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[发明专利]一种振膜材料、制备方法及声波传感器-CN202310528757.7在审
发明人：王慧慧;关宝璐;汪威;惠鸢飞 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种振膜材料、制备方法及声波传感器；振膜材料包括硅膜和石墨烯膜；其中，所述石墨烯膜通过范德华力生长在所述硅膜上，形成石墨烯‑硅范德华异质结；所述硅膜的厚度在200纳米‑100微米之间；所述硅膜的表面粗糙度在
一种材料制备方法声波传感器

[发明专利]近红外有机范德华异质结光敏场效应晶体管及其制备方法-CN202110522257.3有效
发明人：孙磊;王耀;彭应全;宋欣雨 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电荷转移复合物的近红外有机范德华异质结光敏场效应晶体管及其制备方法。本发明的光敏场效应晶体管引入二维有机半导体及范德华异质结，并在光敏层中形成电荷转移复合物，以此提高器件载流子迁移率并产生近红外吸收峰，丰富有机红外探测器的材料种类。
红外有机范德华异质结光敏场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器及其制备方法-CN201911125206.6在审
发明人：王建禄;陈艳;王旭东;胡伟达;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器及其制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的范德华异质结、金属源漏电极、铁电薄膜和半透明金属栅电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种具有各向异性的二维半导体，这两种半导体通过范德华力相结合，再运用电子束光刻技术与剥离技术制备金属电极，接着旋涂铁电聚合物薄膜，制备半透明金属电极，最终形成铁电局域场增强的偏振探测器
一种增强范德华异质结偏振探测器及其制备方法

[发明专利]混合维度范德华异质结室温双色红外探测器及制备方法-CN202111128166.8在审
发明人：胡伟达;吴培松;王鹏;李庆;张莉丽;王芳;谢润章;苗金水;王振;贺婷;付晓;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器及制备方法。利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二维范德华材料异质结至Si窗口形成PNP(NPN)异质结构。本发明的特点是将三维薄膜材料与二维范德华材料相结合，实现近红外/中红外室温探测，制作成本低、工艺简单易制备、探测率高、工作温度高。
混合维度范德华异质结室温红外探测器制备方法

[发明专利]一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置-CN202111450173.X在审
发明人：叶镭;黄鑫宇;林润峰;彭追日;童磊;李政;徐浪浪;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
一种调控二维反铁磁异质结交偏置方法装置

[发明专利]一种自下而上的范德华异质结光催化及光电催化材料的组装方法-CN202111431065.8在审
发明人：陈华军;席晓晶;赵莉;李冬;田文杰;王小庆 -专利权人：洛阳理工学院
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种自下而上的范德华异质结光催化及光电催化材料的组装方法，属于光催化和光电催化材料合成领域，步骤如下：将纳米粉末光催化材料加入到三（羟甲基）氨基甲烷水溶液，分散得溶液A；加入多巴胺，在粉末光催化材料表面进行多巴胺聚合反应，得产物B；离心分离、洗涤、烘干、焙烧，得产物C；将产物C加到去离子水中，分散得悬浮液D；将碳纤维织物浸入悬浮液D，产物C与碳纤维织物组装形成宏观范德华异质结光催化和光电催化材料。本发明采用自下而上方式，通过范德华作用将粉末光催化材料组装在碳纤维织物表面，所得产品易分离回收，方法简单易行，过程环保，解决了粉末光催化剂分离和回收的难题，为光催化的工业化应用开辟了新途径。
一种自下而上范德华异质结光催化光电催化材料组装方法

[发明专利]一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法-CN202211646481.4在审
发明人：孙晓娟;吕炳辰;陈洋;张山丽;贲建伟;蒋科;黎大兵 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法，属于半导体技术领域。本发明的方法包括以下步骤：在非晶衬底上转移第一二维材料层并进行处理；在处理后的第一二维材料层上转移第二二维材料层并进行氢化钝化处理；通过范德华外延生长在第一二维材料层和第二二维材料层之间形成二维AlGaN材料预制层；通过同质范德华外延生长，采用两步法生长在第二二维材料层上形成三维AlGaN材料薄膜。
一种衬底质量 algan 材料范德华外延方法

[发明专利]硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法-CN202211121131.6在审
发明人：张胜利;魏鹏飞;郭婷婷;宋秀峰;曾海波 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：Sub>薄片，在此基础上转移WSe2薄片至Ta2NiSe5表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再制备金属源漏电极，形成范德华异质结光电探测器。
硒化镍钽硒化钨异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种二维层状-非层状范德华异质结构及制备方法、应用-CN202210798016.6在审
发明人：何军;尹蕾;程瑞清;姜健 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及无机半导体技术领域，特别涉及一种二维层状‑非层状范德华异质结构及制备方法、应用。本申请提供的二维层状‑非层状范德华异质结构的制备方法包括以下步骤：采用机械剥离法或气相沉积法在基底上制备层状二硫化钼纳米片；采用气相沉积法在云母衬底上制备非层状硒化铅纳米片；在所述云母衬底上悬涂聚甲基丙烯酸甲酯并加热，形成聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜；移去云母衬底，则硒化铅纳米片粘附在聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜上；将硒化铅纳米片放置在二硫化钼纳米片上，利用有机溶剂溶解聚甲基丙烯酸甲酯支撑薄膜，即得到二维层状‑非层状范德华异质结构
一种二维层状范德华异质结构制备方法应用

[发明专利]一种基于电场实现非易失磁存储的自旋电子器-CN202310594754.3在审
发明人：王冰;张云庚;金超 -专利权人：河南大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：一种基于电场实现非易失磁存储的自旋电子器，包括由二维单层In2Se3与二维单层FeCl2构成的双分子层范德华多铁异质结FeCl2/In2Se3异质结中磁结构、磁各向异性和净磁化强度的三重调控，范德华多铁异质结只在自旋向下通道中导电双分子层FeCl2/In2Se3范德华多铁异质结中，FeCl
一种基于电场实现非易失磁存储自旋电子

[发明专利]一种预测离子液体的正辛醇/水分配系数的方法-CN201210181904.X有效
发明人：邓芸;张斌;朱凯;顾军;邹志刚 -专利权人：南京大学;南京大学昆山创新研究院;昆山桑莱特新能源科技有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：，该方法步骤如下：（1）获取待预测离子液体的分子结构式；（2）分别统计出分子结构式中的芳香环数量、非芳香环数量和化学键数量；（3）根据统计得到的芳香环数量、非芳香环数量和化学键数量，以及分子中各原子的范德华体积，计算离子液体的分子范德华体积；（4）将计算得到的分子范德华体积用于预测离子液体的正辛醇/水分配系数。
一种预测离子液体辛醇水分系数方法

[发明专利]一种基于多层石墨烯为牺牲层的聚酰亚胺薄膜剥离方法-CN201911190250.5有效
发明人：屠国力;刘相富;马金明;王荣文 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于多层石墨烯为牺牲层的聚酰亚胺薄膜剥离方法，其通过在基板与聚酰亚胺薄膜之间设置多层石墨烯薄膜，得到基板/多层石墨烯薄膜/聚酰亚胺薄膜叠层，以石墨烯薄膜为牺牲层，借由多层石墨烯薄膜层与层之间弱的范德华力，通过外力破坏石墨烯薄膜层与层之间的范德华力，将聚酰亚胺薄膜从基板上剥离。多层石墨烯层与层之间是有范德华力连接，与石墨一样可以滑动，利用此性质，可以有效地削弱高温后聚酰亚胺薄膜与玻璃基板之间的粘附作用。本发明提供的剥离方法简单，剥离效果稳定，且不影响聚酰亚胺薄膜性质。
一种基于多层石墨牺牲聚酰亚胺薄膜剥离方法

[发明专利]基于多层二维材料的平面光致电子发射源-CN202110373997.5有效
发明人：刘仿;王哲宣;黄翊东;崔开宇;冯雪;张巍 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01J37/073 文献下载
摘要：本发明提供一种基于多层二维材料的平面光致电子发射源，包括泵浦源、阴极电源、栅极电源、电子收集器、范德华异质结，所述范德华异质结包括依次设置的石墨烯材料、绝缘二维材料、过渡金属硫化物材料，其中：所述泵浦源和过渡金属硫化物材料相互作用用于过渡金属硫化物材料中的价电子发生跃迁；所述阴极电源与过渡金属硫化物材料相连接，所述阴极电源用于提供电子；所述栅极电源与石墨烯材料相连接，用于为栅极提供偏压，降低材料势垒；所述电子收集器用于收集所述范德华异质结发射的电子束
基于多层二维材料平面致电发射

[发明专利]非金属BCN/g-C3-CN201911204827.3有效
发明人：李春梅;武慧慧;董红军;张平凡;于思宇;张海波 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种非金属BCN/g‑C3N4范德华异质结光催化剂的制备方法及其应用，本发明中利用便捷高效的煅烧合成法将一步烧制出的Sub>3N4表面，形成结构稳定的BCN/g‑C3N4范德华异质结光催化剂，实现在可见光下稳定高效的光解水制氢；本发明制备的BCN/g‑C3N4范德华异质结光催化剂具有较高的稳定性和可重用性；此外，本发明方法简单、成本低廉，绿色无毒，具有很高的实用价值和应用前景。
非金属 bcn base sub

[实用新型]一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器-CN201921985764.5有效
发明人：王建禄;陈艳;王旭东;胡伟达;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本专利公开了一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器。器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的范德华异质结、金属源漏电极、铁电薄膜和半透明金属栅电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种具有各向异性的二维半导体，这两种半导体通过范德华力相结合，再运用电子束光刻技术与剥离技术制备金属电极，接着旋涂铁电聚合物薄膜，制备半透明金属电极，最终形成铁电局域场增强的偏振探测器
一种增强范德华异质结偏振探测器