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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]印刷模板-CN202220884317.6有效
发明人：王玉涛;陈惠斌;胡竣富;郎丰群;奥坎波·丹尼罗·卢西奥;王梦婷 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B41C1/14 文献下载
摘要：整平结构用于提高烧结结构的表面的平整性，缓解烧结结构表面的凹陷程度，从而在芯片、烧结结构和基板进行有压烧结过程中时，使得芯片与烧结结构之间紧密连接，从而保证芯片与烧结结构的连接稳定性，以保证功率模块的可靠性另外，整平结构可以缓解烧结结构表面的凸起程度，避免凸起结构在有压烧结过程中对芯片产生压力过大，从而避免芯片出现裂纹，较好的保证芯片的性能。因此，本申请提供的印刷模板，能够提高烧结结构的表面的平整性，从而保证功率模块的性能。
印刷模板

[发明专利]一种超结半导体器件及其制造方法-CN201510323329.6在审
发明人：朱袁正;李宗清 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种超结半导体器件及其制造方法，其超结结构的单元尺寸为W，其中，超结结构中第一导电类型柱的宽度为W1，超结结构中第二导电类型柱的宽度为W2，W=W1+W2；器件元胞的单元尺寸为W3；超结结构中任一第二导电类型柱与至少一个第二导电类型体区相接触，超结结构的单元尺寸W小于器件元胞的单元尺寸W3，且超结结构中第一导电类型柱的宽度W1不小于第二导电类型柱的宽度W2。本发明可以有效的解决现有漂移区中超结结构单元尺寸缩小与器件元胞间直接的矛盾，可以更进一步降低器件导通电阻，具有更好的开关特性，可以在不增加工艺成本和工艺难度的情况下，显著缩小超结结构单元尺寸。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]塑化剂及塑胶产品-CN202310204873.3在审
发明人：陈伟源;卢子蓉;陈奕伶;邓钧鸿 -专利权人：星欧光学股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C08K5/20 文献下载
摘要：所述塑化剂的分子包含一中心结构、至少二连结结构及至少一支链结构，中心结构包含一苯环衍生物及至少一胺基酸中的至少一者，至少二连结结构分别与中心结构连结，且包含一第一连结结构及一第二连结结构，第一连结结构为一种胺官能基，第二连结结构为一种羧酸官能基，支链结构为具多碳的支链，且支链结构与第一连结结构及第二连结结构中至少一者相连。
塑化剂塑胶产品

[发明专利]塑化剂及塑胶产品-CN202310204869.7在审
发明人：陈伟源;卢子蓉;陈奕伶;邓钧鸿 -专利权人：星欧光学股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C08K5/20 文献下载
摘要：所述塑化剂的分子包含一中心结构、至少二连结结构及至少一支链结构，中心结构包含一苯环衍生物及至少一胺基酸中的至少一者，至少二连结结构分别与中心结构连结，且包含一第一连结结构及一第二连结结构，第一连结结构为一种胺官能基，第二连结结构为一种羧酸官能基，支链结构为具多碳的支链，且支链结构与第一连结结构及第二连结结构中至少一者相连。
塑化剂塑胶产品

[发明专利]塑化剂及塑胶产品-CN202011326626.3有效
发明人：陈伟源;卢子蓉;陈奕伶;邓钧鸿 -专利权人：星欧光学股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C08K5/20 文献下载
摘要：所述塑化剂的分子包含一中心结构、至少二连结结构及至少一支链结构，中心结构包含一苯环衍生物及至少一胺基酸中的至少一者，至少二连结结构分别与中心结构连结，且包含一第一连结结构及一第二连结结构，第一连结结构为一种胺官能基，第二连结结构为一种羧酸官能基，支链结构为具多碳的支链，且支链结构与第一连结结构及第二连结结构中至少一者相连。
塑化剂塑胶产品

[实用新型]光伏电池及光伏组件-CN202021223282.9有效
发明人：孙翔;田野;邓瑞 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L31/056 文献下载
摘要：该光伏电池包括导电内芯、半导体基体、PN结结构和金属反射层；导电内芯设置在半导体基体的内部，PN结结构掺杂在半导体基体的内部或者外表面上；在PN结结构掺杂在半导体基体的内部的情况下，PN结结构和导电内芯接触，金属反射层覆盖在半导体基体的外表面上；在PN结结构掺杂在半导体基体的外表面的情况下，PN结结构和金属反射层接触，金属反射层覆盖在PN结结构的外表面上；金属反射层位于PN结结构的背光侧。
电池组件

[发明专利]一种汽车用易清洁的烟灰盒-CN201910423284.8在审
发明人：赖援海 -专利权人：钱敏伟
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： B60N3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车用易清洁的烟灰盒，其结构包括盖子、联结结构、盒体、烟灰排出结构、放置腔，盒体为空心半柱体且其内部空间为放置腔，盒体顶端内部设有联结结构，联结结构和盒体水平胶接在一起，联结结构和盖子固定连接，盒体外部底端设有烟灰排出结构，烟灰排出结构和联结结构在同一轴线上，本发明通过盒体盖子、联结结构等共同配合，利用人力按压盖子将烟灰和盒体中的气体压向气囊，再旋转气囊，按照气囊的安装与拆卸方法取下气囊，打结扔掉
联结结构烟灰气囊盒体排出结构盖子放置腔汽车用烟灰盒易清洁按压打结盒体顶端盒体盖子盒体外部同一轴线半柱体便利性气体压布巾底端胶接取下擦拭拆卸配合

[发明专利]一阶梯度并联型SQUID电流传感器以及制备方法-CN202210910312.0在审
发明人：徐达;李劲劲;曹文会;王雪深 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：所述第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于所述环路电极。所述第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于所述环路电极。所述第一约瑟夫森结结构和所述第二约瑟夫森结结构间隔设置于所述环路电极，形成SQUID环路。此时，所述SQUID环路中所述第一约瑟夫森结结构和所述第二约瑟夫森结结构之间，形成了并联电感结构，可减小SQUID环路电感，使得SQUID工作时的临界电流范围更广，可以有效抵消外界磁场干扰。
一阶梯度并联 squid 电流传感器以及制备方法

[发明专利]超级结肖特基二极管及其制造方法、电子元件-CN202211424049.0在审
发明人：盛况;程浩远;王珩宇;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：该用于制造超级结肖特基二极管的方法包括：形成预制超级结结构，其中，预制超级结结构包括密铺设置的多个预制超级结元胞；通过对预制超级结结构进行离子注入，形成终端结构和超级结结构，其中，终端结构具有环形形状，并围绕限定出超级结结构的有源区；以及形成金属层，其中，金属层位于有源区，金属层与超级结结构实现肖特基接触。
超级结肖特基二极管及其制造方法电子元件

[发明专利]一种隔离柱超结结构的优化方法-CN202210254061.5有效
发明人：张浩悦;黄海猛;郭新凯;童星豪 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明提供的一种隔离柱超结结构的优化方法，适用于任意应用条件的该类超结结构，且综合考虑了温度的影响，通过一个目标函数和两个约束条件获得所有优化的设计参数，通过相同的优化过程进行不同次数的迭代可以获得不同误差精度的结果本发明优化方法得到隔离柱超结结构比传统超结结构有更低的比导通电阻的设计参数取值范围，并证明低介电系数介质隔离柱超结结构的优越性。
一种隔离柱超结结构优化方法

[发明专利]磁性隧道结装置及制造-CN201080059572.7有效
发明人：李霞;升·H·康;朱晓春 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：在一特定实施例中，揭示一种方法，所述方法包括在底部电极(110，702)上方形成磁性隧道结结构(202)。所述方法还包括在所述磁性隧道结结构上方且邻近于所述磁性隧道结结构形成扩散障壁层(302，402)。所述方法进一步包括回蚀所述扩散障壁层，从而移除所述磁性隧道结结构上方的所述扩散障壁层。所述方法还包括将所述磁性隧道结结构的顶部连接到导电层(604，704)。
磁性隧道装置制造

[发明专利]一种链式扩散工艺及链式扩散设备-CN201810478127.2在审
发明人：袁华斌;符亮;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种链式扩散工艺及链式扩散设备，解决链式扩散后得到的p‑n结表面磷浓度高、结深浅，表面少子复合几率增加、结区漏电严重的问题和硅片基体内存在的杂质容易形成符合中心，体内复合几率增加的问题，在太阳能电池片生产的扩散工序中，使p‑n结表面磷表面浓度降低，结深得到增加，减小表面少子复合和结区漏电情况，并对对硅片基体内杂质进行吸杂，降低体内复合几率。
链式链式扩散设备漏电复合几率扩散工艺少子复合结区体内太阳能电池片扩散硅片基体浓度降低体内杂质硅片减小结深吸杂深浅内存生产

[发明专利]一种肖特基二极管及其制作方法-CN201510350878.2在审
发明人：吉扬永 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：其中，所述阳极区包括金属肖特基接触区，所述保护环区包括外保护环和处于外保护环内部的多个断裂保护带，并且所述断裂保护带的结深比所述外保护环的结深要浅。
一种肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]背照式CMOS影像传感器-CN201210413903.3有效
发明人：余兴;费孝爱 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器，包括：硅基底，形成于所述硅基底中的光电二极管，其中，所述光电二极管的结深为0.2μm～2.5μm。在此，通过将光电二极管的结深设定为0.2μm～2.5μm，实现了背照式CMOS影像传感器对于单色光的获取，避免了对于滤光片的使用，从而提高了光子转换效率、简化了制造工序、降低了制造成本。
背照式 cmos 影像传感器

[发明专利]背照式传感器及其形成方法-CN200710101189.3有效
发明人：许慈轩;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：其中，至少第一、第二阵列区域具有彼此相异的辐射响应特性，例如，该第一阵列区域的结深大于该第二阵列区域的结深，或是该第一阵列区域的掺杂物浓度大于该第二阵列区域的掺杂物浓度。
背照式传感器及其形成方法

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