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[发明专利]异质结太阳能电池及其制作方法-CN201210529407.4有效
发明人：杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯;濮庆 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种异质结太阳能电池及其制作方法，所述异质结太阳能电池的制作方法包括：提供基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片；在所述基片表面形成第一应力层，并进行退火处理，所述第一应力层的应力类型与基片的掺杂类型相对应；去除所述第一应力层；在所述基片上表面形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层表面形成第二应力层，并进行退火处理；去除所述第二应力层；在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成透明导电层；在所述透明导电层表面形成第一电极；在所述基片下表面形成第二电极。所述异质结太阳能电池的制作方法能够提高异质结太阳能电池中载流子的迁移率，提高异质结太阳能电池的转换效率。
异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制作方法-CN201210529859.2有效
发明人：杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯;濮庆 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种异质结太阳能电池及其制作方法，所述异质结太阳能电池的制作方法包括：提供基片，提供基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片；在所述基片表面形成第一应力层，并进行退火处理，所述第一应力层的应力类型与基片的掺杂类型相对应；去除所述第一应力层；在所述基片表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成透明导电层；在所述透明导电层表面形成第一电极；在所述基片下表面形成第二电极。所述异质结太阳能电池的制作方法能够提高异质结太阳能电池的载流子迁移率，提高所述异质结太阳能电池的转换效率。
异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法-CN201210529317.5有效
发明人：杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法包括：提供基板；在所述基板的表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面形成第一掺杂类型非晶硅层；在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成第一应力层，并进行退火处理，所述第一应力层的应力类型与第一掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；去除所述第一应力层；在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成第二电极层。所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，能够提高非晶硅薄膜太阳能电池的效率。
非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法

[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法-CN201210531450.4有效
发明人：杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法包括：提供基板；在所述基板上表面形成SiGe虚拟衬底；在所述SiGe虚拟衬底表面形成第一掺杂类型微晶硅层，所述第一掺杂类型微晶硅层受到应力作用；在所述第一掺杂类型微晶硅层表面形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成抗反射层；在所述抗反射层表面形成第一电极，在所述基板下表面形成第二电极。所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法能够提高非晶硅薄膜太阳能电池的效率。
非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制作方法-CN201210529426.7有效
发明人：杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯;濮庆 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种异质结太阳能电池及其制作方法，所述异质结太阳能电池的制作方法包括：提供基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片；在所述基片表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成透明导电层；在所述透明导电层表面形成应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；在所述应力层表面形成第一电极；在所述基片的下表面形成第二电极。所述异质结太阳能电池的制作方法能够有效提高太阳能电池的载流子迁移率，提高太阳能电池的转换效率。
异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种氧氮氧多晶硅层间介质湿法刻蚀方法-CN201010022521.9有效
发明人： 韩启成;詹奕鹏;彭坤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-01-04 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧氮氧多晶硅层间介质湿法刻蚀方法，该方法包括：首先在晶圆器件面依次沉积氧化层和多晶硅层后光刻和刻蚀形成浮栅氧化层和浮栅，其次沉积多晶硅层间介质和控制栅多晶硅层并光刻和干法刻蚀形成控制栅侧壁和多晶硅层间介质的上氧化层侧壁，再次在晶圆器件面、控制栅多晶硅层、控制栅侧壁、多晶硅层间介质的上氧化层侧壁和氮化层沉积氮化硅层，最后湿法刻蚀所述氮化硅层，在控制栅侧壁和多晶硅层间介质的上氧化层侧壁上形成氮化硅侧墙。本发明提供的方法能够避免磷酸湿法刻蚀氮化层和氮氧化硅时，对EEPROM的存储单元区的控制栅下方的氮化层造成严重侵蚀，导致器件可靠性故障。
一种氧氮氧多晶硅层间介质湿法刻蚀方法

[发明专利]电容支撑结构、电容器结构及其制作方法-CN200810041708.6无效
发明人：彭坤;韩启成;陈晓军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种电容支撑结构、电容器结构及其制作方法，用于解决传统DRAM存储单元电容器电容极板易倒塌问题。该电容支撑结构包括依次位于层间绝缘层上的第一阻挡层，中间介质层和第二阻挡层；贯通所述第二阻挡层，中间介质层和第一阻挡层的电容沟槽，该电容沟槽内用于形成电容器。电容器极板位于电容沟槽侧壁和底部，且高于电容沟槽表面。该电容支撑结构握住电容沟槽中的电容器极板，对电容器极板可起到支撑作用，从而可有效解决传统电容器极板在去除模具层后，电容器极板易倒塌的问题。
电容支撑结构电容器及其制作方法