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[发明专利]清洁方法和基板处理装置-CN202080056685.5在审
发明人：竹泽由裕;铃木大介;林宽之;宫原达也;藤田圭介;及川大海;藤田成树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开的一方式的清洁方法具备如下工序：借助排气管向能进行排气的处理容器的内部供给不含氟的含卤素气体，进行清洁的工序；和，在供给前述含卤素气体进行清洁的工序后，向前述处理容器的内部和前述排气管的内部的至少任一者供给含氟气体，进行清洁的工序。
清洁方法处理装置

[发明专利]成膜装置、成膜方法以及隔热构件-CN201711431130.0有效
发明人：高木聪;小森克彦;冈田充弘;渡边将久;高桥和也;矢野一纪;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。
装置方法以及隔热构件

[发明专利]定影装置-CN201710483104.6有效
发明人： 藤田圭介;杉山隆之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种定影装置。加热器保持件包括限制部分和凹部。限制部分决定电缆在加热器的纵向方向上的位置。电缆的裸导电部分靠着凹部设置，在从与纵向方向交叉的方向上观察时，凹部设置在与限制部分的位置不同的位置处。电线在限制部分和凹部之间的位置接合到裸导电部分。
定影装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010218432.5在审
发明人：兼村瑠威;竹泽由裕;熊谷圭太;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法重复按照以下顺序连续地进行以下步骤的循环：向收容有基板的处理容器内供给非含卤硅原料气体；向所述处理容器内供给含卤硅原料气体；以及去除所述处理容器内的所述含卤硅原料气体。
方法装置

[发明专利]基板处理装置-CN202010200947.2在审
发明人：竹泽由裕;熊谷圭太;藤田圭介;林宽之;铃木大介;兼村瑠威;藤田成树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开提供一种能够在多个基板的表面形成膜厚度的面内均匀性良好的硅膜等的基板处理装置。所述基板处理装置具有：处理容器，其在内部收容多个基板；气体供给部，其向所述处理容器的内部供给为包含Si和H、或Ge和H的化合物的第一原料气体、以及为包含Si和卤元素、或Ge和卤元素的化合物的第二原料气体；以及排气部，其对所述处理容器的内部进行排气，其中，所述气体供给部具有分散喷嘴部，该分散喷嘴部设置有用于释放所述第一原料气体和所述第二原料气体的多个气体孔，所述基板处理装置具有用于对所述分散喷嘴部内的所述第一原料气体和所述第二原料气体进行加热的加热部。
处理装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010201549.2在审
发明人：林宽之;藤田成树;熊谷圭太;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温步骤，在所述降温步骤之后进行，在所述恒温步骤中，一边将所述基板的温度维持为第三温度，一边向所述处理容器内供给所述非含卤硅原料气体和所述含卤硅原料气体。
方法装置

[发明专利]定影装置-CN201680010894.X有效
发明人： 藤田圭介;林直树;竹内政晃;藤中幸治 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种定影装置，包括：管状膜；设置在膜内部的加热器；设置在膜内部的保护元件；和设置在膜内部的至少一个导电构件。保护元件包括两个端子和一开关，开关在加热器异常发热时断开以切断供应到加热器的电力。导电构件的第一端部电连接到保护元件的端子之一。导电构件不覆有绝缘体，导电构件的第二端部从膜伸出，以便削减定影装置的成本。
定影装置

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201910221470.3在审
发明人：及川大海;板桥贤;高木聪;渡边将久;藤田圭介;宫原达也;林宽之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在基板上形成具有良好的面内均匀性的硅膜的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，收容有搭载基板的舟皿；以及喷射器，在处理容器的附近沿着处理容器的内壁在上下方向延伸配置并且在长边方向上具有多个气孔，气孔在处理容器的附近的内壁取向。
处理容器基板处理装置基板处理内壁上下方向延伸面内均匀性搭载基板喷射器长边硅膜基板取向舟皿收容配置

[发明专利]硅膜的成膜方法和基板处理装置-CN201910142632.4在审
发明人：冈田充弘;宫原达也;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少。
硅膜成膜蚀刻基板处理装置成膜工序膜厚表面平滑性蚀刻气体基底薄膜期望

[发明专利]片材进给器件以及图像形成装置-CN201710199957.7有效
发明人：加濑翔太;川西稔;石井启贵;藤田圭介;横田明典 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B65H3/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种片材进给器件以及图像形成装置。图像形成装置包括片材进给器件，所述片材进给器件包括：分离垫保持单元、分离垫固定单元以及压力单元，其中安装在所述压力单元上的减振单元(如海绵部件和聚酯部件)不接触所述分离垫保持单元和所述分离垫固定单元。
进给器件以及图像形成装置

[发明专利]成像装置-CN201510264102.9有效
发明人： 藤田圭介;田中正志;冈安孝平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：一种定影设备，被构造成在传送承载有调色剂图像的记录材料的同时在夹持部处加热所述记录材料，所述定影设备包括筒状膜；夹持部形成部件，与所述膜的内表面接触；加压部件，经由所述膜与所述夹持部形成部件一起形成所述夹持部；以及限制部件，被构造成通过与所述膜的端面接触来限制所述膜的移动。所述限制部件包括位于所述夹持部附近的限制面，所述限制面倾斜以使得距包含所述端面的假想面的距离随着所述限制面沿所述膜的周向延伸远离所述夹持部而逐渐减小，且所述距离随着所述限制面沿所述膜的径向延伸而逐渐增大。
成像装置

[发明专利]片材进给器件以及图像形成装置-CN201410004361.3有效
发明人：加濑翔太;川西稔;石井启贵;藤田圭介;横田明典 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： B65H3/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种片材进给器件以及图像形成装置。图像形成装置包括片材进给器件，所述片材进给器件包括分离垫保持单元、分离垫固定单元以及压力单元，其中安装在所述压力单元上的减振单元(如海绵部件和聚酯部件)不接触所述分离垫保持单元和所述分离垫固定单元。
进给器件以及图像形成装置

[发明专利]成像装置-CN201210285348.0有效
发明人： 藤田圭介;田中正志;冈安孝平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：本发明为成像装置。一种定影设备，被构造成在传送承载有调色剂图像的记录材料的同时在夹持部处加热所述记录材料，所述定影设备包括：筒状膜；夹持部形成部件，与所述膜的内表面接触；加压部件，经由所述膜与所述夹持部形成部件一起形成所述夹持部；以及限制部件，被构造成通过与所述膜的端面接触来限制所述膜的移动。所述限制部件包括位于所述夹持部附近的限制面，所述限制面倾斜以使得距包含所述端面的假想面的距离随着所述限制面沿所述膜的周向延伸远离所述夹持部而逐渐减小，且所述距离随着所述限制面沿所述膜的径向延伸而逐渐增大。
成像装置

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