“结构电容”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9703614个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]电容器及半导体存储器-CN201820984291.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电容器及半导体存储器，包括在衬底上设置绝缘层，绝缘层中设置存储节点接触塞；下电极经由电容支撑结构设置在存储节点接触塞上；电容支撑结构设置在绝缘层上，电容支撑结构中形成电容成型孔；电容支撑结构中形成有显露多个邻近的电容成型孔的电容开孔；下电极的端口显露于电容开孔中；上电极包括上电极填充物，上电极填充物填充在电容成型孔中；下电极显露于电容开孔内的端口高度平齐于电容支撑结构的顶部支撑层的上表面。本实用新型由于对电容支撑结构进行了改进，使得下电极在电容开孔内和电容开孔外的孔壁高度相等，且下电极显露于电容开孔内的端口高度平齐于电容支撑结构的顶部支撑层的上表面，因此增加了电极接触面积。
电容电容支撑结构开孔下电极绝缘层成型孔电极显露电容器半导体存储器本实用新型顶部支撑层填充物上表面平齐存储节点接触电极接触高度相等节点接触设置存储衬底孔壁填充邻近改进

[实用新型]双联可变电容器-CN202220420759.5有效
发明人：郑锐锋;郑秀娜;郑泳斌 -专利权人：佛山市顺德区顺美莱电子实业有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01G5/06 文献下载
摘要：本实用新型电容器技术领域，公开一种双联可变电容器，包括转动轴以及多组第一定电容片、第一动电容片、第二定电容片和第二动电容片；第一定电容片和第一动电容片之间互不接触并构成平板电容结构，第二定电容片和第二动电容片之间互不接触并构成平板电容结构；第一定电容片和第二定电容片分层错开设置，第一动电容片和第二动电容片分层错开设置在转动轴上，第一定电容片和第二定电容片在水平方向上的夹角为180°，第一动电容片和第二动电容片在水平方向上的夹角为180°本实用新型设有两个相对设置的可变电容结构，两可变电容结构在水平方向上的夹角为180°，使两个可变电容结构彼此之间不受干扰，并且各个时刻的电容量相等。
可变电容器

[发明专利]半导体结构参数获取、检测标准的获取及检测方法-CN202110097233.8有效
发明人：刘欣然;王春阳;朱长立 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构参数获取、检测标准的获取及检测方法，其中，半导体结构参数获取方法，包括：获取半导体结构，半导体结构包括衬底，以及位于衬底上的电容支撑结构，电容支撑结构中具有多个电容孔，电容孔在电容支撑结构的厚度方向上贯穿电容支撑结构；去除部分高度的电容支撑结构；获取测试图形，测试图形为剩余电容支撑结构顶部暴露出的图形；在测试图形中，基于预设方向获取预设位置的电容孔之间的间距；本发明实施例旨在提供一种快速且准确监测出产品异常的方法。
半导体结构参数获取检测标准方法

[发明专利]一种高可靠性通孔电容和制作方法-CN202210042821.6有效
发明人：陈婷 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性通孔电容和制作方法，通孔电容包括：衬底；位于衬底上方的电容结构；背面通孔，开设于所述衬底背面，所述背面通孔的向上投影位于非电容结构区域。本发明将原本开在电容结构下方的背面通孔调整至开在电容结构旁边(非电容结构区域)，此种结构极大的提高了电容可靠性：(1)不会因为通孔刻蚀工艺和聚合物清洗工艺等而导致电容失效；(2)不会因为贴片时焊料扩散而导致电容失效；(3)原本被背面通孔占据的面积现在被有效利用起来，极大增加了电容面积，节约成本。形成的通孔电容具有电容密度高、散热性好、可靠性高、寄生电感小等特性。
一种可靠性电容制作方法

[实用新型]一种汽车电动窗马达壳体结构及汽车电动窗马达-CN202122874299.1有效
发明人：江斌 -专利权人：宁波精成电机有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H02K5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种汽车电动窗马达壳体结构及汽车电动窗马达，所述壳体结构包括壳体和薄膜电容，壳体上设有电容卡口，电容卡口内设有限位结构，限位结构与壳体一体成型，限位结构为弹性件；薄膜电容设置于电容卡口内，并与限位结构卡接在一起，从而固定在电容卡口内；或者，薄膜电容受限位结构限制于电容卡口内；本实用新型提供的汽车电动窗马达壳体结构及汽车电动窗马达，通过在壳体的电容卡口内设有限位结构，该限位结构能够将薄膜电容卡紧或限制在壳体的卡口内，从而达到固定和限位的作用，使得电容的安装效率更高，且不易掉落，该结构简单、不需要增加成本，能够有效确保马达壳体结构的稳定性。
一种汽车电动窗马达壳体结构

[实用新型]一种电容笔-CN201922228114.2有效
发明人：王洪兵;杨巍;李小聪;杨淦辉 -专利权人：珠海博杰电子股份有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G06F3/0354 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电容笔，包括电容笔头、第一电容笔固定块、第二电容笔固定块，所述电容笔头为柔性柱体，且所述电容笔头顶部设有开口，并套于所述第一电容笔固定块的下端，所述第二电容笔固定块为套筒结构，所述第二电容笔固定块套于第一电容笔固定块外，所述电容笔头顶部固定在第一电容笔固定块、第二电容笔固定块之间。电容笔虽结构简单，但装配复杂，在生产时需要人工对笔头进行定位，并利用卡钳等结构对笔头进行固定，导致装配复杂，效率低下。本实用新型只具有电容笔头、第一电容笔固定块、第二电容笔固定块三部分，结构简单，易于装配，生产快捷。
一种电容

[实用新型]一种低噪声电容-CN201720096777.1有效
发明人：吴伟浩 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01G2/02 文献下载
摘要：本实用新型适用于电子元器件技术领域，提供了一种低噪声电容，包括电容本体、金属垫片以及阻尼结构，金属垫片粘结在电容本体的底面，阻尼结构粘结在电容本体的底面，并且，阻尼结构的底面与金属垫片的底面平齐。本实用新型的低噪声电容，其底面粘结有阻尼结构，该阻尼结构可以缓冲以及消耗电容本体的振动，以减轻电容振动引起的板级振动，有利于降低噪声以及防止电容断裂；此外，该阻尼结构可以缓冲外界对电容的冲击力，增强了电容的可靠性
一种噪声电容

[发明专利]电容器结构和使用该电容器结构的电容器-CN201480072613.4有效
发明人：周波;刘坤;陈俊友;季扬 -专利权人：瑞典爱立信有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种电容器结构。电容器结构包括：第一多个金属极板(P31，P33，P35；P51，P53，P55；P61，P63，P65)，被垂直布置，其中它们的表面相互平行；第二多个金属极板(P32，P34，P36；P52，P54，
电容器结构使用

[发明专利]一种SOI工艺中MOS电容测试结构及其实现方法-CN201811217612.0有效
发明人：范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI工艺中MOS电容测试结构及其实现方法，所述结构包括：多个MOS电容，各MOS电容用于模拟用户设计的MOS电容；伪MOS电容，用于测量栅极焊盘到其他焊盘的寄生电容，以利用同一个伪MOS电容结构去除所有MOS电容的寄生电容，通过本发明，可在减小占用wafer面积的同时保持测量MOS电容的精确度。
一种 soi 工艺 mos 电容测试结构及其实现方法

[实用新型]一种新能源车用逆变器电容冷却散热装置-CN201920160838.5有效
发明人：于海芳 -专利权人：滨州学院
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及逆变器电容应用领域，特别涉及一种新能源车用逆变器电容冷却散热装置。包括电容结构装置和固定在电容结构装置下部的冷却散热装置；所述电容结构装置包括电容壳体，电容壳体内固定有若干电容，电容与电容壳体内壁之间填充有树脂层；所述电容分别连接有功率铜排正极和功率铜排负极，功率铜排正极和功率铜排负极重合面间设有用于绝缘的绝缘垫片；所述电容结构装置与冷却散热装置之间固定有绝缘导热垫片；所述电容冷却散热结构包括冷却底座、冷却输入、冷却输出、冷却器上盖、螺栓a、螺栓b和绝缘导热片。本实用新型实现电容低成本、高紧凑、高散热，满足车用高功率密度需求。
一种新能源逆变器电容冷却散热装置

[发明专利]互补后端制程(BEOL)电容器-CN201480008965.3有效
发明人： J·J·朱;B·杨;P·齐达姆巴兰姆;L·葛;J·舒 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：互补后端制程(BEOL)电容器(CBC)结构包括金属氧化物金属(MOM)电容器结构。该MOM电容器结构被耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层。该MOM电容器结构包括该互连堆叠的至少一个下互连层。该CBC结构还可包括该互连堆叠中的耦合到该MOM电容器结构的第二上互连层。该CBC结构还包括处在第一上互连层与第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。此外，CBC结构还可包括耦合到该MOM电容器结构的MIM电容器结构。该MIM电容器结构包括具有第一上互连层的一部分的第一电容器极板和具有(诸)MIM电容器层的一部分的第二电容器极板。
互补后端 beol 电容器

[发明专利]全局曝光像素单元、电容结构及制备方法-CN201610109828.X有效
发明人：顾学强;范春晖;奚鹏程 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种全局曝光像素单元、电容结构及制备方法，通过在纵向上形成第一电容结构、第二电容结构和第三电容结构，将这三个电容结构采用并联的方式连接在一起，从而在不增加全局曝光像素单元的电容结构的面积的基础上，增加了电容结构的存储电容值，降低了读出噪声，同时，不影响整个全局曝光像素单元的光电二极管感光区域的面积，提高了器件的性能。
全局曝光像素单元电容结构制备方法

[发明专利]一种转接板结构及其形成方法-CN202310083152.1在审
发明人：殷翔 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种转接板结构，包括两个键合的第一转接板，其中第一转接板包括：衬底；多个互连的沟槽电容结构，其位于衬底的正面，其中沟槽电容结构包括：位于衬底的正面的多个沟槽；电容下电极，其覆盖沟槽的内壁；电容介质，其位于电容下电极背离沟槽内壁的一侧表面；电容上电极，其位于电容介质背离电容下电极的一侧表面；电感，其位于衬底的背面，并与沟槽电容结构电连接。将电容集成在转接板的内部，将电感集成在转接板的表面，大大减小了两种器件所占空间，且电感和沟槽电容结构之间距离较远，隔离度高，降低了二者之间的干扰，降低了介质损耗，提升了电感Q值；且使用沟槽电容结构，提高了电容密度，可以有效提升电容值。
一种转接板结及其形成方法

[发明专利]一种验证电容失配测试结果的系统及方法-CN202110170193.5在审
发明人：范象泉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种验证电容失配测试结果的系统及方法，所述系统包括：若干组实际电容和若干组冗余模拟电容，各组实际电容包括第一叉指结构(10)、第二叉指结构(20)及金属线，用于形成所需测量的电容；各组冗余模拟电容包括第三叉指结构(100)、第四叉指结构(200)及金属线，用于形成所需测量的电容对应的测试结构的连线以及测试系统的寄生电容，所述冗余模拟电容的金属线与其对应的叉指结构在相连处断开。
一种验证电容失配测试结果系统方法

[发明专利]一种桨叶及压电电容式水力发电防洪堤-CN201911422803.5有效
发明人：范吉军;曹力;王立宗;余南辉;叶焕 -专利权人：武汉轻工大学;中国船舶重工集团公司第七一六研究所
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明提供一种桨叶及压电电容式水力发电防洪堤，包括压力发电装置，所述压力发电装置包括安装架座以及多个压电电容结构，所述安装架座用于设于河床或者海床，所述安装架座上形成有背向河岸或者海岸的安装面；每一所述压电电容结构包括设于所述安装面的电容结构，以及安装至所述安装面的压电换能片，所述压电换能片与所述电容结构电连接，所述电容结构内形成一电容腔，所述电容腔的大小可调；其中，所述压电换能片将河浪或者海浪拍打的动能转化成电能储存于所述电容结构内，所述电容结构在河浪或者海浪的拍打的作用下，改变所述电容腔的大小，用以输出储存于所述电容结构内的电能。
一种桨叶压电电容水力发电防洪堤