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- [发明专利]3D NAND闪存编程方法-CN202011050195.2有效
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聂虹;陈精纬
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中天弘宇集成电路有限责任公司
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2020-09-29
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2021-09-03
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G11C16/10
- 本发明提供一种3D NAND闪存编程方法，包括：S1)提供3D NAND闪存阵列，清除残余电荷；S2)选通上部子存储模块所在位线；S3)于待编程的存储单元的漏极上施加漏极电压，并将源极浮空；S4)于待编程的存储单元的栅极上施加编程电压，完成编程；S5)完成上部子存储模块的编程后，在上部子存储模块保持编程状态的情况下，选通下部子存储模块所在位线重复步骤S3)及步骤S4)以实现对下部子存储模块的编程。本发明的3D NAND闪存编程方法基于三次电子碰撞原理完成编程，编程时的栅极电压远小于现有的隧穿(F‑N)编程方式的栅极电压，且编程时间短，可有效降低功耗并避免相邻存储单元之间的干扰，提高编程效率。
- nand闪存编程方法
- [实用新型]一种可编程逻辑器件编程刻录装置-CN202221619804.6有效
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李智华
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苏州浪潮智能科技有限公司
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2022-06-27
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2022-10-11
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H03K17/693
- 本实用新型涉及可编程逻辑器件编程刻录领域，具体公开一种可编程逻辑器件编程刻录装置，包括BMC、可编程逻辑器件、编程接头、多路复用器和使能控制电路，多路复用器的第一端与BMC电连接，第二端与可编程逻辑器件电连接，使能端与使能控制电路连接；编程接头可插拔连接在多路复用器与可编程逻辑器件之间的线路上；编程接头插入时，使能控制电路使多路复用器通路断开，BMC与可编程逻辑器件之间的通路断开；编程接头拔出时，使能控制电路使多路复用器通路导通，BMC与可编程逻辑器件之间的通路导通。本装置使用多路复用器，避免可编程逻辑器件使用编程接头时受到其他设备的干扰而无法使用，提高工作效率。
- 一种可编程逻辑器件编程刻录装置
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