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[发明专利]半导体器件-CN200610005439.9无效
发明人：山崎舜平;须泽英臣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-11-25 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：具有绝缘表面的衬底；在衬底上形成的第一绝缘膜，为氮化硅膜；在第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，为氧化硅膜；在第二绝缘膜上的结晶半导体膜，具有沟道区及源和漏区；在结晶半导体膜上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的栅电极；层间绝缘膜，设置在所述结晶硅上；以及象素电极，通过层间绝缘膜与漏区电连接。本发明还提供了其他种类的半导体器件。这些半导体器件是借助本发明的一种腐蚀设备制成的，由于不发生等离子损伤，因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现，于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动，因而半导体器件中的截止电流值减小。
半导体器件

[发明专利]铋系半导体纳米复合材料以及制备方法、应用-CN202010525463.5有效
发明人：陈天翔;胡嘉鹏;吴爱国;房倩兰 -专利权人：中国科学院宁波工业技术研究院慈溪生物医学工程研究所;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种铋系半导体纳米复合材料以及制备方法和应用。一种铋系半导体纳米复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：a)获得含有卤氧化铋纳米粒子的分散液Ⅰ；b)获得含有硒代硫酸盐的溶液Ⅰ；c)将所述分散液Ⅰ与溶液Ⅰ混合，水热反应，即可得到所述铋系半导体纳米复合材料通过该方法制备得到的铋系半导体纳米复合材料应用于肿瘤诊疗一体化，在水中分散性佳、生物毒性低、结晶性能优异，因此具备优异的癌症诊疗性能，同时降低毒副作用的能力。
半导体纳米复合材料以及制备方法应用

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201910529230.X在审
发明人：齐藤隆;百瀬文彦;木户和优;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，本发明的半导体装置为通过键合线(7)将半导体芯片(1)和电路图案(4)电连接的模块结构的半导体装置，在半导体芯片(1)的正面电极的表面形成有正面金属膜，在该正面金属膜通过引线键合而接合有键合线就半导体芯片(1)而言，在Si基板或SiC基板的正面具有正面电极，在背面具有背面电极。正面金属膜为厚度在例如3μm以上且7μm以下的Ni膜或Ni合金膜。键合线(7)为通过将引线键合前的结晶粒度控制在例如1μm以上且20μm以下的范围内，从而提高了再结晶温度且使强度得到了提高的Al线。由此，能够提供实现了大电流导通和高温动作的高可靠性的半导体装置。
半导体装置半导体芯片键合线金属膜引线键合正面电极背面电极表面形成电路图案高可靠性高温动作结晶粒度模块结构接合大电流电连接再结晶导通制造背面

[发明专利]半导体膜-CN201980093708.7在审
发明人：渡边守道;福井宏史 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供结晶缺陷明显较少的半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，半导体膜的至少一个表面的结晶缺陷密度为1.0×106/cm2以下。
半导体

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN99124812.0无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦;宫永昭治;大谷久;竹山顺一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-06-24 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN99124811.2无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦;宫永昭治;大谷久;竹山顺一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-06-24 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN98118382.4无效
发明人：张宏勇;宫永昭治;高山彻;大谷久;竹村保彦;竹山顺一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-06-24 - 公布日： 1999-07-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体,并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤,把催化剂元素添加到非晶硅膜中;在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法-CN201310150088.0有效
发明人：山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
溅射制造方法薄膜形成

[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法-CN201611206269.0有效
发明人：山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
溅射制造方法薄膜形成

[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法-CN201280000715.6有效
发明人：山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
溅射制造方法薄膜形成

[发明专利]离型膜-CN201580026456.8在审
发明人：辻弘晃;吉田哲男;中西贵之 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：提供形状追随性和成型性优异、并且不受加工温度制约的离型膜。即，可通过一种离型膜获得，该离型膜具有由热塑性树脂组合物形成的离型层，所述热塑性树脂组合物含有结晶性热塑性树脂A和非晶性热塑性树脂B，所述结晶性热塑性树脂A的熔点(TmA)为200℃以上，所述非晶性热塑性树脂B的玻璃化转变温度(TgB)比所述结晶性热塑性树脂A的玻璃化转变温度(TgA)高10℃以上，且比所述TmA低10℃以上。
离型膜

[发明专利]ZnS纳米晶半导体前驱薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法-CN201210339949.5有效
发明人：王峰;徐新花;李志林;刘景军;吉静 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：本发明涉及ZnS纳米晶半导体前驱体薄膜或半导体薄膜的电化学制备方法，电解液含有摩尔比为（15-20）:（15-25）:（0.2-0.8）:（0.3+0.1）的Zn2+，S2O32-，表面活性剂、SO32-，并含有氯化锂，电解液的pH值介于2.5-4.5之间；然后利用恒电流法或恒电位法，实现Zn、S二元素的共析结晶，生成纯净的六方相或立方相结构的ZnS前驱体薄膜。而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于250-500℃下恒温一段时间，均得到纯净的高取向性的结晶性更好的立方相ZnS纳米晶半导体薄膜。本发明所提供的方法可控性强，重复性好，所制备的ZnS纳米晶半导体薄膜无杂质，适用于薄膜太阳能电池的窗口层材料。
zns 纳米半导体前驱薄膜电化学制备方法

[发明专利]光催化剂材料、光电转换元件用材料、耐磨性构件和食用油防劣化构件的制造方法，以及光催化剂材料、光电转换元件用材料、耐磨性构件和食用油防劣化构件-CN201880056901.9在审
发明人：高桥大辅;高安辉树 -专利权人：株式会社S.O.W.
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于制造表面形成有结晶性氧化钛覆膜的钛材料。在该表面形成有结晶性氧化钛覆膜的钛材料，作为发挥高功能的光催化剂材料、光电转换元件用材料、耐磨性构件、食用油防劣化构件等是有用的材料。一种在表面形成有结晶性氧化钛覆膜的钛材料的制造方法，其特征在于，包括：(1)对钛材料的表面进行粗面化处理，形成粗面化材料的工序；(2)在该粗面化材料的表面形成钛化合物的工序；(3)对在该表面形成有钛化合物的材料进行阳极氧化处理，形成非晶态氧化钛覆膜的工序；以及(4)在大气气氛中，在300℃以上的温度对在该表面形成有非晶态氧化钛覆膜的材料进行加热处理，形成结晶性氧化钛覆膜的工序。
光催化剂材料光电转换元件用材耐磨性构件食用油防劣化制造方法以及

[发明专利]一种清除氟硅玻璃表面结晶的方法-CN201210066528.X无效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种清除氟硅玻璃表面结晶的方法。本发明提出一种清除氟硅玻璃表面结晶的方法，利用氟化氢铵极易溶于水的特点，通过采用去离子水或弱碱性的水溶液为清洗液进行清洗工艺，能有效的去除该层间介电质层上形成的结晶性缺陷，从而提高产品的良率及降低生产成本
一种清除玻璃表面结晶方法

[发明专利]放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置-CN200880126583.5有效
发明人：德田敏;岸原弘之;贝野正知;冈本保 -专利权人：株式会社岛津制作所;独立行政法人国立高等专门学校机构
申请日： 2008-02-12 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及放射线检测器，具备晶粒内的缺陷等级被保护的Cl掺杂CdTe或Cl掺杂CdZnTe多晶半导体膜。该半导体膜通过将掺杂了Cl的CdTe或CdZnTe结晶粉碎，以该粉末作为原材料再次制作多晶半导体膜而获得。另外，通过向再次制作的多晶半导体膜进一步掺杂Cl，还能保护多晶半导体膜中的晶界的缺陷等级。由此，可以制造放射线的灵敏度/响应性良好的放射线检测器。
放射线检测器制造方法以及摄像装置