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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种PN结结深测算方法-CN201210212571.2有效
发明人：卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：a)测量阱区方阻；b)在阱区中形成结型场效应晶体管，改变栅极电压并测量源漏电阻；c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工艺参数计算出PN结结深。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案通过电学测量对PN结结深予以测算，简单易行，可重复性好。
一种 pn 结结深测算方法

[发明专利]压力传感器及制造方法-CN201711385415.5在审
发明人：马清杰;吴多武;许正一 -专利权人：南京方旭智芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：通过在P型半导体材料的周围设置阻隔层的方式可以有效阻止P型半导体的横向扩散，从而使得本发明实施例提供的压力传感器可以在保持PN结结深较深的同时没有较多的横向扩散，实现PN结结深较深的同时，器件面积也较小
阻隔层闭环压力传感器横向扩散衬底结深表面开设制造

[实用新型]压力传感器-CN201721800388.9有效
发明人：马清杰;吴多武;许正一 -专利权人：南京方旭智芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：通过在P型半导体材料的周围设置阻隔层的方式可以有效阻止P型半导体的横向扩散，从而使得本实用新型实施例提供的压力传感器可以在保持PN结结深较深的同时没有较多的横向扩散，实现PN结结深较深的同时，器件面积也较小
阻隔层闭环压力传感器横向扩散本实用新型衬底结深表面开设

[发明专利]一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片-CN201811391720.X有效
发明人：赵志桓;刘伟丽;潘莹月;郭英华;韩怡;王壮壮;杜建都;乔大壮;姜莹 -专利权人：山东农业工程学院
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：其中，一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法，包括：网格化设计横向版图，并设置基区、发射区和键合区相关参数；其中，基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区；根据芯片预设参数性能要求，设计纵向结构，得到集电结结深和发射结结深
一种大功率辐射晶体管芯片设计方法

[发明专利]一种VDMOS的 PN结用染色溶液及其使用方法-CN201310750599.6在审
发明人：宋耀德 -专利权人：苏州同冠微电子有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明配方针对VDMOS的PN结设计出优质的染色溶液配方，染色时既快速又经济，染色是PN结结深清楚、界限清晰，且所有掺杂结构的结深可以在一张图片中获得。
一种 vdmos pn 染色溶液及其使用方法

[发明专利]一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法-CN202111351411.1在审
发明人：何斌;刘世光;祁娇娇;戴永喜;杨刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法，属于半导体技术领域，包括：选取经过离子注入退火成结工艺形成并且已经钝化后的碲镉汞芯片；将碲镉汞芯片离子注入区分成多个区域，去除各区域内的钝化层及钝化层下方的部分离子注入区，形成按预设深度梯度排列的多个接触孔；在各接触孔上生长金属电极；测量不同腐蚀深度下各金属电极的电压电流曲线；当电压电流曲线由肖特基曲线转为线性时，判定对应的PN结结深为所述碲镉汞芯片的有效结深。本发明与碲镉汞原有的芯片制造工艺相同，可以应用于碲镉汞红外探测器的工艺生产过程中，实时监控离子注入后碲镉汞的有效结深。
一种探测碲镉汞芯片 pn 有效方法

[发明专利]一种制备太阳能电池的扩散工艺-CN201710779452.8有效
发明人：刘志强;费正洪;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备太阳能电池的扩散工艺，在不同压力状态下多次扩散，以制备多层PN结结构。通过控制压力的变化进行多次扩散，可以控制掺杂元素的掺杂浓度，制备多层PN结结构，该扩散工艺既可以增加PN结内建电场强度，提高开路电压，多层PN结结构的表层N++区或P++区还可以和正银栅线间形成很好的欧姆接触通过控制压力的方法制备多层PN结结构，可以避免扩散温度过高，从而避免掺杂元素的掺杂量过多、结深过深、硅片损坏等问题，提高太阳能电池的转换效率及质量。
一种制备太阳能电池扩散工艺

[实用新型]一种半导体器件-CN201220497900.8有效
发明人：褚为利;朱阳军;吴振兴;卢烁今;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供的半导体器件通过在不同的光刻步骤下，先后形成主结和场限环，并使主结结深大于场限环结深，从而降低了主结处的峰值电场，同时使主结对氧化层中各类电荷的敏感度下降，最终提高了器件的耐压性。
一种半导体器件

[发明专利]多级超级结结构及其自对准制备方法-CN202210537454.7在审
发明人：盛况;王珩宇;任娜;程浩远;柏松;黄润华;李士颜 -专利权人：浙江大学;中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及多级超级结结构及其自对准制备方法。多级超级结结构包括外延层和多级超级结柱区，多级超级结柱区包括多个单级柱区，多个单级柱区对应多个单级沟槽，多级超级结结构的自对准制备方法包括：生长表面刻蚀掩膜和多次形成沟槽侧壁保护层，并使用所述表面刻蚀掩膜和所述沟槽侧壁保护层进行多次自对准刻蚀本发明提出的多级超级结结构及其自对准制备方法可以实现对超级结沟槽侧壁倾角的调控，通过形成沟槽侧壁保护层然后多级刻蚀的方式，可以有效减小深沟槽刻蚀时由于侧蚀效应带来的影响，使得超级结深沟槽保持相对较高的垂直度
多级超级结构及其对准制备方法

[发明专利]一种TVS二极管PN结结构-CN201710118708.0在审
发明人：吴昊;余晓明 -专利权人：深圳傲威半导体有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种TVS二极管PN结结构，其特征在于，在所述TVS二极管的有源区内、PN结深度方向上设置有空隙，空隙的深度与PN结深度相同，空隙侧面面积大于空隙所减少的有源区底面面积。
一种 tvs 二极管 pn 结构

[发明专利]碲镉汞材料p－n结结深的测量方法-CN03115644.4无效
发明人：张海燕;胡晓宁;叶振华;廖清君;李言谨 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞材料p－n结结深的测量方法，该方法包括样品的腐蚀，导电类型的测量和台阶高度的测量。它是根据p型半导体的温差电动势的方向与n型的相反的原理来判断腐蚀是否到p－n结的位置，然后利用台阶仪测量p－n结的结深。本发明的优点是：无需多次制备电极，测量方法简单，测试结果准确。
碲镉汞材料结结深测量方法

[实用新型]一种TVS二极管PN结结构-CN201720193668.1有效
发明人：吴昊;余晓明 -专利权人：深圳傲威半导体有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TVS二极管PN结结构，其特征在于，在所述TVS二极管的有源区内、PN结深度方向上设置有空隙，空隙的深度与PN结深度相同，空隙侧面面积大于空隙所减少的有源区底面面积。
一种 tvs 二极管 pn 结构

[发明专利]一种减小静态随机存储器漏电流的方法-CN201210047394.7无效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：多晶硅栅和接触孔，其中，首先在所述多晶硅栅两侧的部分有源区上覆盖侧墙，并在所述侧墙外侧的有源区上注入形成重掺杂区域，所述侧墙下侧的有源区上注入形成轻掺杂区域；之后通过增加一层光刻板，进行一次调节轻掺杂结深的离子注入工艺，使得所述轻掺杂区域的结深被加深；然后在所述多晶硅栅、所述侧墙以及所述有源区上覆盖接触孔刻蚀停止层和层间介质；最后再进行接触孔刻蚀，以及钨填充和钨平坦工艺，形成共享接触孔。使用本发明，通过添加附加的注入工艺，调节静态随机存储器的共享接触孔下方有源区中轻掺杂区域的冶金结结深，有效地减少静态随机存储器漏电的现象。
一种减小静态随机存储器漏电方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201410185331.7有效
发明人：张广胜;张森 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，包括衬底、衬底内的埋层区、埋层区上的阱区、阱区上的栅区、位于栅区两侧的源区和漏区、以及超级结结构，源区设于阱区内，漏区设于超级结结构内，栅区包括栅氧层和栅氧层上的栅极，超级结结构包括多个N柱和P柱，N柱和P柱在水平且垂直于源区和漏区连线的方向上交替排列，每个N柱包括上下对接的顶层N区和底层N区，每个P柱包括上下对接的顶层P区和底层P区。本发明将超级结结构的N柱和P柱分解为两次注入形成，每次注入时所需结深只为传统工艺的一半，故可采用较低的注入能量来形成很深的P、N柱，从而提高器件的击穿电压。
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种低漏电低压TVS器件及其制造方法-CN202211207376.0有效
发明人：邹有彪;王全;张荣;倪侠;徐玉豹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：型扩散区N11和N12，位于P型半导体衬底P0上下两侧还开设有N型扩散区N21和N22，N型扩散区N21位于N型扩散区N11的两侧，N型扩散区N22位于N型扩散区N12的两侧，N型扩散区N11和N12的结深比N型扩散区N21和N22的结深深，本发明基于两个并联的PN结，较大面积的PN结击穿电压较高，漏电流较低，决定整个器件击穿电压的PN结面积较小，因而整个器件的漏电流大大降低，同时由于焊接区域的PN结结深较深
一种漏电低压 tvs 器件及其制造方法

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