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[实用新型]电容安装结构-CN201520247459.1有效
发明人：郑升烊;刘俊佗;苏艺勇;郑淑瑞;吴育泉 -专利权人：漳州科华技术有限责任公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01G2/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容安装结构，包括一基座、一定位结构、一调节结构、金属夹具及一支撑座；定位结构安装于基座顶部；调节结构安装于基座中部的安装槽；支撑座设置于基座的底部；调节结构中间有一圆形通孔；圆形通孔周围设有多个定位销孔；金属夹具包括多个安装脚，安装脚上设有安装孔；安装孔与调节结构上的定位销孔相对；定位结构包括第一定位板、第一调节板及连接角铁；连接角铁的一侧栓接于基座顶部，第一调节板一端与连接角铁的另一侧铰接，第一定位板安装于第一调节板上方该装置能够实现极性安装无错误的效果，实现两极与电容夹具安装脚的角度定位，减少电容安装时的返工，提升防呆效果，节约成本。
电容安装结构

[实用新型]电容改良结构-CN201420371567.5有效
发明人：李坤利 -专利权人：李坤利
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01G2/10 文献下载
摘要：本实用新型有关一种电容改良结构，包含电容器与悬空筒架，该结构藉由悬空筒架的容室两侧的开口分别组装有一架空板，使电容器的主体的二引线可由二架空板的通孔伸出，且让主体在容室中呈一悬空型态，避免主体与壳筒相互抵触而造成电容器效能下降的情形，并且该容室为真空的封闭型态，让电容器不易受温度及湿度影响，藉之，该结构可有效达到降低电容器的诱电率及避免电容器受湿度的影响而产生变质的情形，继以诚为一相当符合其进步性的产品。
电容改良结构

[实用新型]电容屏结构-CN201720486622.9有效
发明人：范金智 -专利权人：华显光电技术（惠州）有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：一种电容屏结构，该电容屏结构包括电容屏功能层、玻璃基板以及容值测试图案组，所述电容屏功能层印设于所述玻璃基板的表面，所述容值测试图案组印设于所述玻璃基板表面的空白区域；所述容值测试图案组包括若干条ITO上述电容屏结构，可简单利用显微镜或摄像头测量计算剩余ITO数量便知道ITO过蚀刻情况，达到区分不同容值的玻璃，可以分配给不同项目或调试不同软件，达到产品一致性效果。
电容结构

[实用新型]电容封装结构-CN201020535000.9有效
发明人：锺宇鹏;陈恩明;邱承贤 -专利权人：智威科技股份有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01G2/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电容封装结构，其包括：一基板单元、一绝缘单元及一电容单元。基板单元具有至少一顶层基板及至少一底层基板。绝缘单元具有至少一填充于上述至少一顶层基板及上述至少一底层基板之间的绝缘层。电容单元具有至少一电性地设置于上述至少一顶层基板与上述至少一底层基板之间且被上述至少一绝缘层所包覆的电容元件。本实用新型针对电容器提供快速且有效的封装方式。
电容封装结构

[实用新型]电容阵列结构-CN201821146818.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电容阵列结构，包括：于半导体衬底上形成叠层结构；刻蚀叠层结构形成电容孔；刻蚀叠层结构使得叠层结构具有垂直于半导体衬底的平坦外侧壁；形成下电极层、阵列边界层及具有多个开口的第三掩膜层；基于开口去除叠层结构中的牺牲层；形成电容介质层、上电极层及导电填充层，导电填充层具有垂直于半导体衬底平坦的外侧壁；去除电容阵列所在区域外围的导电材料。本实用新型通过阵列边界层的设置，使电容阵列的边缘具有垂直于半导体衬底的平坦表面，提高电容阵列外围绝缘材料层的沉积质量，避免绝缘材料层中出现缝隙，进而避免电容阵列与导电栓塞的短路以及导电栓塞之间的短路，以此提高半导体器件的良率
电容阵列叠层结构衬底半导体本实用新型导电填充层绝缘材料层导电栓塞阵列边界垂直外侧壁短路刻蚀去除开口平坦外围半导体器件电容介质层导电材料平坦表面所在区域下电极层电容电极层牺牲层掩膜层良率沉积

[实用新型]电容安装结构-CN201720145663.1有效
发明人：曾华全;陈勇智 -专利权人：遵义市大地和电气有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01G2/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电容安装结构，所述电容安装结构包括电容，所述电容的底部设置有至少两个安装脚，所述安装脚与机箱连接。本实用新型提供的电容安装结构，通过在所述电容的底部设置有至少两个安装脚，所述安装脚与机箱连接，相对于现有技术既能节约机箱内部空间，又能够防止电容变形，从而提高电容的安装可靠性和使用寿命。
电容安装结构

[实用新型]电容切换结构-CN202022429093.3有效
发明人：朱伟光 -专利权人：无锡同轩科技有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H05B6/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电容切换结构，属于感应加热的技术领域，旨在提供一种切换电容器方便的电容切换结构，其技术方案要点是包括闸刀组件、设置在主回路上的主回路触片和设置在电容器上的电容器触片，所述主回路触片位于电容器触片上方，其特征在于：所述闸刀组件底端与电容器触片转动连接，所述主回路触片朝向闸刀组件一侧设有卡接槽，所述闸刀组件包括两块竖直设置的金属切换刀片。当需要切换不同大小的电容时，只需通过转动闸刀组件，使得卡接轴与主回路触片接触或脱离，这样就可以实现电容器切入或切出主回路，不需要以往的拆装螺栓，结构简单，操作方便，极大地提高了工作效率。
电容切换结构

[实用新型]电容测试结构-CN202023278550.X有效
发明人：周山;王丽雅;俞佩佩 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电容测试结构，包括：固定测试电阻，与待测电容第二端连接；至少一个待接入测试电阻，与固定测试电阻串联；至少一个测试保险丝，与待接入测试电阻并联；至少两个焊盘，分别与测试保险丝两端连接；NMOS管，与所述测试电路并联，所述NMOS管的栅极还与待测电容的第二端连接；限流保险丝，与并联后的所述NMOS管和所述测试电路串联，并且接地；以及，限流电阻，连接电源和所述NMOS管；向焊盘施加电流，在不改变版图设计的情况下，可以变换为多种漏电阈值电流的测试结构，从而对多种不同缺陷或不同类型的待测电容进行失效分析。这样可以节省芯片划片道面积，在测试上也更加灵活。
电容测试结构

[实用新型]陶瓷电容结构-CN201020112689.4无效
发明人：邱佳韵 -专利权人：邱佳韵
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：本实用新型为一种陶瓷电容结构，包含一陶瓷本体、至少一真空金属镀膜层以及至少一接脚。陶瓷本体具有相对设置的第一表面及第二表面。真空金属镀膜层设置于第一表面或第二表面上。
陶瓷电容结构

[实用新型]电容插接结构-CN96241224.4无效
发明人：梁淑芬 -专利权人：梁淑芬
申请日： 1996-10-30 - 公布日： 1998-05-06 - 主分类号： H05K3/30 文献下载
摘要：一种电容插接结构,包括有电容和电路基板,其特征在于电容的正负极接脚为不同大小的外径,电路基板的插接孔相对于电容接脚的大小不同的外径所确定的极性设为大小不同的孔径,电容大小不同的正负极接脚插嵌入电路基板上孔径相对应的插接孔内
电容插接结构

[实用新型]沟槽电容结构-CN200620112575.3无效
发明人：林永昌;简山杰;郭建利;李瑞池 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-04-24 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种沟槽电容结构，包括一半导体基底；一电容深沟槽，形成于该半导体基底中；一领氧化层，设于该电容深沟槽的内壁上，其中该领氧化层于该电容深沟槽底部具有一开口，暴露出该电容深沟槽底部；一第一掺杂多晶硅层，设于该领氧化层及该电容深沟槽底部上；一电容介电层，设于该第一掺杂多晶硅层上；一第二掺杂多晶硅层，设于该电容介电层上，且该第二掺杂多晶硅层填满该电容深沟槽；一深离子井，通过该电容深沟槽底部与该第一掺杂多晶硅层电连接；及一栅极绝缘层，设于该第二掺杂多晶硅层及该浅沟绝缘结构上
沟槽电容结构

[发明专利]一种MIM电容结构及其制备方法-CN201910246194.6在审
发明人：高学 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种MIM电容结构及其制备方法，所述MIM电容结构在不增加MIM电容结构中的第一电容结构占用芯片面积的同时，可以通过在第一电容结构的纵向上增加第二电容结构，使得MIM电容结构的电容容量包括第一电容结构的电容容量和第二电容结构的电容容量之和，其满足了芯片对于电容的需求，提高了芯片对于设计面积的利用率。
电容结构电容容量芯片制备电容占用

[发明专利]半导体测试结构及其制备方法-CN202110753566.1在审
发明人：王路广 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体测试结构的制备方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括基底及位于基底正面上的电容阵列结构，电容阵列结构包括多个呈阵列排布的电容器，各电容器的下电极通过电容接触结构与基底相连接，各电容器的上电极共用同一个电容极板，电容极板延伸至电容阵列结构一侧下部；对半导体结构进行背面减薄，直至露出电容接触结构；自所得结构的底部对电容阵列结构的边缘区域进行刻蚀，直至露出电容极板；于暴露出的电容极板的底部形成第一测试焊盘。上述半导体测试结构的制备方法，通过将电容阵列结构底部的基底进行去除，以露出电容接触结构，并在电容极板的底部形成焊盘，使得纳米探针技术可以应用于DRAM电容结构的电容值测量。
半导体测试结构及其制备方法

[发明专利]总线、光伏系统-CN202111658034.6在审
发明人：叶志坚;潘世高;黄敏;关启仕 -专利权人：航天柏克（广东）科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H02S40/30 文献下载
摘要：总线包括多个电容结构，所述电容结构包括电容和耗能单元，耗能单元连接至电容以降低电容的电压至电容的耐压值以下，所述多个电容结构串联连接。本技术方案所述的电容结构包括了电容和耗能单元，由于存在耗能单元，电容的能量会被消耗掉，电容两端的电压会因此降至电容的耐压值以下。在电容结构串联拟合成为高压电容时，不会因此导致某个电容结构的电容超过其自身的耐压值进而烧毁。总线可以解决多个低电压电容串联时出现的电容烧毁问题，安全性更高。
总线系统

[发明专利]半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器-CN202211477231.2在审
发明人：黄猛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，该方法包括：提供衬底，衬底中形成有至少一个电容柱，且至少一个电容柱贯穿至少一个电容支撑结构；于电容柱和电容支撑结构的表面形成导电层；对电容支撑结构和导电层进行热处理，在电容支撑结构的表面形成电容隔离结构，电容隔离结构用于绝缘隔离至少一个电容柱。这样，通过热处理在电容支撑结构的表面形成电容隔离结构，阻断导电层对电容柱的连接，实现对电容柱的绝缘隔离，本方案不仅工艺过程简单，而且成本较低。
半导体结构制备方法存储器