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[发明专利]一种高横向效应织构化压电聚合物薄膜及其制备方法-CN201410553618.0在审
发明人：郭栋;王云丽;陈小随;张翠红 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L41/193 文献下载
摘要：本发明公开了一种高横向效应织构化压电聚合物薄膜及其制备方法。本发明基于对溶液法制备的薄膜的非等温结晶过程控制，实现其分子偶极矩的择优取向，从而制备出分子偶极沿薄膜平面择优排列的织构化结构压电聚合物薄膜。该压电聚合物薄膜具有横向压电效应大于未经织构化处理相应同组分薄膜的横向压电效应的特点，可用于制备高横向压电效应的传感器，并在柔性纳米发电系统、新型能量收集系统等领域有良好的应用前景。
一种横向效应织构化压电聚合物薄膜及其制备方法

[发明专利]反式结构压光效应调光玻璃-CN201210324128.4无效
发明人：范志新;解一军;刘洋;张志东 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G02F1/1334 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于应变液晶原理的聚合物分散液晶的反式结构压光效应调光玻璃，它由两片透明浮法平板玻璃夹层聚合物分散液晶的反式结构压光效应薄膜所构成。聚合物分散液晶的预聚物是由可聚合单体加入光引发剂、链转移剂、增韧剂等组成的紫外光固化胶黏剂，紫外光固化胶黏剂与向列相液晶混合成液晶胶，曝光分两次，第一次曝光后发生相分离但未充分固化。聚合物分散液晶的反式结构压光切效应调光玻璃具有透明外观，当施加与制备过程所施加的拉伸张力方向相反的按压应力时，该反式结构压光效应调光玻璃变成散射状态。本发明制备的聚合物分散液晶的反式结构压光效应调光玻璃适合应用于室内装修及调光元件等领域。
反式结构压光效应调光玻璃

[发明专利]一种具有聚集诱导发光效应的聚合物及其制备方法，石墨烯复合材料及其制备方法-CN201710365312.6有效
发明人：徐秀娟;刘蒲;李佩颖;孟庆华;杨伟平;张文娟;霍现宽;姬凌波;何保江;屈展;胡军;宗永立;张建勋 -专利权人：中国烟草总公司郑州烟草研究院;郑州大学
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有聚集诱导发光效应的聚合物及其制备方法，石墨烯复合材料及其制备方法。该聚合物的结构通式如式I所示，其中n为8～20，R₁、R₂各自独立的选自C₁～C₆的烷基、C_{1效应的聚合物，是一种含四苯乙烯官能团、结构新颖的AIE聚合物；在该聚合物存在条件下，通过氧化石墨烯的原位还原，实现对石墨烯的非共价键修饰，制备了可溶于有机溶剂的石墨烯复合材料，该复合材料具有明显的AIE效应，且AIE效应高于聚合物自身，使得其在化学传感器、生物探针、固态荧光材料等方面具有广阔的应用前景。}
一种具有聚集诱导发光效应聚合物及其制备方法石墨复合材料

[发明专利]一种制备复合物场效应晶体管的方法-CN201710192082.8有效
发明人：吴雨辰;刘芸;江雷 -专利权人：北京赛特超润界面科技有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件领域，具体地，涉及一种制备复合物场效应晶体管的方法。本发明包括以下步骤：1)将聚合物分子溶解在有机溶剂中得到聚合物溶液，将石墨烯浸泡于聚合物溶液中，得到混合分散液；2)对混合分散液抽滤清洗，得到表面吸附聚合物的石墨烯复合物；3)将石墨烯复合物再次分散于有机溶剂中，制得复合物分散液；4)将复合物分散液滴加在具有微柱结构的硅片上并盖上一层平板基底，使聚合物‑石墨烯复合物在平板表面微柱位置自组装成规整的一维阵列，制成复合物场效应晶体管。本发明所制备的聚合物‑石墨烯复合结构场效应晶体管的性能较之于单纯聚合物场效应晶体管有了显著的提高，方法简单方便，成本低廉。
场效应晶体管石墨烯复合物复合物分散液混合分散液聚合物溶液制备复合物有机溶剂聚合物石墨烯微柱表面吸附聚合物单纯聚合物聚合物分子微电子器件复合结构平板表面一维阵列规整复合物自组装硅片抽滤滴加基底制备浸泡清洗溶解

[发明专利]一种有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法-CN201610145044.2有效
发明人：仪明东;凌海峰;解令海;包岩;李焕群;马洋杏;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法，属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括：制备具有一定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器；测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据；将所述存储窗口数据进行线性拟合，计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压；根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度；根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差，计算最小隧穿势垒；根据所述最小隧穿势垒和电场强度，计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。
一种有机场效应晶体管存储器最小存储深度计算方法

[发明专利]将聚合物粒子均匀掺入聚合物基体中的方法-CN200980125967.X有效
发明人： R·迪利克-布伦辛格尔;A·格拉泽;S·纳扎瑞 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C08L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及包含含有树脂的聚合物粒子的蜡的制剂，其中聚合物粒子含有至少一种效应物质，其通过借助在蜡不溶混性溶剂的存在下进行的微粒乳状液聚合方法，将至少一种效应物质分布在聚合物粒子中，并将如此获得的聚合物粒子分散体通过相转移掺入蜡中而得到本发明还涉及包含聚合物基体的组合物，所述聚合物基体包含基本上均匀分布于其中的所述聚合物粒子，所述组合物通过将含有所述聚合物粒子的蜡掺入聚合物基体中而获得。
聚合物粒子均匀掺入基体中的方法

[发明专利]一种具有高迁移率的有机场效应晶体管及其制备方法-CN200810118129.7无效
发明人：刘云圻;吴卫平;王鹰;于贵;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。该有机场效应晶体管，包括衬底、位于所述衬底上的栅电极、位于所述栅极电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的由聚合物和偶极分子组成的共混物层、位于所述聚合物和偶极分子共混物层上的有机半导体层以及位于所述有机半导体层上的源电极和漏电极本发明的有机场效应晶体管通过控制聚合物－偶极分子修饰层中偶极分子的偶极矩大小来控制导电沟道的性质，可调控有机场效应晶体管的迁移率；可以任意改变聚合物－偶极分子修饰层和有机半导体层的组成，易于构筑高迁移率场效应晶体管；在高迁移率有机效应晶体管的制备和高性能有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。
一种具有迁移率有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]用于有机场效应晶体管的二酮吡咯并吡咯聚合物-CN201610943823.7有效
发明人： M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·丰塔纳;M·兰兹;M·G·R·特比兹;B·施密德哈尔特;J-C·弗洛里斯 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含式I或III的重复单元的聚合物及其作为有机半导体在有机器件，尤其是有机场效应晶体管(OFET)，或含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。本发明聚合物具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管时，可观察到高效的能量转化、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
有机场效应晶体管发明聚合物二酮吡咯并吡咯聚合物场效应迁移率有机半导体二极管成膜性能能量转化有机器件有机溶剂聚合物电流比可观察

[发明专利]用于有机场效应晶体管的二酮吡咯并吡咯聚合物-CN200980153041.1有效
发明人： M·迪格利;M·扎赫埃特伊施;P·哈约兹;O·F·埃比谢尔;M·丰罗多纳图龙;M·丰塔纳;M·兰兹;M·G·R·特比兹;B·施密德哈尔特;J-C·弗洛里斯 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及包含式I或III的重复单元的聚合物及其作为有机半导体在有机器件，尤其是有机场效应晶体管(OFET)，或含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。本发明聚合物具有在有机溶剂中的优异溶解性和优异成膜性能。此外，当将本发明聚合物用于有机场效应晶体管时，可观察到高效的能量转化、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。
用于有机场效应晶体管吡咯聚合物

[发明专利]一种基于形状记忆效应的湿度报警系统和方法-CN202310176887.9在审
发明人：黄舒;王勇;盛杰;周思凡;刘建军;李果;林懿 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G08B21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于形状记忆效应的湿度报警系统和方法，包括报警装置、控制电路、开关模块、控制模块、壳体和发热模块；在潮湿的环境中，通过发热模块与空气中的水分接触，引起壳体内部的温度上升，使得开关模块的形状记忆聚合物发生形状记忆效应，形状记忆聚合物形变，形状记忆聚合物带动表层覆盖的导电材质与控制模块相接触，控制电路通路，报警装置报警；当发热模块中的化学物质消耗后，向外传播热量停止，壳体内部环境的温度下降，使开关模块的形状记忆聚合物发生形状记忆效应，聚合物产生形变，形状记忆聚合物由预设形状回复到初始状态，形状记忆聚合物带动表层覆盖的导电材质与控制模块断开，控制电路断开，报警装置停止报警。
一种基于形状记忆效应湿度报警系统方法

[发明专利]一种甲基丙烯酰氧基笼形倍半硅氧烷稳定的具有Pickering效应的乳液及其制备-CN201410128992.6有效
发明人：许凯;邢玉秀;彭军;林伟鸿;陈鸣才 -专利权人：中科院广州化学有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C08F212/08 文献下载
摘要：本发明属于乳液聚合制备技术领域，公开了一种甲基丙烯酰氧基笼形倍半硅氧烷稳定的具有Pickering效应的乳液及其制备方法。该方法利用甲基丙烯酰氧基笼形倍半硅氧烷与聚合单体在乳化剂作用下，水体系中乳化反应得到预乳液，再通过种子乳液聚合法，在引发剂作用下聚合反应得到具有Pickering效应的乳液。本发明利用MA‑POSS替代传统乳化剂与St、MMA或BA聚合得到具有Pickering效应的乳液，由于MA‑POSS具有有机‑无机纳米杂化结构，且分子量较大，其具有的良好的热性能、机械性能等引入到聚合物乳液中，可有效改善聚合物的耐热性及拉伸等性能，大大扩展了Pickering乳液的应用范围。
一种甲基丙烯酰氧基笼形倍半硅氧烷稳定具有 pickering 效应乳液及其制备

[发明专利]具有定位效应的三氮唑并吡啶类受体、其聚合物以及它们的应用-CN202210133574.0在审
发明人：刘云圻;陈金佯;匡俊华;郭云龙;杨杰 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C07D519/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有定位效应的三氮唑并吡啶类受体、其聚合物以及它们的应用。所提供的聚合物其结构式如式I所示。以本发明三氮唑并吡啶类聚合物为半导体层制备的有机场效应晶体管(OFETs)有较高的空穴迁移率(最高为9×10‑3cm2V‑1s‑1)，在有机场效应晶体管中具有良好的应用前景。本发明提供的具有定位效应的三氮唑并吡啶(简称TP)类受体及其聚合物，通过实验证明了吡啶上的氮原子具有定位作用，并进一步研究了该类聚合物在OFETs中的应用。本发明具有定位效应的三氮唑并吡啶类聚合物进一步扩展了高性能的半导体材料的种类，在有机光电子器件中具有良好的应用前景。
具有定位效应三氮唑吡啶受体聚合物以及它们应用

[发明专利]一种具有紫外屏蔽和荧光效应的改性多酚及其复合材料、制备方法及应用-CN202211506253.7在审
发明人：张旭辉;稽光耀;东为富;李婷;王世波;黄晶 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C07C69/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有紫外屏蔽和荧光效应的改性多酚及其复合材料、制备方法及应用，该改性多酚由多酚经羟烷基化改性试剂碳酸丙烯酯进行羟烷基化反应后得到。本发明通过对植物多酚进行羟烷基化改性，在植物多酚上引入含有羟基的柔性短链，该短链可有效抑制植物多酚间的堆叠及聚集诱导猝灭效应，提高植物多酚的荧光效应；同时还可提高植物多酚对有机物的亲和性，有助于植物多酚在聚合物中的均匀分散，不影响聚合物透明性的同时赋予其紫外屏蔽效应。改性多酚以生物质为原料，环境友好，与聚合物复合的工艺简单易行，制得的聚合物基复合材料具有透明、紫外屏蔽、荧光效应等多种功能，在先进包装材料领域潜力巨大。
一种具有紫外屏蔽荧光效应改性及其复合材料制备方法应用

[发明专利]皮革染色染料聚合无浴干染法-CN90104028.2无效
发明人：惠彬 -专利权人：惠彬
申请日： 1990-05-30 - 公布日： 1991-01-30 - 主分类号： D06P1/00 文献下载
摘要：本发明是关于皮革染色的一种方法，其主要技术特征是将待染效应色的坯革控水至水分含量40～70％之间，装入鼓内，将适量的染料聚合体碎块加入鼓内，转动至染料全部沾附在革上，即染料聚合体碎块全部溶解消失，就可染出效应色，本发明的优点是能在同一张革上染出双色效应或多色效应，可用于各种需染色的皮革染色。
皮革染色染料聚合无浴干染法

[发明专利]一种双极性聚合物场效应晶体管及其制备方法与应用-CN201610244436.4在审
发明人：于贵;毛祖攀;郭云龙;陈华杰;张卫锋 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极性聚合物场效应晶体管及其制备方法与应用。它由下至上依次为衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层、栅极电极；所述绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯；其的制备方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积带有图案的源漏电极；2)在沉积有源漏电极的衬底上旋涂聚合物半导体，得到聚合物半导体层；3)在所述半导体层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，得到绝缘层；4)在所述绝缘层上沉积栅极电极，即得到双极性聚合物场效应晶体管。本发明双极性聚合物场效应晶体管应用于有机电子学和集成电路加工中。本发明双极性聚合物场效应晶体管的电子和空穴的迁移率都得到了提高，且其制备方法简单易行。
一种极性聚合物场效应晶体管及其制备方法应用