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[实用新型]高效的碳化硅二极管吸收电路-CN202122482956.8有效
发明人：朱慧敏;滕玮 -专利权人：上海焊煌电气有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效的碳化硅二极管吸收电路，包含：第一绝缘栅双极型晶体管，第一绝缘栅双极型晶体管的源极和漏极分别与导电架相连；储能电路，储能电路与第一绝缘栅双极型晶体管的源极和漏极相连，用于进行储能本实用新型可以有效的吸收电压尖峰，满足吸收功率的要求，提高IGBT的使用寿命，保证电路的安全性。
高效碳化硅二极管吸收电路

[发明专利]一种电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置-CN201610817611.4在审
发明人：吴学智;武文;童亦斌;张维戈;姜久春 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H02H7/26 文献下载
摘要：本发明公开一种电压源型并网逆变器的直流侧故障保护装置，该装置用于连接交直流混合微电网的变流器侧和直流侧，包括由绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和二极管(D)组成的保护单元，其中，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的集电极和交直流混合微电网的变流器侧相连，其发射极和直流侧相连，二极管(D)与绝缘栅双极型晶体管(IGBT)反向并联；该装置还包括检测单元、反馈单元和驱动单元。
一种电压并网逆变器直流故障保护装置

[实用新型]非对称瞬态电压抑制转子变频调速控制装置-CN201120206606.2有效
发明人：周巍;葛运周;杨焕红 -专利权人：天津中电博源科技有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H02P27/06 文献下载
摘要：一种非对称瞬态电压抑制转子变频调速控制装置，旨在解决现有的交流异步电动机转子变频调速控制装置瞬态高压尖峰的上升率大，IGBT受到高压冲击易损坏的问题。它采用的升压斩波电路是由绝缘栅双极型晶体管IGBT、瞬态电压抑制二极管VS1-2、升压二极管D和升压电容2C连接组成的非对称瞬态电压抑制斩波电路，瞬态电压抑制二极管VS1的2端与逆导型绝缘栅双极型晶体管IGBT的C极相连、1端与逆导型绝缘栅双极型晶体管IGBT的E极相连，瞬态电压抑制二极管VS2的1端与升压二极管D的正极相连、2端与升压二极管D的负极相连。
对称瞬态电压抑制转子变频调速控制装置

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量测量电路及其测量方法-CN201711361231.5在审
发明人：黄俭;高存旗 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供一种高压IGBT器件的门极电荷量的测试。该栅极电荷量测量电路包括控制模块、充电模块、电流检测模块以及电量计算模块；控制模块在第一控制信号有效且第二控制信号无效时控制充电模块根据工作电压向待测绝缘栅双极型晶体管进行充电，电流检测模块检测充电模块对待测绝缘栅双极型晶体管进行充电时的充电电流，且将充电电流反馈至电量计算模块，电量计算模块获取待测绝缘栅双极型晶体管从开始充电状态至完全开启状态时所使用的时间，并根据时间与充电电流计算待测绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量。该栅极电荷量测量电路实现解决准确测量IGBT栅极电荷量的问题。
绝缘栅双极型晶体管栅极电荷测量电路及其测量方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN201510636146.X在审
发明人：赵喜高 -专利权人：深圳市可易亚半导体科技有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底；在所述半导体衬底的正面外延生长成的N-漂移区；在上述N-漂移区上制备形成包括栅极和发射极的上部端子；在所述半导体衬底的背面形成集电极的下部端子；在所述N-漂移区内部至少形成一个P型浮岛。本发明提供的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，旨在防止绝缘栅双极型晶体管击穿电压下降，减少导通压降，以提高IGBT元器件在高电压领域应用时的可靠性。
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[实用新型]一种全数字控制交流静止变流器-CN201320555047.5有效
发明人：郭丕龙;张宇娇 -专利权人：三峡大学
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H02M5/22 文献下载
摘要：一种全数字控制交流静止变流器，它包括电源，电源与第一双向晶闸管串接入变压器一次侧，变压器二次侧回路中设有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管，第一绝缘栅双极型晶体管的发射极与第二绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，第二绝缘栅双极型晶体管的集电极与第三绝缘栅双极型晶体管集电极连接，第三绝缘栅双极型晶体管的发射极与第四绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，电源的两端与第二双向晶闸管及负载形成回路；晶闸管以及绝缘栅双极型晶体管与单片机的并行口连接
一种数字控制交流静止变流器

[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量测量电路-CN201721767817.7有效
发明人：黄俭;高存旗 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本实用新型适用于半导体技术领域，提供一种绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量测量电路。该栅极电荷量测量电路包括控制模块、充电模块、电流检测模块以及电量计算模块；控制模块在第一控制信号有效且第二控制信号无效时控制充电模块根据工作电压向待测绝缘栅双极型晶体管进行充电，电流检测模块检测充电模块对待测绝缘栅双极型晶体管进行充电时的充电电流，且将充电电流反馈至电量计算模块，电量计算模块获取待测绝缘栅双极型晶体管从开始充电状态至完全开启状态时所使用的时间，并根据时间与充电电流计算待测绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量。该栅极电荷量测量电路实现解决准确测量IGBT栅极电荷量的问题。
绝缘栅双极型晶体管栅极电荷量测量电量计算模块充电电流电流检测模块电路充电模块控制模块充电半导体技术领域第二控制信号第一控制信号控制充电模块本实用新型充电状态电路实现工作电压完全开启准确测量状态时反馈检测

[发明专利]功率单元组成的高压变频装置-CN201810661656.6在审
发明人：贾少华;韩金华;栗占伟;李雅琪;郑豫生 -专利权人：中国大唐集团科学技术研究院有限公司华中分公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：个功率单元A1、A2、B1、B2、C1、C2，直流模块包括串联的电容C1、C2、C3、C4和串联的电阻R1、R2、R3、R4，逆变模块包括6个功率单元U1、U2、V1、V2、W1、W2，每个功率单元均包括4个绝缘栅双极型晶体管VT1、VT2、VT3、VT4，绝缘栅双极型晶体管VT1的发射极接绝缘栅双极型晶体管VT2的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT2的发射极接绝缘栅双极型晶体管VT3的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT3的发射极接绝缘栅双极型晶体管VT4的集电极，本发明通过高电压等级的IGBT组建功率单元，减少了大功率器件的使用量；可用于整流和逆变环节，通用性强；取消了移相变压器，进一步降低了成本和减少了设备体积。
绝缘栅双极型晶体管功率单元发射极集电极高压变频装置串联大功率器件移相变压器逆变模块通用性强整流模块直流模块电容高电压电阻可用逆变组建环节

[实用新型]一种功率单元组成的高压变频装置-CN201820980604.0有效
发明人：贾少华;韩金华;栗占伟;李雅琪;郑豫生 -专利权人：中国大唐集团科学技术研究院有限公司华中分公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：个功率单元A1、A2、B1、B2、C1、C2，直流模块包括串联的电容C1、C2、C3、C4和串联的电阻R1、R2、R3、R4，逆变模块包括6个功率单元U1、U2、V1、V2、W1、W2，每个功率单元均包括4个绝缘栅双极型晶体管VT1、VT2、VT3、VT4，绝缘栅双极型晶体管VT1的发射极接绝缘栅双极型晶体管VT2的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT2的发射极接绝缘栅双极型晶体管VT3的集电极，绝缘栅双极型晶体管VT3的发射极接绝缘栅双极型晶体管VT4的集电极，本实用新型通过高电压等级的IGBT组建功率单元，减少了大功率器件的使用量；可用于整流和逆变环节，通用性强；取消了移相变压器，降低了成本和减少了设备体积。
绝缘栅双极型晶体管功率单元发射极集电极高压变频装置本实用新型串联大功率器件移相变压器逆变模块通用性强整流模块直流模块电容高电压电阻可用逆变组建环节

[实用新型]抑制绝缘栅双极型晶体管关断尖峰的电路-CN201520264379.7有效
发明人：吴志猛;廖荣辉;曹晓生;文熙凯 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种抑制绝缘栅双极型晶体管关断尖峰的电路，包括绝缘栅双极型晶体管和负反馈电路；所述驱动电路的输出端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，用于驱动所述绝缘栅双极型晶体管导通或关断，所述负反馈电路的第一端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述负反馈电路的第二端与所述绝缘栅双极型晶体管的辅助射极连接，所述负反馈电路的第三端与所述绝缘栅双极型晶体管的功率射极连接，用于检测所述辅助射极与所述功率射极之间的寄生电感的压降，在所述绝缘栅双极型晶体管关断时抑制所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和功率射极之间的关断尖峰
抑制绝缘栅双极型晶体管尖峰电路

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管驱动保护电路-CN201310241174.2有效
发明人：王松;李晓坤;李广大;历杰 -专利权人：山东大学（威海）
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管驱动保护电路，主要包括：两个电源VB+、VB-、绝缘栅双极晶体管IGBT、输入脉冲控制电路、光耦P1、初级放大电路、次级放大电路、Vce的监测保护电路以及输出电路；所述输出电路主要由双极型晶体管电路与电源电路构成输出电路输出的正负15V脉冲电压可以使绝缘栅双极晶体管IGBT在不同的导通上升时间和关断下降时间条件下有效导通。在干扰较大的应用场合中，输出电路提供的负15V电压可以使绝缘栅双极晶体管IGBT可靠关断，提高绝缘栅双极晶体管IGBT工作的可靠性。
一种绝缘双极晶体管驱动保护电路

[实用新型]一种低温度系数低压CMOS带隙基准-CN201520311921.X有效
发明人：沈怿皓;于涛 -专利权人：上海中基国威电子有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的集电极均接第二绝缘栅双极型晶体管的门极，第四绝缘栅双极型晶体管的门极接第六绝缘栅双极型晶体管的门极，第一三极管、第三三极管的发射极分别接第七绝缘栅双极型晶体管、第九绝缘栅双极型晶体管的集电极，第七绝缘栅双极型晶体管、第八绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接运算放大器电路的负极端、正极端，运算放大器电路的输出端接第一绝缘栅双极型晶体管的门极。
一种温度系数低压 cmos 基准

[实用新型]一种永磁直流无刷电机控制装置-CN201120307786.3有效
发明人：陈鹏 -专利权人：陈鹏
申请日： 2011-08-23 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H02P6/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种永磁直流无刷电机控制装置，包括电机控制单元、IGBT驱动模块、绝缘栅双极型晶体管模块及电源供电单元，所述绝缘栅双极型晶体管模块内部集成封装六个绝缘栅双极型晶体管，所述电源供电单元由相互独立的四个电源芯片组成，绝缘栅双极型晶体管模块内部设置温度传感器。实现对永磁直流无刷电机的转速、转矩(或功率)控制，及制动能量回收等功能，集自动控制理论、电力电子技术、电机技术、数字/模拟信号分析应用技术为一体的集合体；具有集成化程度高、电路稳定可靠、有利于准确即时反映IGBT
一种永磁直流电机控制装置

[发明专利]增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构-CN201110412662.6无效
发明人：张帅;李冰 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构；包括：源区、漏区、栅区，紧靠栅区边界形成沟道，在P型体区下方有硅衬底N--，在硅衬底N--上生长有N-外延层。本发明可以减轻绝缘栅双极型晶体管Planner IGBT元胞间寄生的结型场效应晶体JFET的夹断效应，从而增强器件的驱动电流。
增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构

[发明专利]场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法-CN201210250474.2有效
发明人：张硕;芮强;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法，属于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术领域。该制备方法中，包括步骤：提供已经基本形成场终止绝缘栅双极型晶体管的正面结构的晶片；在所述晶片的正面结构上沉积正面保护层；将所述晶片翻转使其背面朝向正面注入机，并使用该正面注入机对所述晶片的背面的场终止层进行离子注入掺杂以形成集电极层该制备方法中可以使用正面注入机实现集电极层的离子注入，使其容易与前道工艺线兼容，并且FS-IGBT的正面结构得到有效保护，FS-IGBT的良率和可靠性高。
终止绝缘栅双极型晶体管制备方法