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[实用新型]一种IGBT模块内置电流传感芯片-CN201520228192.1有效
发明人：陈全;汪飞;高彬;陈潼;施宝法 -专利权人：浙江巨磁智能技术有限公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT模块内置电流传感芯片，包括一传感单元，所述传感单元与IGBT桥臂相连接，还包括将传感单元获取的传感信号进行增益调整的可编程增益、检测传感芯片周围环境温度的温度补偿单元、对传感芯片进行编程控制和通信管理的控制器单元、以及对传感单元的输出数据进行修正的零点修正单元；所述可编程增益与所述传感单元相接；所述温度补偿单元、控制器单元和零点修正单元与所述可编程增益相接。本实用新型采用了一种抗外场干扰的传感器单元，可以很好地解决周围磁场干扰以及导线串扰的问题，并且本实用新型能直接封装到IGBT的输出桥臂上，其体积小，具有很强的抗干扰性，从而实现了一种简单高精度抗干扰的电流传感
一种 igbt 模块内置电流传感芯片

[发明专利]用于对具有减少的编程干扰的NAND类型的非易失性存储器进行编程的以末为先模式-CN200680040606.1有效
发明人：万钧;杰弗里·W·卢策 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：以会降低受抑制存储器元件的编程干扰发生率的方式对NAND型非易失性存储器进行编程，所述受抑制存储器元件承受增压以减少编程干扰，但会由于其字线位置而经历降低的增压利益。为实现这一结果，调整对所述存储器元件进行编程的字线顺序以便以相对于剩余字线的不同顺序首先对较高字线编程。另外，自增压可用于较高字线，而已擦除区域的自增压或变形可用于剩余的字线。此外，对于在与所述第一字线相关联的非易失性存储器元件之后编程的非易失性存储元件，可在所述自增压之前采用对所述受抑制存储器元件的沟道的预充电。
用于具有减少编程干扰 nand 类型非易失性存储器进行模式

[发明专利]便携式标准干扰源-CN201410612765.0有效
发明人：成传湘;燕官锋;王彦霞;梁广军;史剑锋;郝德良;李潇龙;霍彦锋 -专利权人：河北晶禾电子技术有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G01S19/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种便携式标准干扰源，包括干扰信号发生电路以及变频电路，通过面板按键输入控制指令，控制指令送至单片机，单片机输出干扰信号类型控制信号到干扰信号发生电路，同时输出干扰功率控制信号到变频电路，同时将输入的指令信号、干扰信号类型控制信号以及干扰功率控制信号送至显示屏显示。本发明设置三路相互独立，互不干扰的中频信号生成模块和上变频模块，保证各个干扰信号的相互独立；通过外部按键或远程控制，实现对各路干扰类型和信号功率动态的调整，干扰信号采用可编程逻辑控制器FPGA，用Verilog HDL编程实现，产生中频干扰信号，可产生多种干扰信号类型；系统采用模块化设计，可方便扩展干扰源的数量；体积小、便于携带。
便携式标准干扰

[发明专利]对机器人示教加工动作的机器人编程装置-CN201510845414.9在审
发明人：长塚嘉治 -专利权人：发那科株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本发明提供一种对机器人示教加工动作的机器人编程装置，在该机器人编程装置中，根据将动作图案投影到工件模型上而生成的加工路径，决定工具的位置和姿势。机器人编程装置具备：判定部，其判定工件以及工具是否在工具的加工点以外相互干扰；以及位置姿势修正部，其修正工具的位置和姿势的至少一方，以便在工具的加工点以外工件和工具相互不干扰。
机器人加工动作编程装置

[发明专利]3D存储器件的编程方法-CN202110017380.X在审
发明人：魏文喆;刘红涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的编程方法，包括：预充电阶段，经由源极线提供预充电压以提高多个存储晶体管的沟道区电压；以及编程阶段，在多个存储晶体管中的选定存储晶体管的栅极导体上施加编程电压以写入数据，在多个存储晶体管中的未选定存储晶体管的栅极导体上施加导通电压以减小编程干扰该编程方法可以抑制选定存储晶体管的编程电压对未选定存储晶体管的编程干扰。
存储器件编程方法

[发明专利]3D存储器件的编程方法-CN202110099637.0在审
发明人：魏文喆;游开开;贾建权;刘红涛;曾洋 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的编程方法，包括：在预充电阶段，经由位线提供预充电压以提高多个存储晶体管的沟道区电压；以及在编程阶段，在多个存储晶体管中的选定存储晶体管的栅极导体上施加编程电压以写入数据，在多个存储晶体管中的未选定存储晶体管的栅极导体上施加导通电压以减小编程干扰该编程方法可以抑制选定存储晶体管的编程电压对未选定存储晶体管的编程干扰。
存储器件编程方法

[发明专利]可编程选项电路及防止其未编程前的大电流产生的方法-CN02159645.X有效
发明人：沈建东 -专利权人：中颖电子(上海)有限公司
申请日： 2002-12-24 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种可编程选项电路及防止其未编程前的大电流产生的方法，是使用可编程数据单元来记录选项值，再配合差分输出单元以达成低功率消耗及强抗干扰能力的要求。其中，当可编程数据单元尚未写入数据时，关闭差分输出电路的输出，以防止其未编程前的大电流的产生。
可编程选项电路防止编程电流产生方法

[发明专利]使用调制编码减轻单元间干扰的方法和设备-CN200980132723.4有效
发明人： N·格雷夫;E·F·哈拉特施;M·伊威科维克;V·克拉琦科夫斯基;A·维贾耶夫;J·延 -专利权人： LSI公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了使用调制编码减轻单元间干扰的方法和设备。在闪存存储器的编程期间，执行如下的调制编码，该调制编码选择用于对闪存存储器编程的一个或更多个电平，以使得利用违反一个或更多个预先定义的标准的值对闪存存储器中的减少数量的单元编程。预先定义的标准可以例如基于以下中的一个或更多个：由编程的单元所引起的干扰的量；编程的单元的电压偏移；由编程的单元存储的电压；通过编程的单元的电流改变的量；和通过编程的单元的电流的量。
使用调制编码减轻单元干扰方法设备

[发明专利]用于减少编程干扰的设备和方法-CN201980006011.1有效
发明人：陈宏燕;董颖达 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-02-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供用于在所选字线处于上层中时减少形成于双层堆叠中的存储器单元的编程干扰的技术。在一种方法中，在编程循环的编程阶段开始时，在其余字线的电压增加到通过电压之前，将邻近于界面的字线的电压增加到通过电压。这种延迟为下层中的残余电子提供朝NAND串的漏极端移动的时间以降低编程干扰的可能性。在另一种方法中，在所述编程阶段期间，将邻近于所述界面的所述字线的所述电压维持在0V或其它关断电压，以阻止残余电子从所述下层通过到达所述上层。
用于减少编程干扰设备方法

[发明专利]一种信号干扰装置和方法-CN201610675950.3有效
发明人：张岩;倪慧娟;丁高泉;于濛;刘贞社 -专利权人：大唐移动通信设备有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H04K3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种一种信号干扰装置和方法，其中，所述装置包括：接收链路，用于接收空中信号，将所述空中信号转换为数字信号，并将所述数字信号发送至可编程干扰源模块；可编程干扰源模块，用于对所述数字信号进行解同步处理，根据解同步处理结果生成发射调制信号，并将所述发射调制信号发送至发射链路；发射链路，用于接收所述发射调制信号，将所述发射调制信号转换为调制干扰信号，并将所述调制干扰信号辐射至空中。通过本发明解决了现有的终端信号干扰器存在的功率要求较高、设备功耗较大以及无法完全阻断终端通信的问题。
一种信号干扰装置方法

[发明专利]检测半导体存储装置中的干扰存储单元的装置及方法-CN201010296772.6有效
发明人：洪俊雄;林政宽;张坤龙 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测半导体存储装置中干扰存储单元的装置及方法。该检测一存储单元干扰情况的方法，包含施加多个阵列条件至该存储单元且决定该存储单元响应多个阵列条件时是否具有一编程存储单元的行为。假如该存储单元会对该组条件响应为被编程而在另一组条件响应为被擦除，则识别该存储单元为受干扰的存储单元。
检测半导体存储装置中的干扰单元方法

[发明专利]具有电荷隔离以减少注入类型的编程干扰的存储器设备-CN201980081585.5在审
发明人：陈红艳;赵伟 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明描述了用于减少存储器设备中的注入类型的编程干扰的技术。当编程电压增加到编程电压(Vpgm)时，在NAND串的沟道中形成电荷隔离区，该沟道位于选定字线WLn的源极侧上并且与WLn间隔开一个或多个其他字线。通过向隔离字线施加0V或其他低电压来形成隔离区。可基于与编程干扰风险相关联的因素来修改电荷隔离区，该因素包括Vpgm的量值、WLn在一组字线中的位置以及环境温度。
具有电荷隔离减少注入类型编程干扰存储器设备

[发明专利]沟道预充电方法、编程方法、装置及系统-CN202210316842.2在审
发明人：赵向南;刘红涛;贾建权;蒋颂敏;魏文喆;宋雅丽;王均保;闵园园;游开开;张安;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种沟道预充电方法、编程方法、装置及系统，属于存储技术领域。并且，由于对于编程干扰较为严重的字线，能够采用预充电效果更好的预充电方式，因此能够确保有效地抑制编程干扰。
沟道充电方法编程装置系统

[发明专利]用于编程重新排序以减轻编程干扰的存储系统和方法-CN202210542560.4在审
发明人： D·J·林恩;P·苏贝迪;K·A·库卡迪;M·穆林 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：所述存储系统中的控制器在所述字线中的每一个中改变所述串中的哪一个为最后编程的串。这样做可在所述存储器中的三层级单元用作伪多层级单元时中断屏蔽编程干扰错误。通过中断屏蔽所述编程干扰错误，所述控制器可检测并校正所述错误。
用于编程重新排序减轻干扰存储系统方法

[发明专利]基于经编程存储器单元的数目的近接干扰修复-CN202210457036.7在审
发明人：杨春森;D·M·巴图蒂斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本申请案涉及基于经编程存储器单元的数目的近接干扰修复。描述一种方法，其包含由存储器装置的存储器子系统控制器确定一组存储器单元中处于经编程状态的存储器单元的数目。所述存储器子系统控制器进一步比较所述一组存储器单元中处于所述经编程状态的存储器单元的所述数目与近接干扰阈值，且响应于确定所述数目满足所述近接干扰阈值而对存储于所述一组存储器单元中的用户数据执行修复操作。
基于编程存储器单元目的干扰修复