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[发明专利]飞行时间传感器设备和飞行时间传感器布置-CN202010149430.5在审
发明人： H·菲克 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：飞行时间传感器设备包括半导体衬底，其包括转换区域，以转换在光生电荷载流子中的电磁信号，并且半导体衬底包括衬底掺杂区域，衬底掺杂区域具有n掺杂类型，其中衬底掺杂区域从半导体衬底的第一主表面区域延伸到半导体衬底中，其中半导体衬底具有与衬底掺杂区域相邻的p掺杂区域，以及其中衬底掺杂区域至少部分地形成半导体衬底中的转换区域；读出节点，被布置在衬底掺杂区域内的半导体衬底中，并且读出节点具有n掺杂类型，其中读出节点配置为读出光生电荷载流子；以及控制电极，其被布置在半导体衬底的衬底掺杂区域中，并且控制电极被布置在衬底掺杂区域中并具有p掺杂类型。
飞行时间传感器设备布置

[发明专利]用于衬底处理的氧化分布调节-CN202080065173.5在审
发明人：杰拉尔德·约瑟夫·布雷迪;凯文·M·麦克劳克林;普拉提克·桑赫;巴特·J·范施拉芬迪克;施瑞拉姆·瓦桑特·巴帕特 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文提供了用于氧化衬底的环形边缘区域的方法和装置。一种方法可以包括将衬底提供给半导体处理室中的衬底支架，该半导体处理室具有位于衬底支架上方的喷头，并且在衬底由衬底支架支撑时，同时流动(a)氧化气体围绕衬底的外围和(b)不包括氧气的惰性气体流过喷头并流到衬底上，从而在衬底的环形边缘区域上方产生环形气体区域并在所述衬底的内部区域上方产生内部气体区域；该同时流动不在材料沉积到衬底上的期间，并且环形气体区域具有高于内部气体区域的氧化率。
用于衬底处理氧化分布调节

[发明专利]显示设备-CN202180082928.7在审
发明人：金暲镒;闵庚孩;安在宪;李成连;全始貦;洪锡埈 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：显示设备包括：显示衬底，包括设置在第一基础衬底上的发光元件；以及颜色转换衬底，面对显示衬底，其中颜色转换衬底包括其中限定有第一透光区域、第二透光区域、第三透光区域和设置在相邻透光区域之间的光阻挡区域的第二基础衬底、在光阻挡区域中设置在第二基础衬底上的第一堤以及设置在第二基础衬底与显示衬底之间且覆盖第一堤的第一低折射率层。
显示设备

[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法-CN201811084085.0有效
发明人：犹原英司;角间央章;冲田有史;增井达哉 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够掌握衬底的被处理面的中央侧及外周侧的处理结束时间点的衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置具备：衬底旋转部，所述衬底旋转部将衬底保持为水平并使其旋转；喷嘴，所述喷嘴向通过衬底旋转部进行旋转的衬底的被处理面供给处理液；拍摄部，所述拍摄部对包含多个对象区域的拍摄区域进行拍摄，所述对象区域是在向衬底供给了处理液时形成了液膜的区域；和检测部，所述检测部参照拍摄部的拍摄结果，基于多个对象区域的各自的亮度值的变化，来检测多个对象区域的各自的处理结束时间点。另外，拍摄区域至少包含被处理面的中央侧的区域和外周侧的区域作为多个对象区域。因此，能掌握衬底的被处理面的中央侧及外周侧的处理结束时间点。
衬底处理装置方法

[发明专利]显示面板-CN202110549908.8在审
发明人：安在宪;金彰洙;闵庚孩;洪锡埈 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：显示面板包括上显示衬底和下显示衬底，上显示衬底包括第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域以及围绕第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的遮光区域，下显示衬底包括发光元件。上显示衬底包括基础衬底、与遮光区域重叠并且布置在基础衬底上的第一堤、与遮光区域重叠并且布置在基础衬底上的第二堤、在第一堤与第二堤之间布置在基础衬底上的桥接堤以及其至少一部分布置在桥接堤上的有机材料图案。
显示面板

[发明专利]半导体器件的后端处理方法-CN202111437081.8在审
发明人：王绪根;刘希仕;刘秀勇;吴长明;姚振海;陈骆 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的后端处理方法，包括：提供一衬底，该衬底用于形成该半导体器件，衬底上包括多个管芯区域，衬底上依次形成有钝化层和聚酰亚胺层；通过光刻工艺在衬底上覆盖光阻，暴露出目标区域，在任一管芯区域内，目标区域包括第一图形区域和第二图形区域，第一图形区域小于第二图形区域，从俯视角度观察，第一图形区域位于第二图形区域上方；去除目标区域的钝化层和聚酰亚胺层；去除光阻；在衬底的正面进行贴膜处理，对衬底的背面进行减薄处理；对衬底的正面进行撕膜处理。
半导体器件后端处理方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201910884939.1有效
发明人：杨一凡;高志强;张志军 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一键合后的器件结构，所述键合后的器件结构包括位置在上的器件衬底与位置在下的支撑衬底，所述器件衬底包含有效区域以及包围所述有效区域的无效区域，减薄所述器件衬底的有效区域和无效区域，对所述器件衬底有效区域和无效区域进行第一次平坦化；修剪所述器件衬底的无效区域的部分，形成修剪后的无效区域，对所述器件衬底的有效区域和修剪后的无效区域进行第二次平坦化，由于所述器件衬底的厚度经由两次平坦化进行减薄，且修剪工艺位于两次平坦化工艺之间，使得平坦化制程对于所述器件衬底的影响变小，提高了所述器件衬底的厚度均一性，从而提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]存储器结构-CN201811092463.X有效
发明人：夏志良;陈俊;鲍琨;董金文;华文宇;靳磊;江宁;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器结构，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的正面和背面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的正面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的背面，所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的N型掺杂阱；存储层，所述存储层位于所述衬底层的正面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层。
存储器结构

[实用新型]存储器结构-CN201821529790.2有效
发明人：夏志良;陈俊;鲍琨;董金文;华文宇;靳磊;江宁;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种存储器结构，包括：衬底层，所述衬底层具有相对的正面和背面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的正面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的背面，所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层，以及位于所述屏蔽层上方的N型掺杂阱；存储层，所述存储层位于所述衬底层的正面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层
导电区域衬底层存储器结构隔离结构存储层屏蔽层背面本实用新型存储器隔离外围包围贯穿

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610134339.X有效
发明人：刘继全;龚春蕾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供底层衬底，底层衬底包括第一区域和与第一区域接触的第二区域，所述底层衬底为单晶态；图形化底层衬底，在第一区域形成凹槽，使第一区域底层衬底表面低于第二区域底层衬底表面；在第一区域的凹槽中形成绝缘层，绝缘层暴露出第二区域底层衬底部分侧壁；通过外延生长在暴露出的第二区域衬底表面形成顶层衬底；刻蚀部分第一区域顶层衬底，暴露出绝缘层，在第一区域形成第一鳍部。在凹槽中形成绝缘层，绝缘层能够实现第一鳍部与底层衬底之间的电绝缘，减少第一鳍部中载流子向底层衬底扩撒，从而能够减少第一鳍部底部漏电流。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]显示装置-CN202010960125.4在审
发明人：田熙喆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示装置包括：衬底，其包括第一区域、第二区域以及在第一区域与第二区域之间的弯曲区域；保护衬底，其在第一区域、第二区域以及弯曲区域中设置在衬底下方；垫层，其在第一区域和第二区域中设置在保护衬底下方；像素层，其在第二区域中设置在衬底上；以及驱动芯片，其在第一区域中设置在衬底上。衬底能够在弯曲区域处弯曲，使得第一区域与第二区域重叠。
显示装置

[发明专利]有价文件-CN201780069468.8有效
发明人： B.托伊费尔;G.多尔夫;A.巴尔 -专利权人：捷德货币技术有限责任公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B42D25/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种有价文件，其包括具有穿透区域的有价文件衬底，所述有价文件衬底具有正面和背面，其中，有价文件衬底的正面至少在有价文件衬底穿透区域中配设有薄膜防伪元件；在用反射光线观察有价文件衬底的背面时，可以识别出有价文件衬底穿透区域，并且有价文件衬底穿透区域以由第一部分区域和第二部分区域组成的第一图纹的形式构成；薄膜防伪元件具有透明区域，所述透明区域至少在有价文件衬底穿透区域的第一部分区域中形成，并且薄膜防伪元件具有非透明区域，所述非透明区域与有价文件衬底穿透区域的第二部分区域重叠地布置；薄膜防伪元件的形成于有价文件衬底穿透区域的第一部分区域中的透明区域在用反射光线观察有价文件衬底的正面时能够以第二图纹的形式被识别；薄膜防伪元件的与有价文件衬底穿透区域的第二部分区域重叠布置的非透明区域在用反射光线观察有价文件衬底的正面时能够以第三图纹的形式被识别
文件

[实用新型]半导体结构及半导体封装-CN202220878324.5有效
发明人：黄敬婷;白种植 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：根据本申请的部分实施例的半导体结构，其包括衬底，其中衬底的表面包含：衬底单元区域及外围区域，其中外围区域环绕衬底单元区域。衬底单元区域包含第一对准键，第一对准键位于衬底单元区域的角落部分，且外围区域包含第二对准键，第二对准键位于衬底单元区域的角落部分的附近。本申请提供的半导体结构能够有效提高半导体封装制程的效率及良率。
半导体结构封装

[发明专利]显示设备-CN202110196471.4在审
发明人：郑昭美;金柄勳;金廷泫;朴峻亨;李炫智 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：该显示设备包括：第一衬底，包括显示区域和至少部分地围绕显示区域的非显示区域；第二衬底，设置在第一衬底上；像素层，在第一衬底和第二衬底之间设置在显示区域上；密封件，在第一衬底和第二衬底之间设置在非显示区域上；焊盘，连接到像素层并设置在非显示区域上；以及虚设元件，在密封件中的孔中，虚设元件设置在焊盘上。
显示设备

[发明专利]衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法-CN201911206423.8有效
发明人：许晓伟 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种衬底结构、显示装置和衬底结构的制备方法，包括：第一衬底、第一衬底包括：相邻接的第一区域和第二区域；位于第一衬底上的阻挡膜层结构，阻挡膜层结构至少位于第二区域；位于阻挡膜层结构远离第一衬底一侧的第二衬底，第二衬底位于第一区域和第二区域；其中，位于第一区域的膜层数目小于位于第二区域的膜层数目。本发明提供的衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法，能够提高衬底结构的光线透过率，有利于屏下摄像头等需大量光线的器件的制备。
衬底结构显示装置制备方法

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