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- [发明专利]成膜装置-CN201210035752.2无效
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金子裕是;林辉幸;小野裕司
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东京毅力科创株式会社
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2012-02-16
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2012-08-22
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C23C14/24
- 从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。本发明是一种成膜装置(1)，具有：收纳被处理基板(被处理基板G)的处理室(11)；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部(13)，该成膜装置(1)，在处理室(11)的内部具有捕捉部(16、16)，其捕捉从成膜材料喷出部(13)喷出的，被被处理基板(被处理基板G)反冲的成膜材料。
- 装置
- [发明专利]成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置-CN201110055790.X无效
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岩田宽
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住友重机械工业株式会社
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2011-03-08
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2011-10-05
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H01L31/04
- 本发明提供一种成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置，其谋求降低膜厚的同时不需要蚀刻工序且谋求低成本化，并且具有凹凸结构的薄膜层成膜于被成膜基板表面。成膜基板(1)为具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板，其凹凸结构通过成膜含氧化铟的薄膜层(3)而形成。另外，成膜基板(1)的制造方法为制造具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板(1)的方法，该制造方法具有薄膜工序，所述薄膜工序为如下工序：在被成膜基板(2)表面成膜含氧化铟的薄膜层(3)，并通过进行该成膜形成凹凸结构。由此，不需要用于形成凹凸结构的蚀刻工序，且谋求低成本化，并通过设成含氧化铟的透明导电膜(3)来降低膜厚。
- 成膜基板制造方法装置
- [发明专利]成膜装置-CN201880002935.X有效
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金子俊则;大野哲宏
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株式会社爱发科
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2018-06-28
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2021-07-23
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C23C14/50
- 本发明的成膜装置为对被处理基板进行成膜的成膜装置，包括：供给装置，配置在能够真空排气的腔室内且用于供给成膜材料；和保持装置，用于在成膜时保持所述被处理基板。所述保持装置具有：防着板，用于覆盖所述保持装置中所述成膜材料所附着的区域；保持部，用于保持所述被处理基板；和位置设定部，在由所述防着板和所述保持部夹持并保持所述被处理基板时设定所述被处理基板的位置。所述位置设定部具有与所述被处理基板的周边端面部抵接的辊。
- 装置
- [发明专利]溅射方法及溅射装置-CN201980006868.3有效
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永田纯一
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株式会社爱发科
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2019-06-14
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2022-10-28
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C23C14/35
- 本发明的溅射方法使用：具有靶的阴极单元，所述靶能够朝向被成膜基板上的待形成膜的形成区域发射溅射粒子；扫描部，用于在作为基板面内方向的扫描方向上使所述阴极单元相对于所述被成膜基板进行相对往复运动；磁铁，用于对所述阴极单元中的所述靶形成溅蚀区域在所述阴极单元通过所述扫描部沿所述扫描方向相对于所述被成膜基板进行相对往复运动的期间，利用所述磁铁扫描部使所述磁铁在所述扫描方向上进行往复运动。对应于所述靶相对于所述被成膜基板的速度，在所述靶相对于所述被成膜基板的去路运动下的所述磁铁的往复运动和在所述靶相对于所述被成膜基板的回路运动下的所述磁铁的往复运动被设定为相互补偿。
- 溅射方法装置
- [发明专利]基板保持机构和成膜装置-CN201911173253.8在审
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藤里敏章;望月隆;鸟屋大辅;铃木公贵;鲁和俊
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东京毅力科创株式会社
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2019-11-26
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2020-06-02
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C23C16/458
- 本发明提供基板保持机构和成膜装置。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内；以及加热器，其加热载物台，利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面，载物台具有：密合区域，其呈环状，位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与被处理基板密合，而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分，能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜
- 保持机构装置
- [发明专利]成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板-CN201110358373.2无效
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岩田宽
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住友重机械工业株式会社
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2011-11-11
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2012-06-06
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C23C14/34
- 本发明的目的在于提供一种可成膜当利用激光划线法来进行图案形成时能够适当地被去除的钼层的成膜装置、成膜基板制造方法及成膜基板。本发明的成膜装置在成膜室(11B)内，从基板输送方向(D)的上游侧遍及下游侧产生惰性气体的压力梯度。该压力梯度以上游侧的惰性气体的压力增大且下游侧的惰性气体的压力减小的方式形成。通过在产生这种压力梯度的成膜室(11B)内实施钼层的成膜，从而能够成膜从基板侧遍及表面侧形成有金属密度梯度的钼层。就该金属密度梯度而言，在钼层的膜厚方向上，以密度随着从表面侧接近基板侧而减小的方式形成密度梯度。若对具有这种密度梯度的钼层应用激光划线法，则能够适当地去除钼层。
- 装置成膜基板制造方法
- [发明专利]成膜装置-CN200980112430.X有效
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清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;若森让治;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行
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株式会社爱发科
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2009-06-05
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2011-03-23
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C23C16/54
- 一种成膜装置包括：成膜室(11)，在真空中将希望的膜成膜在基板(W)上；放入取出室(13)，经由第一开闭部(25)被固定于所述成膜室(11)，并能将内部减压为真空气氛；第二开闭部(36)，设置在所述放入取出室(13)的、与设置有所述第一开闭部(25)的面相反的面上；以及托架(21)，以所述基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板(W)，所述托架或所述基板(W)通过所述第二开闭部(36)被搬入、搬出所述放入取出室(13)，在所述放入取出室(13)中并列配置多个所述托架(21)，在所述放入取出室(13)与所述成膜室(11)之间所述多个托架(21)被并列地搬入或搬出，在所述成膜室(11)中对保持在所述多个托架(21)上的多个所述基板(W)同时进行成膜。
- 装置
- [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN01140673.9无效
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江间达彦;伊藤信一
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株式会社东芝
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2001-09-20
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2002-05-01
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H01L21/027
- 本发明提供了成膜方法和成膜装置,液状膜形成部分由保护膜滴液喷嘴102和使该保护膜滴液喷嘴102沿y方向移动的喷嘴移动机构以及设置在直径200mm的被处理基板110上的使被处理基板110沿x方向移动的被处理基板移动台构成液状膜干燥部分由吸嘴101和与吸嘴101相连的真空泵103构成。另外,被处理基板移动台也是构成液状膜干燥部分的一部分。利用上述成膜方法及装置,可以抑制涂膜的膜厚不均现象,缩短形成涂膜所需的时间。
- 方法装置
- [发明专利]基板处理方法和记录介质-CN200680035493.6无效
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山崎英亮;中村和仁;河野有美子
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东京毅力科创株式会社
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2006-07-25
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2008-09-24
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C23C16/44
- 本发明提供一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在上述成膜工序之后，向上述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行上述处理容器内的清洁的清洁工序；和在上述清洁工序之后，在上述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在上述清洁工序中，包括控制上述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的上述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在上述涂敷工序中，包括相比上述成膜工序的对上述被处理基板进行成膜的情况，使上述保持台的温度降低并进行上述涂敷成膜的低温成膜工序。
- 处理方法记录介质
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