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[发明专利]一种逆变电源-CN201210466749.6在审
发明人：戴镕冰;温玮华 -专利权人：西安杰瑞达仪器有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本发明公开一种逆变电源，包括直流蓄电池、太阳能电池、宽范围电源开关、主板、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、扼流圈和滤波器，其特征在于，所述太阳能电池输出两路直流电，一路直流电和直流蓄电池输出给宽范围电源开关，另一路直流电输出给绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，所述宽范围电源开关将直流电处理后输出给主板，由主板驱动给绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，所述绝缘栅双极型晶体管(IGBT)将直流电输出给扼流圈和滤波器
一种电源

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201310306115.9有效
发明人：邓小社;钟圣荣;周东飞;王根毅 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极型晶体管制造方法在制造IGBT时先在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区，然后再形成IGBT正面结构和背面结构。通过在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区来减小高温漏电流。因此，该绝缘栅双极型晶体管具有高温漏电流小的优点。
绝缘栅双极型晶体管载流子漏电流增强区制造衬底背面结构正面结构减小

[实用新型]风电变流器用直流侧保护装置-CN201120002668.1无效
发明人：王超 -专利权人：艾迪尔斯（天津）能源科技有限公司
申请日： 2011-01-06 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：一种风电变流器用直流侧保护装置，有两端分别连接在双馈型风力发电系统直流母线正负极上的直流侧支撑电容，还设置有绝缘栅双极型晶体管、吸收电容、二极管和卸荷负载电阻，绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极连接二极管的正极，二极管的另一端负极连接直流侧支撑电容的正极端，绝缘栅双极型晶体管的发射极连接直流侧支撑电容的负极端，绝缘栅双极型晶体管的集电极与发射极之间连接吸收电容，卸荷负载电阻与二极管并联连接，绝缘栅双极型晶体管的栅极连接绝缘栅双极型晶体管驱动电路，绝缘栅双极型晶体管驱动电路与直流侧保护装置控制单元相连接。
变流器直流保护装置

[实用新型]集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路-CN201922181374.9有效
发明人：张博超;陈和辉;陈定武;黎鸿华;贺凯;卜韩萍;朱永哲;曹文亮 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H05B6/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路。该集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路包括主控电路和同步电路。所述主控电路包括直流电源、至少两个绝缘栅双极型晶体管、与各个所述绝缘栅双极型晶体管对应设置的至少两个感应加热电路、以及与所述至少两个绝缘栅双极型晶体管连接的驱动电路。这种集成多个绝缘栅双极型晶体管的电路集成了驱动电路，驱动电路只需一个驱动信号就能驱动多个IGBT，减小了PCB的面积，而且抗干扰能力变强，避免了异常开通。
集成绝缘栅双极型晶体管电路

[发明专利]半导体装置-CN201210232855.8有效
发明人：寺岛知秀 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明的“半导体装置”在维持绝缘栅双极型晶体管的开关特性及其低导通电阻的同时改善耐压特性，并减少占有面积。在用以抑制绝缘栅双极型晶体管(IGBT：2)断开时的空穴流入的P沟道MOS晶体管(PQ)的栅极电极节点(6)上，设置在IGBT的非导通状态时缓和施加在栅绝缘膜上的电压的电压缓和元件(1)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、AC/DC转换器、PFC电路和电机驱动器-CN201410061193.1有效
发明人：近藤启 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置、交流/直流（AC/DC）转换器、功率因数校正（PFC）电路和电机驱动器，该半导体装置具有绝缘栅双极型晶体管（IGBT），所述绝缘栅双极型晶体管具有第一双极型晶体管（Q1）和第一场效应晶体管（NM1），所述第一双极型晶体管的基极连接所述第一场效应晶体管的漏极；其中，所述半导体装置还具有旁通路径，所述旁通路径的一端连接所述第一双极型晶体管的发射极，所述旁通路径的另一端连接所述第一双极型晶体管的基极，并且，所述绝缘栅双极型晶体管处于导通状态时所述旁通路径的阻抗与所述绝缘栅双极型晶体管处于关断状态时所述旁通路径的阻抗不同。
半导体装置 ac dc 转换器 pfc 电路电机驱动器

[发明专利]一种架线电机车IGBT自动停送电装置-CN201410814249.6有效
发明人：冯高明;李玉东;谭兴国;鲁西坤;奚振武;蔡华 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B60M3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种架线电机车IGBT自动停送电装置，该架线电机车IGBT自动停送电装置包括主机和与主机相连的外接线，主机包括机箱及机箱内部的灯光显示控制电路模块、语音提示控制电路模块、绝缘栅双极型晶体管、功放电路模块、绝缘栅双极型晶体管驱动电路模块、开关电源、单片机、绝缘栅双极型晶体管散热风扇、电力二极管、信号放大电路模块。本发明设置主机和与主机相连的外接线；主机内设置绝缘栅双极型晶体管，可用于机车停车场，控制断电区直流电的接通与关断，实现了电机车在停车场停车时人员安全上下车或作业。
一种架线机车 igbt 自动送电装置

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法-CN201710092140.X在审
发明人：陈万军;刘亚伟;陶宏;刘承芳;刘杰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。其方法包括提供一块相对低电阻率的N型硅片，在N型硅片上方外延形成相对高电阻率的外延层；在形成的外延层上方完成器件的正面制作工序；将硅片减薄至设计厚度；清洗硅片，背面离子注入P型杂质，退火形成P型集电区；该绝缘栅双极型晶体管的制备方法与现有工艺兼容，不需要专有设备，可大大降低成本，相比于传统的非穿通型绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管还具有FS‑IGBT的优点，在相同工作电压下具有更小的漏电流，这将很好的提高IGBT的高温稳定性。
一种绝缘栅双极型晶体管制造方法

[发明专利]一种RC-IGBT的正面结构-CN202211735236.0在审
发明人：郭亚楠;陈宏;刘洋;皮彬彬;刁绅 -专利权人：江苏易矽科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种RC‑IGBT的正面结构，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过在逆导型绝缘栅双极型晶体管中采用假栅结构以及在假栅之间引入了相互交替的NP注入，优化了绝缘栅双极型晶体管的短路能力以及饱和压降与关断损耗折衷性能等器件参数，并且实现了对二极管导通损耗、反向恢复损耗以及绝缘栅双极型晶体管输入电容
一种 rc igbt 正面结构

[实用新型]IGBT模块检测仪-CN201320396822.7有效
发明人：毕俊宝;江国新;掌杰;郭马力 -专利权人：开滦（集团）有限责任公司林南仓矿业分公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种IGBT模块检测仪，属于检测技术领域，其技术方案是，它包括IGBT驱动模块和负载灯泡，所述负载灯泡一端接电源正极，一端经两单元IGBT模块的第二绝缘栅双极型晶体管接电源负极，所述IGBT驱动模块的脉宽调制信号输出端接两单元IGBT模块的第二绝缘栅双极型晶体管的控制极。本实用新型利用负载灯泡模拟绝缘栅双极型晶体管的负载，通过调压试验对IGBT模块进行检测，维修人员通过观察负载灯泡的发光情况不仅可判断IGBT模块的好坏，还可以直观地了解其调压性能。
igbt 模块检测

[发明专利]一种带开关控制单元的IGBT隔离驱动电路及其控制方法-CN201811340663.2在审
发明人：陈果田 -专利权人：成都法姆科技有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种带开关控制单元的IGBT隔离驱动电路及其控制方法，所述电路包括：产生相位互补的波形信号的脉冲驱动单元、二极管整流单元、开关控制单元、驱动电阻、关断电阻、绝缘栅双极型晶体管，所述驱动电阻、关断电阻的输出端均与绝缘栅双极型晶体管的栅极相连，所述绝缘栅双极型晶体管发射极接地。所述开关控制单元输入端与二极管整流单元连接，其输出端与关断电阻的输入端连接，以在脉冲驱动单元停止信号输出时控制绝缘栅双极型晶体管截止。本发明够在传递驱动能量的同时，完成开关信号的传递，通过开关控制单元可以很好地控制IGBT的截止、导通，同时本发明可以适用于低频工况，具有较强的实用性。
开关控制单元绝缘栅双极型晶体管电阻关断隔离驱动电路脉冲驱动单元二极管整流驱动电阻输出端截止发射极接地输入端连接波形信号单元连接开关信号驱动能量停止信号栅极相连输入端传递导通电路输出

[实用新型]一种逆变电源-CN201220602341.2有效
发明人：戴镕冰;温玮华 -专利权人：西安杰瑞达仪器有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本实用新型公开一种逆变电源，包括直流蓄电池、太阳能电池、宽范围电源开关、主板、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、扼流圈和滤波器，其特征在于，所述太阳能电池输出两路直流电，一路直流电和直流蓄电池输出给宽范围电源开关，另一路直流电输出给绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，所述宽范围电源开关将直流电处理后输出给主板，由主板驱动给绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，所述绝缘栅双极型晶体管(IGBT)将直流电输出给扼流圈和滤波器
一种电源

[实用新型]过电流保护装置-CN201220118145.8有效
发明人：刘文士;王晓萍 -专利权人：刘文士
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：它是由绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极分别连通吸收电路RCD的一端和过电压抑电阻R的一端，绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极分别连通吸收电路RCD的另一端和过电压抑制电阻R的另一端，主控制器分别连通绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极、集电极、发射极和温度传感器RT，两只电源线路与电源相连接，绝缘栅双极型晶体管IGBT的集电极、发射极与电器的电路连接，达到过电流保护电器的效果。
电流保护装置

[发明专利]场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法-CN201210250435.2在审
发明人：张硕;芮强;王根毅;邓小社 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种场终止绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）的制备方法，属于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术领域。该制备方法包括以下步骤：提供用于制备场终止绝缘栅双极型晶体管的、并在其背面完成场终止层掺杂的晶片；在所述晶片的背面上形成保护层；对所述晶片的正面完成正面工艺流程；去除所述保护层；以及在所述场终止层上形成背电极该制备方法能防止FS层在正面工艺流程中被局部破坏，从而有利于提高FS-IGBT的性能和成品率。
终止绝缘栅双极型晶体管制备方法

[实用新型]IGBT驱动电路及驱动系统-CN202320088501.4有效
发明人：彭文科;刘珊红;王广;杨磊 -专利权人：国创巨湾（广州）能源科技有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT驱动电路及驱动系统，包括：输入模块、内部处理模块、输出模块和绝缘栅双极型晶体管，输入模块的输入端接入脉冲宽度调制信号，输入模块的输出端与内部处理模块的输入端相接，内部处理模块的输出端与输出模块的输入端相接，输出模块的输出端与绝缘栅双极型晶体管的控制端相接。通过输入模块接入脉冲宽度调制信号，实现绝缘栅双极型晶体管导通或关断时间的改变，通过内部处理模块和输出模块的元器件结构，对接入的供电电压进行缓冲，以此减小绝缘栅双极型晶体管的开关损耗，避免了现有的采用三极管和单一的门极驱动电阻串联组成的驱动电路存在的绝缘栅双极型晶体管的开关损耗过大，造成绝缘栅双极型晶体管损坏的问题。
igbt 驱动电路系统