能够相对于解理目标位置实现高位置精度的解理。在半导体衬底(2)的第1主面形成多个电极(5)。在半导体衬底(2)的第1主面形成解理引导图案(8)，该解理引导图案(8)覆盖位于多个电极(5)之间的解理目标位置(6)。解理引导图案(8)在解理目标位置(6)处具有凹部(9)，由与半导体衬底(2)不同的材质构成。在半导体衬底(2)的与第1主面相反侧的第2主面，在与解理目标位置(6)相对的位置处形成划线槽(7)。使解理刀(4)按压抵接于形成有划线槽(7)和解理引导图案(8)的半导体衬底(2)的第1主面，将半导体衬底(2)解理。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种氧化镓单晶片的制备方法-CN202111308106.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州燎塬半导体有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓单晶片的制备方法，包括：提供氧化镓单晶块；对氧化镓单晶块进行解理，以得到块状的解理结构，解理结构包括解理面和与解理面相对的初始减薄面；以解理面为基准对初始减薄面进行减薄，使初始减薄面形成减薄面，减薄面与解理面平行；形成减薄面之后，以解理面为基准对解理结构进行切割，以得到具有切割面的氧化镓单晶片，切割面平行于解理面。上述制备方法利用氧化镓单晶体易沿着(100)晶面解理的特点，在不需要通过X射线定向的前提下，获得了具有较小偏角的(100)氧化镓单晶片，且上述制备方法可重复性高，有利于进行工业化生产。
一种氧化晶片制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201210514862.7有效
发明人：大野克巳;根岸将人;铃木正人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明得到一种能够减少解理从期望的解理线的偏离的半导体装置的制造方法。在半导体衬底（1）的表面，在期望的解理线（5）上形成起点裂纹（6），沿着期望的解理线（5）断续地形成多个预备裂纹（7a、7b）。沿着期望的解理线（5）从起点裂纹（6）起通过多个预备裂纹（7a、7b）对半导体衬底（1）进行解理。各个预备裂纹（7a、7b）具有随着在解理的进行方向上行进而从期望的解理线（5）的外侧向期望的解理线（5）汇合的裂纹。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件解理装置及解理方法-CN202110268130.3有效
发明人：刘中华;杨国文;李颖;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件在大气环境解理的时候，通过喷雾装置向解理区域喷洒保护液，使保护液一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合
半导体器件解理装置方法

[实用新型]一种具有解理标记的基板-CN202022095950.0有效
发明人：杨国文;刘中华;李颖;赵卫东;张艳春;张继宇;魏文超 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种具有解理标记的基板，属于芯片解理技术领域，所述基板上具有适于使基板沿第一方向被解理的第一待解理区，所述第一待解理区沿所述第一方向延伸；光刻标示，包括至少一组标记，每组标记包括分设于所述第一待解理区两侧的图形，每侧的所述图形具有至少两个点，所述两个点的连线的延长线与所述第一方向形成的夹角为锐角或钝角；本实用新型的具有解理标记的基板，解理设备通过识别第一待解理区的两侧的两个点位置，从而确定第一待解理区的位置，实现第一方向的切割，同时，保证解理的过程中，芯片不会出现崩塌或者裂痕的现象。
一种具有解理标记

[实用新型]一种单模稳定的DFB激光器-CN202123412574.4有效
发明人：唐涌波 -专利权人：深圳市斑岩光子技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型适用于激光器领域，提供了一种单模稳定的DFB激光器，所述DFB激光器包括左DFB及右DFB，及设置在所述左DFB及所述右DFB之间且连接所述左DFB及所述右DFB的共用高反侧解理区，所述共用高反侧解理区包括由下到上依次设置的解理区下电极、解理区下包层、解理区量子阱有源层、解理区上包层、解理区上电极及设置在所述解理区上包层内的均匀光栅结构。旨在解决现有技术中DFB激光器的高反面是通过在解理面镀高反膜来实现，受工艺容差影响，解理面的位置无法精确控制，这导致DFB高反面的相位随机不定，进而影响了DFB激光器的单模产出的技术问题。
一种单模稳定 dfb 激光器

[发明专利]一种半导体激光器巴条的解理方法及激光器巴条-CN202210161949.4在审
发明人：艾佳瑞;丁新琪;郑兆祯 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体激光器巴条的解理方法及激光器巴条，包括：在晶圆上设置若干第一解理线；基于上述第一解理线分离出边缘激光巴条；计算上述边缘激光巴条的第一解理线与实际解理线之间的偏差数据；基于上述偏差数据将上述若干第一解理线均调整为第二解理线；基于上述若干第二解理线分离出中心激光巴条。
一种半导体激光器解理方法激光器

[发明专利]半导体器件解理装置及解理方法-CN202110266944.3有效
发明人：刘中华;杨国文;李颖;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括用于盛放保护液的容腔、在所述容腔内设置有浸入保护液内的用于半导体器件解理的解理台和位于所述解理台的一侧并能够接收从解理台上滑落的巴条的夹具本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件需要解理的时候，将半导体器件浸入到保护液中，在保护液中进行解理，从而使解理的新鲜的腔面与空气的水、氧等其他杂质隔离，避免腔面吸附氧气氧化和吸附气体等
半导体器件解理装置方法

[发明专利]一种半导体激光器端面解理方法-CN201410340357.4有效
发明人：廉鹏 -专利权人：闫静
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体激光器端面解理方法，包括将待解理的半导体激光器外延结构置于水玻璃解理环境中，水玻璃解理环境包括水玻璃容器和水玻璃；半导体激光器外延结构具有多组划裂痕，通过划裂痕进行解理操作，形成发光端面；将解理后的半导体激光器外延结构脱离水玻璃解理环境，发光端面附着有水玻璃；对发光端面进行烘烤，形成钝化层；对发光端面进行镀膜，形成出光端面，解理完毕。
一种半导体激光器端面解理方法

[发明专利]基于晶圆解理装置的晶圆体金属检测方法及晶圆解理装置-CN202210930111.7在审
发明人：邓春星;由佰玲;周迎朝;原宇乐;武卫;刘建伟;刘园;孙晨光;王彦君;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明提供一种基于晶圆解理装置的晶圆体金属检测方法及晶圆解理装置，包括：通过所述解理装置对所述晶圆进行解理；用雾化的氢氟酸处理所述晶圆的解理面；收集所述解理面上的金属离子；通过ICP‑MS检测出所述晶圆中金属的含量；一种晶圆解理装置，包括：刻刀、机械钳和第一载台，所述第一载台被设置于放置晶圆；所述机械钳被设置于所述晶圆的侧面，用于夹取所述晶圆；所述刻刀被设置于所述晶圆的上方，用于切割所述晶圆。本发明的有益效果是通过自动化解理过程，实现对晶圆的机械化解理，用硅片解理的机械方法，使得硅片的内部表面暴露出来，再结合ICP‑MS，使得硅片中的金属元素的含量能够进行表征，从而更加容易地分析与控制硅片中金属元素的含量
基于解理装置晶圆体金属检测方法

[发明专利]一种激光器晶圆和激光器芯片的制作方法-CN201810995988.8有效
发明人：李密锋;方娜;陈如山;王艳;程宗鸿;李中坤;余兵;吴倩 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光器晶圆和激光器芯片的制作方法，该激光器晶圆包括多个激光器芯片，激光器晶圆的正面设置有第一金属层，激光器晶圆的背面设置有第二金属层；其中，相邻激光器芯片之间设置有解理区域，解理区域由在生长第一金属层和第二金属层之前以光刻胶制作掩膜层以定义解理区域图案，并在解理前通过腐蚀液清洗掩膜层得到；第一金属层和第二金属层在解理区域断开，以通过解理区域对激光器晶圆进行解理得到激光器芯片。该激光器晶圆的解理区域没有被金属层覆盖，在对激光器晶圆进行解理的过程中，无需对金属层进行解理操作，不会出现金属层无法有效断裂进而导致金属层容易被拉扯而脱落情况，提高产品的良率。
解理激光器晶圆激光器芯片金属层第二金属层第一金属层掩膜层制作背面设置区域图案正面设置腐蚀液光刻胶断开拉扯良率断裂清洗生长覆盖

[发明专利]一种用于芯片解理的裂片装置及芯片解理设备-CN202110546780.X在审
发明人：纪伟;刘严庆;任邵彬;夏志伟 -专利权人：精良（北京）电子科技有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供的一种用于芯片解理的裂片装置及芯片解理设备，属于芯片解理技术领域，用于芯片解理的裂片装置包括：裂片刀；裂片受台；两块所述支撑块的上表面形成适于放置待解理芯片的承载面；两个支撑块之间形成与所述裂片刀的尖端相对设置的切割缝；两块所述支撑块分别设置在支撑台上；所述待解理芯片的切割线靠近所述承载面、且与所述切割缝对应放置；对准镜头，设置在两个支撑台之间；所述对准镜头的发光端朝向所述切割缝设置；本发明的用于芯片解理的裂片装置，向下移动裂片刀，使得裂片刀与待解理芯片的切割线的背面抵接，并给裂片刀提供按压力，使得芯片沿切割线的方向裂片，顺利完成芯片的解理。
一种用于芯片解理裂片装置设备

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