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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种醇类燃料电池电堆及其检测浓度方法-CN202011611274.6在审
发明人：李聪;鄂彬;朱克峰;李山;汪晔;魏伟 -专利权人：中科军联（张家港）新能源科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01M8/2465 文献下载
摘要：本发明提供一种醇类燃料电池电堆，包括发电模块和浓度传感模块，还包括前端板和后端板，所述前端板上设置有燃料进口及反应物出口；所述发电模块由极板和膜电极组成的发电单体堆叠而成，所述发电模块的前后两端设置有导电集耳；所述浓度传感模块依次由第一绝缘板、浓度传感阳极板、浓度传感膜电极、浓度传感阴极板及第二绝缘板堆叠而成，所述第一或第二绝缘板上靠近极板位置设置有浓度传感测温孔，本发明还提供一种用于检测通过电堆中醇类燃料浓度的方法
一种燃料电池及其检测浓度方法

[发明专利]一种多个方形锂电池快速包膜结构及方法-CN202010215518.2在审
发明人：陈建华 -专利权人：江苏海基新能源股份有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明涉及一种多个方形锂电池快速包膜结构，包括电池壳体，所述电池壳体外包覆有一体成型的PET绝缘保护膜，所述PET绝缘保护膜包括PET基膜和均匀涂覆其上的绝缘胶，所述PET基膜包括多个T型结构，多个T型结构首尾相连
一种方形锂电池快速包膜结构方法

[发明专利]图像显示装置的制造方法以及图像显示装置-CN202080043755.3在审
发明人：秋元肇 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2020-05-01 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：实施方式的图像显示装置的制造方法具有：准备在第一基板上具有包括发光层的半导体层的基板的工序、准备形成有包括电路元件的电路的第二基板的工序、在所述第二基板上形成具有遮光性的层的工序、在具有所述遮光性的层上形成绝缘膜的工序、将所述半导体层在形成有所述绝缘膜的所述第二基板贴付的工序、对所述半导体层进行蚀刻而形成发光元件的工序、形成覆盖所述发光元件的绝缘层的工序、以及将所述发光元件与所述电路元件电连接的工序。
图像显示装置制造方法以及

[发明专利]一种驱动背板、其制作方法、背光模组及显示装置-CN202010740440.6在审
发明人：何敏;谢晓冬;王静;张天宇;钟腾飞;赵雪;曾亭 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种驱动背板、其制作方法、背光模组及显示装置，该驱动背板中，第一导电层，包括：多个绑定电极，以及多个第一连接线；绝缘层，包括：多个第一过孔，以及多个第二过孔；第二导电层，包括：多个连接电极，以及多个第二连接线；导电保护层，包括：多个第一保护结构，以及多个第二保护结构；导电保护层的图形与绝缘层的图形互补。在制作上述驱动背板的过程中，可以采用相同的掩膜版对绝缘层和导电保护层进行图形化，从而可以节省一道掩膜版，降低制作成本，并且，第二保护结构可以保护第二过孔位置处的第二连接线，防止后续制作过程中第二连接线被腐蚀
一种驱动背板制作方法背光模组显示装置

[发明专利]一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法-CN202210165177.1在审
发明人：祁海滨;冉泽平;李金波;倪浩然;王忠保 -专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，包括测试台，所述测试台上端设置有测试工装，所述测试工装包括安装于测试台上的托盘，所述托盘上设置有放置筒，所述放置筒内设置有推动组件，所述推动组件上设置有按压机构该抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，通过设置的按压机构，使得一排待测产品全部脱离与导电层的接触即可排除不合格的产品，通过设置的推动组件，操作控制杆使待测产品逐个脱离与导电层的接触，不合产品脱离与导电层的接触后，绝缘耐压仪即可检测出合格的信号，从而可以迅速排除不合格产品。
一种抑制硅单晶氧化绝缘耐压低下控制系统方法

[发明专利]一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法-CN202210640391.8在审
发明人：陈伟;潜垚 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种ESL转BCE架构的TFT器件的制造工艺方法，包括：依序在玻璃基板上形成金属栅极、栅极绝缘层；栅极绝缘层上沉积有源层；在有源层上表面涂布一层第一正型光阻，进行曝光显影制程，将未被光罩遮挡的第一正型光阻显影去除，并进行硬烤，去除PR内溶剂，完全硬化形成保护膜；Pattern出有源层SE；继续涂布一层第二正型光阻，进行DC制程曝光显影；显影掉被ES光罩光照到的第二正型光阻；采用干蚀刻方式蚀刻出DC孔；进行光阻剥膜制程，此时DC孔完全开孔，有源层未被蚀刻；Pattern出源漏极；沉积一层钝化绝缘层，形成TFT器件。
一种 esl bce 架构 tft 器件制造工艺方法

[发明专利]一种碳基压阻薄膜传感器及其制备方法和应用-CN202210366465.3在审
发明人：代伟;吴亮;王启民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明的碳基压阻薄膜传感器由耐磨层、传感层、绝缘层和电极层组成，而且耐磨层、传感层和绝缘层均为碳基薄膜材料，所述传感层为类金刚石碳膜，所述类金刚石碳膜中sp3‑本发明提供一种碳基压阻薄膜传感器，该传感器的各功能层(耐磨层、传感层和绝缘层)均为碳基薄膜材料，具有良好的结构连续性，且各功能层的亲和性、弹性模量、热膨胀系数等物理化学性能参数相匹配，使得各功能层之间具有优异的界面结合强度
一种碳基压阻薄膜传感器及其制备方法应用

[发明专利]电磁波屏蔽膜-CN202180007123.6在审
发明人：梅村滋和;矶部修 -专利权人：拓自达电线株式会社
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在导电性胶粘剂层大量配混有导电性粒子时，也能使得透明性优越且连接电阻值低的电磁波屏蔽膜。在本发明电磁波屏蔽膜中，第1绝缘层、透明导电层、第2绝缘层以及导电性胶粘剂层按该顺序层叠，所述透明导电层是由金、银、铜、钯、镍、铝或者上述金属的合金构成的、厚度为5~100nm的金属层，所述第2绝缘层的厚度为
电磁波屏蔽

[发明专利]一种制作MEMS开关器件的方法、装置、设备及可读介质-CN202210915412.2在审
发明人：余志伟 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2022-07-31 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作欧姆接触式MEMS开关器件的方法、装置、设备及可读介质，方法包括：在第一基底的绝缘层表面通过掩膜刻蚀法制备出接触电极和驱动电极，并通过化学气相沉积法分别在接触电极和驱动电极的表面镀上第一单层石墨烯层；在第二基底的绝缘层表面通过掩膜刻蚀法制备出可动电极，并通过化学气相沉积法在可动电极的表面镀上第二单层石墨烯层；采用湿法刻蚀除去第二基底的绝缘层的预设部分；将第一基底与第二基底通过键合的方式组装在一起以形成具有单层石墨烯涂层的欧姆接触式
一种制作 mems 开关器件方法装置设备可读介质

[发明专利]一种铝合金电缆的制备方法-CN202211416682.5在审
发明人：金伟 -专利权人：金伟
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本发明先利用1‑(4‑氨基‑苯基)‑丙烷‑1,2,3‑三醇，对绕包后的聚乙烯绝缘层进行改性处理，拓宽聚乙烯低温区间，使电缆具有耐低温性能；接着，进行挤塑发泡处理、辐照加热处理，在改性绝缘层表面形成聚苯乙烯‑聚吡咯泡沫层，在长时间光照下，聚吡咯吸收光能，并转换成热能，导致电缆温度上升，并在泡沫层的持续保温下，使电缆长期保持一定热量，从而提高电缆的耐寒效果；然后进行两次制膜工艺，在绝缘泡沫层表面形成致密的多元金属保护膜
一种铝合金电缆制备方法

[发明专利]一种玻璃基电路元器件及其制备方法和应用-CN202310243374.5在审
发明人：沈榆程;许伟鸿;杨柳;何岳山;刘飞;刘汉成;练超;李东伟;王粮萍 -专利权人：深圳市纽菲斯新材料科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：所述制备方法包括如下步骤：对上下表面均设置有绝缘介质层的玻璃基板进行激光处理，去除部分绝缘介质层，同时在所述玻璃基板上形成激光诱导区域，得到经激光处理的复合层；对复合层进行沾污处理和腐蚀处理，得到带通孔的复合层；在复合层表面设置种子金属层，进行图形电镀掩膜，设置第一电路层，去除图形电镀掩膜以及部分种子金属层后，在其上下表面分别交叠绝缘介质层和第二电路层后，得到多层线路板，在多层线路板的上下表面分别设置保护层，
一种玻璃电路元器件及其制备方法应用

[发明专利]反向导通绝缘栅双极晶体管-CN202211446972.4在审
发明人：曾根田真也;西康一;小西和也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的目的在于在反向导通绝缘栅双极晶体管即RC‑IGBT中提高闩锁耐量并且降低接通电压。RC‑IGBT(101)具有：多个栅极电极(11a)，它们设置于多个栅极沟槽(11T)内；多个哑栅极电极(12a)，它们设置于多个哑沟槽(12T)内，具有位于与多个栅极电极的上表面相比靠下的位置处的上表面；层间绝缘膜(4)，其形成于半导体基板(50)的上表面，具有在各哑栅极电极的上方使各哑沟槽的至少一侧的侧壁露出的第1接触孔(17)；以及发射极电极(6)，其设置于层间绝缘膜之上及第1接触孔内，在从第1接触孔露出的各哑沟槽
向导绝缘双极晶体管

[发明专利]高介质耐电压复合绝缘膜及其制备方法、高介质耐电压合金薄膜压敏芯体及其制备方法-CN202211304478.4在审
发明人：周国方;余浪;何峰;杨晓生;曾庆平;蓝镇立 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明中公开了一种高介质耐电压复合绝缘膜及其制备方法、高介质耐电压合金薄膜压敏芯体及其制备方法，该复合绝缘膜包括由下而上依次堆叠而成的五氧化二钽薄膜、氧化铝薄膜和氧化硅薄膜，具有介质耐电压性能优异、薄膜应力小、致密性好、粘附性好等优点，将其作为功能材料层和基底材料之间的绝缘层时所构建的合金薄膜压敏芯体，不仅具有介质耐电压高的优点，还具有检测精度高、灵敏度高、在恶劣环境下可靠性好等优点，能够满足高铁列车用特种压力监测的需求
介质电压复合绝缘及其制备方法合金薄膜压敏芯体

[发明专利]具有金属-势垒-金属字线的三维存储器器件及其制造方法-CN202180094243.4在审
发明人： R·N·B·赛义德;R·S·马卡拉;S·卡纳卡梅达拉;R·沙朗帕尼 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B51/10 文献下载
摘要：一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括绝缘层和导电层的交替堆叠、延伸穿过交替堆叠的存储器开口、以及位于存储器开口中并且包括相应竖直半导体沟道和相应存储器膜的存储器开口填充结构。该导电层中的每一者包括：与存储器开口填充结构中相应一者的相应外侧壁段接触的管状金属衬件、接触相应管状金属衬件及两个绝缘层的导电势垒层、以及接触导电势垒层并且不接触管状金属衬件或任何绝缘层的金属填充材料层在通过存储器开口执行卤素释气退火之后形成存储器开口填充结构，以减少或消除存储器膜的层中的卤素释气损坏。
具有金属势垒三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201310612553.8有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，依次在所述半导体衬底表面形成栅介质膜和栅导电膜；图形化所述栅介质膜和栅导电膜形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和栅导电层；采用沉积工艺在栅极结构两侧的半导体衬底表面形成绝缘层，所述绝缘层顶部高于栅介质层顶部；对所述栅极结构进行再氧化工艺，在栅极结构表面形成氧化层，所述氧化层还位于绝缘层的表面；对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行掺杂，形成掺杂区。
半导体器件栅极结构栅介质层绝缘层半导体衬底表面栅介质膜氧化层衬底半导体栅极结构表面导电膜形成短沟道效应电学性能扩散效应栅导电层掺杂区导电膜图形化再氧化沉积掺杂优化

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