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[发明专利]用于多模滤波器的电路和方法-CN201810770825.X有效
发明人：奥梅罗·吉马雷斯;马修·理查德·米勒 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：实施例提供的集成电路，包括可变电容器。该可变电容器包括：第一电容元件，其中，所述第一电容元件包括金属氧化物半导体结构的第一电容器；与所述第一电容元件并联的第二电容元件，其中，所述第二电容元件包括金属氧化物半导体结构的第二电容器；与所述第一电容元件和所述第二电容元件并联的第三电容元件，其中，所述第三电容元件包括金属绝缘体金属结构的第三电容器；以及与所述第一电容元件、所述第二电容元件和所述第三电容元件并联的第四电容元件，其中，所述第四电容元件包括金属绝缘体金属结构的第四电容器。
用于滤波器电路方法

[发明专利]一种电容固定安装结构-CN201510271417.6在审
发明人：唐子倩;蔡建忠 -专利权人：浙江海得新能源有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01G2/02 文献下载
摘要：一种电容固定安装结构，所述的安装结构包括，电容、卡片、卡片支撑板、卡片固定螺钉，所述的电容的顶部通过卡片与卡片支撑板连接固定。所述的固定安装结构还包括电容底部支撑板、电容自带锯齿垫片、电容自带螺母，所述的电容的底部通过电容底部支撑板、电容自带锯齿垫片、电容自带螺母固定。通过电容安装结构技术方案，可使电容得到可靠安装，解决其抗震性能，弥补电容自身的固定缺陷；使电容高器件密度的实现，电容成组模块化；使电容拆装方便，直接用特制卡片可靠压紧，且一个卡片可以最多一次压紧3个电容
一种电容固定安装结构

[实用新型]一种电容固定安装结构-CN201520343214.9有效
发明人：唐子倩;陈朝锋 -专利权人：浙江海得新能源有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01G2/02 文献下载
摘要：一种电容固定安装结构，所述的安装结构包括，电容、卡片、卡片支撑板、卡片固定螺钉，所述的电容的顶部通过卡片与卡片支撑板连接固定。所述的固定安装结构还包括电容底部支撑板、电容自带锯齿垫片、电容自带螺母，所述的电容的底部通过电容底部支撑板、电容自带锯齿垫片、电容自带螺母固定。通过电容安装结构技术方案，可使电容得到可靠安装，解决其抗震性能，弥补电容自身的固定缺陷；使电容高器件密度的实现，电容成组模块化；使电容拆装方便，直接用特制卡片可靠压紧，且一个卡片可以最多一次压紧3个电容
一种电容固定安装结构

[发明专利]隔离电容的制备方法、隔离电容及封装结构-CN202210853067.4在审
发明人：吴与伦 -专利权人：上海兴工微电子有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种隔离电容的制备方法、隔离电容及封装结构。所述隔离电容包括：基底，包括分立的第一基岛和第二基岛；彼此独立的第一电容下极板及第二电容下极板，分别位于所述第一基岛和第二基岛上；绝缘结构，设置在所述第一电容下极板与所述第二电容下极板之间，所述绝缘结构表面高于所述第一电容下极板及所述第二电容下极板的表面；第一电容介质层和第二电容介质层，分别位于所述第一、第二电容下极板表面，且分别设置在所述绝缘结构两侧；电容上极板，设置在所述绝缘结构表面、所述第一电容介质层表面及所述第二电容介质层表面。本发明通过提供一种隔离电容的制备方法、隔离电容及封装结构，提高了隔离电容的隔离度。
隔离电容制备方法封装结构

[实用新型]电子电路-CN202020779262.3有效
发明人： S·尼古拉斯;D·基奥特;S·拉梅特;R·韦尔克 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H03M1/34 文献下载
摘要：一种电子电路包括连接到一个或多个节点的电容结构，其中电容结构中的每个电容结构由一个电容器或并联电连接的多个电容器形成。该电子电路进一步包括各自连接到一个或多个节点的附加电容器。针对电容器之间的至少一个距离，电容结构具有相同的平均值，该相同的平均值针对每个电容结构的每个电容器，通过连接到一个或多个节点并且位于与电容结构的电容器相距一距离处的电路的电容器的数目而被限定。本公开的实施例提供比已知加权电容电容器更小的体积和/或更准确的电容值的电路。
电子电路

[发明专利]电容结构及其制作方法-CN202011105560.5在审
发明人：盛超军;陆勇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请提供一种电容结构及其制作方法。该电容结构包括：衬底、第一电容接触层、下电极层、电容介质层和上电极层，其中，第一电容接触层阵列排布于衬底上，下电极层围绕第一电容接触层侧壁，并沿第一电容接触层背离衬底的方向延伸，电容介质层覆盖衬底上表面、下电极层表面及第一电容接触层上表面，上电极层覆盖电容介质层表面。本申请提供的电容结构及其制作方法，增加了环绕第一电容接触层侧壁的电容面积，从而增大了电容的面积，降低了双面电容结构的阻值。
电容结构及其制作方法

[发明专利]电容器结构及其制作方法、存储器-CN202010497954.3有效
发明人：余崟魁;洪海涵 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容器结构及其制作方法、存储器。其中方法包括：于基底上形成第一电容结构，第一电容结构包括：第一电容介质层、第一上电极以及多个间隔排布的呈柱状结构的第一下电极；第一电容介质层至少覆盖第一下电极的侧壁，第一上电极填充所述第一电容介质层外侧的间隙；于第一电容结构上形成第二电容结构，所述第二电容结构包括第二电容介质层、第二上电极以及多个间隔排布的第二下电极；第二下电极为U型结构，且其底部与第一下电极的顶部相接触，第二电容介质层至少位于第二下电极的表面，第二上电极位于第二电容介质层的表面，且填充所述第二电容介质层外侧的间隙。通过形成叠层的第一电容结构和第二电容结构可有效增大介质层的表面积。
电容器结构及其制作方法存储器

[发明专利]集成电路（IC）、FinFET MOS电容器及其形成方法-CN202110412889.4在审
发明人：杨松鑫;郑宗期;萧茹雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的各种实施例针对一种FinFETMOS电容器。在一些实施例中，FinFETMOS电容器包括衬底和从衬底的上表面向上延伸的电容器鳍结构。电容器鳍结构包括通过伪沟道区域分开的成对的伪源极/漏极区域和跨在电容器鳍结构上的电容器栅极结构。电容器栅极结构通过电容器栅极电介质与电容器鳍结构分开。本申请的实施例提供了集成电路(IC)、FinFETMOS电容器及其形成方法。
集成电路 ic finfet mos 电容器及其形成方法

[实用新型]电容固定架及电容固定结构-CN201720551322.4有效
发明人：曹庭学;代文杰;张煜胜;谭亚平;倪辉辉;叶志 -专利权人： TCL空调器（中山）有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01G2/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电容固定架及电容固定结构，该电容固定架包括成对设置的两个架体，两个架体间隔设置并围成第一限位腔，第一限位腔用于收容电容，两个架体用于将电容固定于电路板，其中一架体于沿第一限位腔轴向的外侧设有限位结构，限位结构用于适配并限位电容的端子，以限制电容沿轴向的转动。该电容固定结构，包括电路板以及如上所述的电容固定架，电容固定架设置在电路板。安装时，将电容收容于第一限位腔内，并将电容的端子与限位结构相适配，使限位结构可以对电容的端子进行限位，确保电容不能沿轴向转动，结构简单，安装方便，解决了现有技术中的问题；通过单个电容固定架即可实现对电容的限定
电容固定结构

[发明专利]电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法-CN202310502553.6在审
发明人：邹道华;高谷信一郎;刘昱玮;朱晓洁 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中电容结构包括：第一电容金属层；第一电容钝化层，覆盖第一电容金属层；第二电容金属层，位于第一电容钝化层上；第二电容钝化层，覆盖第二电容金属层；第三电容金属层，位于第二电容钝化层上；第一电容介质层，位于第三电容金属层上，第一电容介质层具有若干第一通孔，若干第一通孔暴露出第三电容金属层的部分表面，第一通孔侧壁倾斜；位于第一电容介质层上的第四电容金属层利用第一通孔倾斜的侧壁能够将打线时施加的一部分压力进行反弹，进而减小压力对电容金属层的冲击，减小对电容结构造成的损伤。另外将电容结构制作在打线区域上，可以有效降低芯片的尺寸。
电容结构及其形成方法半导体

[发明专利]电容支撑结构、电容器结构及其制作方法-CN200810041708.6无效
发明人：彭坤;韩启成;陈晓军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种电容支撑结构、电容器结构及其制作方法，用于解决传统DRAM存储单元电容器电容极板易倒塌问题。该电容支撑结构包括依次位于层间绝缘层上的第一阻挡层，中间介质层和第二阻挡层；贯通所述第二阻挡层，中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽，该电容沟槽内用于形成电容器。电容器极板位于电容沟槽侧壁和底部，且高于电容沟槽表面。该电容支撑结构握住电容沟槽中的电容器极板，对电容器极板可起到支撑作用，从而可有效解决传统电容器极板在去除模具层后，电容器极板易倒塌的问题。
电容支撑结构电容器及其制作方法

[发明专利]电容失配检测电路、方法和检测设备-CN202211122248.6在审
发明人：董显山;黄鑫龙;周斌;黄钦文;苏伟;黄一雄;路国光;黄云 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01P21/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种电容失配检测电路、方法和检测设备。所述电容失配检测电路与加速度计的差分电容结构连接，电容失配检测电路包括输入电路和控制器；输入电路分别与差分电容结构的上极板和差分电容结构的下极板连接，控制器的输出端与输入电路连接，控制器的输入端与差分电容结构的中间极板连接；输入电路，用于获取输入信号，并根据输入信号在差分电容结构的上下极板施加电压；控制器，用于获取差分电容结构的中间极板的输出信号，并在输出信号符合预设条件的情况下，根据输入信号确定差分电容结构的电容失配量化值采用电容失配检测电路能够实现对电容式MEMS加速度计的本征电容失配值进行检测。
电容失配检测电路方法设备

[发明专利]非接触式电压测量装置和电压测量方法-CN202310238224.5在审
发明人：杨乐;龙威;张文斌 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：该非接触式电压测量装置，用于当待测导线通电时，测量待测导线的感应电压，所述装置包括：耦合电容、结构耦合电容、结构电容和信号处理单元，其中耦合电容是通过待测导线周边形成的电场耦合得到，耦合电容、结构耦合电容和结构电容之间通过串联连接以对感应电压进行分压；信号处理单元连接在结构电容的两端，用于获取结构电容的两端的待测电压，并根据待测电压和增益变化比确定感应电压的电压值，其中增益变化比是根据耦合电容、结构耦合电容和结构电容各自的电容值计算得到。
接触电压测量装置测量方法

[实用新型]具有混合型DAC电容阵列结构的SAR ADC-CN201520075639.6有效
发明人：李龙;吴高林;王国兴;杨雁;伏进;王谦;孟晓旭;籍勇亮;李勇;耿文良 -专利权人：国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网公司;上海交通大学
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H03M1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有混合型DAC电容阵列结构的SAR ADC，包括比较器和混合型DAC电容阵列结构；混合型DAC电容阵列结构包括：n个C2C电容阵列单元、m个二进制电容阵列单元、以及一个冗余电容，所述混合型DAC电容阵列结构的输出端与比较器的输入端相连接；本实用新型具有混合型DAC电容阵列结构的SAR ADC，其混合型DAC电容阵列结构将C2C电容阵列单元和二进制电容阵列单元相结合，从而兼有了二进制权重电容阵列结构(CBW)精度高、带衰减电容阵列结构(BWA)功耗低的优点，从而使SAR ADC能更好的满足各种模拟电子设备对低功耗、高精度的需求。
具有混合 dac 电容阵列结构 sar adc

[实用新型]一种电容器成套装置-CN202223421030.9有效
发明人：胡瑞江;杨威芳 -专利权人：台州经纬电力工程设计有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02J3/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及输电设备技术领域，具体提供了一种电容器成套装置，所述成套装置包括框架；所述框架中设置有上下层并列分布的第一电容器结构和第二电容器结构；所述第一电容器结构包括第一电抗器、第一电容器组、第二电容器组；所述第二电容器结构包括第二电抗器、第三电抗器、第三电容器组、第四电容器组；所述第一电容器结构和第二电容器结构的输出端上并联有限压型电容保护器，用于限制电压从而形成高压防护；上下层并列分布设计的电容器结构能够紧凑结构，减少占地面积；并联设置的电容器组能够提高电压质量和设备利用率；限压型电容保护器的设置能够提高输电的安全性；绝缘子串的设置能够绝缘接线；整体设计合理，结构紧凑，实用性高。
一种电容器成套装置