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[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法-CN200410000802.9有效
发明人：田边义和;酒井哲;夏秋信义 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1998-03-04 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：以在所述室内的晶片的第一主表面上方形成包括氧气的湿氧化气氛；(c)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，通过热氧化在所述热处理室中的所述湿氧化气氛中的所述晶片的所述第一主表面的硅表面上方形成绝缘栅型场效应晶体管的栅绝缘膜；然后(d)使所述晶片经受热氮化处理，以使得氮气在所述栅绝缘膜和所述硅表面之间的界面处被分离。
半导体集成电路器件制造方法

[发明专利]阵列基板及其修复方法-CN201710128017.9有效
发明人：蔡振飞;李蒙;李荣;袁粲;袁志东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明的阵列基板包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线、彩膜层，所述第一引线与第二引线相互交叠且被第一绝缘层隔开；且所述阵列基板还包括：设于第一绝缘层与彩膜层间的遮蔽结构
阵列及其修复方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN02119005.4有效
发明人：田边英夫;下村繁雄;大仓理;栗田雅章;木村泰一;中村孝雄 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-02-06 - 公布日： 2002-10-23 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：薄膜晶体管形成在构成显示装置的绝缘基体上。每个薄膜晶体管包括一由多晶硅制成的半导体层,该半导体层由沟道区,排列在该沟道区两侧并掺有高浓度杂质的漏极和源区,及至少排列在漏极区和沟道区之间或源区与沟道区之间并掺有低浓度杂质的LDD区组成,该薄膜晶体管还包括一形成在半导体层上表面上的绝缘膜,且其薄膜厚度随其伸入沟道区,LDD区,漏极和源区而以阶梯状方式顺次减小,此外,该薄膜晶体管还包括一贯穿绝缘膜而形成在沟道区上的栅电极。
显示装置及其制造方法

[发明专利]微型机电系统元件及其制造方法-CN200710112586.0有效
发明人：郑希元;福田宏 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：在布线部(15)和底座支承部(10)之间形成有孔(16)，在该孔(16)内形成有绝缘膜(18)。由被埋入到该孔(16)的绝缘膜(18)使布线部(15)和底座支承部(10)绝缘。
微型机电系统元件及其制造方法

[发明专利]像素结构的制作方法-CN200810134305.6有效
发明人：余宙桓;江俊毅;蔡佳琪;童振邦;萧祥志;张家铭;张宗隆;赖哲永;周汉唐;张峻恺;廖达文 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：首先，于基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层。之后，于栅绝缘层上依序形成半导体层、导电层以及彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，感光型黑矩阵包括第一区块以及第二区块，且第一区块的厚度小于第二区块的厚度。之后，以感光型黑矩阵为光掩膜，于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极。接着，于上述膜层上形成保护层，并通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并形成介电层，且进行介电层与保护层的图案化工艺，以暴露漏极。之后，形成一与漏极电连接的像素电极。
像素结构制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710112042.4有效
发明人：木下敦宽;古贺淳二 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该场效应晶体管包括，第一导电类型的第一半导体区，在栅绝缘膜上形成的栅电极，以及源电极和漏电极。该场效应晶体管还包括第二导电类型的第二导电区。该场效应晶体管还包括：第二导电类型的第三半导体区，其杂质浓度高于第二半导体区的杂质浓度，并形成在源电极与第一和第二半导体区之间以及漏电极与第一和第二半导体区之间；和在栅电极的两侧形成的侧壁绝缘膜。源电极和漏电极与侧壁绝缘膜分离。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机EL显示装置-CN200710085848.9有效
发明人：松浦利幸;田中政博 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-02-25 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：具有覆盖有机发光层OLE且周缘端部被密封接合于绝缘基板SUB的周缘部的有机膜的密封膜CEF，该有机发光层OLE由形成于绝缘基板SUB主面上的第1电极、多层结构的有机EL层、第2电极构成。有机发光层OLE侧面上的第1防湿层DML1、吸湿层DSC和第2防湿层DML2，从有机发光层OLE上表面弯曲到侧面，并从侧面弯曲得与绝缘基板SUB的主面平行，各个弯曲的端部的下表面与基板SUB的主面紧密贴合
有机 el 显示装置

[发明专利]配线基板-CN200710096727.4有效
发明人：不藤平四郎 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明在绝缘基板(2)上形成有采用Ag涂膜的配线构件(3)，上述配线构件(3)上以及绝缘基板(2)上由包覆构件(4)包覆，该包覆构件(4)具有丙烯酸树脂、以及作为固化剂的1，6－己二异氰酸酯(HDI)以及二苯甲烷二异氰酸酯因此，即便使用由Ag涂膜制作的配线构件(3)，也可以谋求耐迁移性的提高。另外，能够分别使柔性印刷电路板(1)的弯曲性、绝缘基板(2)与包覆构件(4)之间、以及包覆构件(4)与配线构件(3)之间的附着力、包覆构件(4)表面的非粘着性得以提高。
配线基板

[发明专利]可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法-CN200810134649.7有效
发明人：胡竹青;许诗滨 -专利权人：全懋精密科技股份有限公司
申请日： 2003-12-02 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法，主要是提供至少一表面形成有多个电性连接垫的封装基板，接着在该封装基板表面上形成有机绝缘保护层，并进行薄化使该有机绝缘保护层显露出电性连接垫的上表面，之后，可在该有机绝缘保护层及电性连接垫表面上依序形成导电膜与阻层，并使该阻层形成有多个开孔，以显露出该电性连接垫表面的导电膜，再对该封装基板进行电镀制程，也或直接利用模板印刷方式，以在该电性连接垫上沉积预焊锡材料
形成焊锡材料半导体封装及其制法

[发明专利]一种太阳能电池组件及其制备方法-CN200810116528.X有效
发明人：祝明;孙康文;吕明云;武哲 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池组件是由按自上而下依次叠放的表面封装膜、透明胶膜、太阳能电池片、轻质胶膜A、绝缘基板所组成；而绝缘基板由按自上而下依次叠放的绝缘膜、碳纤维板、轻质胶膜B、蜂窝芯、轻质胶膜C、碳纤维板所组成
一种太阳能电池组件及其制备方法

[发明专利]一种用于液相测量的压电传感器及封装方法-CN200810065779.X有效
发明人：施晓燕;张峰 -专利权人：施晓燕
申请日： 2008-03-10 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：一种用于液相测量的压电传感器及封装方法，其特征在于采用一个表面具有附着金属膜的绝缘板与至少一个压电敏感器件相连，实现集成一体的结构封装与电气连接。其中压电敏感器件的边缘密封固定到绝缘板上的通孔底部以实现压电敏感器件单面与被测液体接触，压电敏感器件的金属电极则通过绝缘板上的金属膜走线与驱动或检测电路连接。
一种用于测量压电传感器封装方法

[发明专利]一种低压空气呼吸燃料电池堆-CN200310108958.4有效
发明人：田丙伦 -专利权人：上海河森电气有限公司
申请日： 2003-11-28 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01M8/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低压空气呼吸燃料电池堆，包括双极板、膜电极、集流板、电绝缘隔板、空气进气孔、氢气进口与出口、氢气进孔道与出孔道、空气流道、氢气流道、空气流场、氢气流场、风扇、固定装置、散热装置，所述的双极板呈楔形结构，该楔形双极板两个面上设有空气流道和氢气流道，所述的空气流道平行于楔形双极板的横截面方向，所述的氢气流道与该空气流道垂直设置，所述的氢气进口与出口设置于电绝缘隔板上，所述的多个楔形双极板与膜电极加上集流板、电绝缘隔板组装成具有一定壁厚的多孔圆筒状电池堆，该电池堆轴向设有风扇。
一种低压空气呼吸燃料电池

[发明专利]一种基于镀掩蔽膜板的MWT电池制作工艺-CN201810179020.8有效
发明人：王岚 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镀掩蔽膜板的MWT电池制作工艺，涉及MWT电池制作工艺领域；其依次包括激光开孔、制绒、扩散、刻蚀、正面镀膜、利用镀掩蔽膜板区域背面镀膜、印刷、烧结和测试分档；本发明的电池通过利用掩蔽板区域镀背面膜，使非受光面的局部区域通过镀膜层绝缘，发射极和基区金属导电通道隔绝，正面引入背面端电极，虽然共面却理想绝缘，杜绝电池发射极和基区导通造成正负极漏电，解决了现有太阳能电池中防止发射极和基极区域漏电方案中存在的制作工艺步骤多、制作设备精度和材料要求高、输出电流不稳定从而光电转换效率低的问题，达到了理想绝缘保证输出电流稳定并提升转换效率、在原有的制作工艺上仅增加两步利于规模化生产的效果。
制作工艺电池镀掩蔽发射极膜板绝缘漏电输出电流镀膜背面光电转换效率规模化生产太阳能电池材料要求测试分档导电通道基极区域基区金属激光开孔局部区域制作设备转换效率烧结背面膜镀膜层端电极掩蔽板原有的正负极导通基区刻蚀受光制绒扩散印刷引入保证

[发明专利]绝缘电线、其制造方法、使用该绝缘电线的线圈的制造方法及线圈-CN201880014473.3有效
发明人：漆原诚;工藤泰彦;饭田慎太郎;樱井英章 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-02-21 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种以绝缘被膜包覆横截面形状为矩形的扁平状导体线而成的绝缘电线。绝缘被膜由包覆扁平状导体线的表面的内层及包覆内层的表面的外层构成，在扁平状导体线的矩形的横截面中彼此相对且具有相同长度的两个短边中，包覆一侧短边的内层的厚度(t1
绝缘电线制造方法使用线圈

[发明专利]显示面板-CN202010684689.X有效
发明人：赵慧慧 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提出了一种显示面板，所述显示面板通过将第三栅极绝缘层设置于与第三栅极位置相对应的位置，并且第三栅极绝缘层覆盖部分第二薄膜晶体管中的氧化物半导体层，避免了第三栅极绝缘层呈整面设置于显示面板中，减小了显示面板中除第三栅极所在区域后其它位置的膜层厚度，便于减少第一薄膜晶体管中第一源极和第一漏极到多晶硅半导体层之间过孔的深度，降低了第一源极和第一漏极与多晶硅半导体层搭接的接触电阻；同时，也降低了显示面板位于绑定区的膜层厚度，降低了绑定区内挖孔的工艺难度
显示面板