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[发明专利]半导体元件及半导体装置-CN202180057395.7在审
发明人：柳田秀彰;水本尚吾;安藤裕之;松原佑典 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种对功率器件特别有用且顺向特性得到改善的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件及具备该半导体元件的半导体装置，所述半导体元件为具备包含结晶性氧化物半导体(例如，α‑Ga2O3等)作为主成分的半导体层、层叠于该半导体层上的电极层以及直接或隔着其他层而层叠于该电极层上的导电性基板的层叠结构体，所述导电性基板至少含有选自元素周期表第11族金属中的第一金属以及线性热膨胀系数与所述第一金属的线性热膨胀系数不同的第二金属
半导体元件装置

[发明专利]一种提高结晶性聚合物基阳离子交换膜对一多价阳离子分离性能的方法-CN201310699128.7有效
发明人：徐铜文;葛亮 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高结晶性聚合物基阳离子交换膜对一多价阳离子分离性能的方法，其特征在于：对结晶性聚合物基阳离子交换膜进行退火处理。本发明充分利用结晶性聚合物在退火处理条件下可重结晶的物理性质，通过提高结晶性聚合物基阳离子交换膜的结晶度，进一步提高膜的基体致密度，基于孔径筛分的原理达到对一多价阳离子分离的效果。
一种提高结晶聚合物阳离子交换一多价分离性能方法

[实用新型]成膜装置-CN202222440438.4有效
发明人：渡部武纪;桥上洋;坂爪崇寛 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型是一种成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜装置进行喷雾化学气相沉积法，所述成膜装置包括：基板加热部件，具有载置基板的基板载置部；喷嘴，喷出方向相对于所述基板的表面为垂直方向，且供给包含原料溶液的喷雾由此，提供一种以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜、用于使所述结晶性氧化物膜成膜的成膜装置，所述结晶性氧化物膜的结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好。
装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN99126442.8无效
发明人：大谷久;安达广树;宫永昭治;高山彻 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-12-02 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法，它包括以与半导体膜的一个区域接触的方式，将催化剂物质沉积在将被结晶的基片的绝缘表面上，该催化剂可促进半导体膜结晶；加热使半导体膜结晶；使半导体膜于900-1200℃退火。
半导体器件制造方法

[发明专利]晶体、结晶性氧化物半导体、包含结晶性氧化物半导体的半导体膜、包含晶体和/或半导体膜的半导体装置以及包含半导体装置的系统-CN202080039782.3在审
发明人：松田时宜;佐佐木贵博;人罗俊实;高桥勲 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C01G45/00 文献下载
摘要：作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。
晶体结晶氧化物半导体包含装置以及系统

[发明专利]氮化物半导体元件及其制法-CN200680015994.8无效
发明人：中原健 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-05-08 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供通过将加工性好的氧化锌系化合物用作基板，使生长的氮化物半导体的结晶性良好，而且具有能够非常简单地进行基板剥离和芯片化的结构的氮化物半导体元件及其制法。当在基板(1)上叠层氮化物半导体层形成氮化物半导体元件时，基板由Mg_xZn_1－xO(0＜x≤0.5)构成，与该基板相接地设置有由In_yGa_1－yN(0≤y≤0.5)构成的第一氮化物半导体层(2)，在该第一氮化物半导体层上叠层氮化物半导体层(3)～(7)，以形成半导体元件。
氮化物半导体元件及其制法

[发明专利]取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜及其制备方法、半导体器件-CN202010296666.1在审
发明人：姚亚刚;祝泽周;张凯;李立强 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明揭示了一种取向碳纳米管/石墨烯复合导热膜及其制备方法、半导体器件，本发明中以碳纳米管为前驱体，通过成膜方法，将碳纳米管组装成长程有序的薄膜结构，并在成膜工艺中将一定浓度的石墨烯溶液复合在碳纳米管薄膜表面，得到取向碳纳米管/氧化石墨烯复合薄膜，将获得的复合薄膜采用高温石墨化方式制备得到具有高结晶性、低缺陷的一维与二维纳米碳材料复合导热膜。
取向纳米石墨复合导热及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种n型有机半导体材料及其制备方法与应用-CN201810427875.8有效
发明人：郭旭岗;孙会靓;汤育民;郭晗 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种n型有机半导体材料及其制备方法和应用，所述n型有机半导体材料具有式I‑式VII所示结构，通过本发明制备方法制备得到的n型有机半导体材料具有高的电子传输性能，优良的溶解性，高度的骨架平面性，良好的结晶性以及可调控的光电性质，既可以作为全聚合物太阳能电池的受体材料，又可以作为n型场效应晶体管中的电子传输材料，在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
一种有机半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种n型有机半导体材料及其制备方法与应用-CN201710861991.6有效
发明人：郭旭岗;王英锋;闫政龙;郭晗;凌少华 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供一种n型有机半导体材料及其制备方法与应用，所述n型有机半导体材料具有式I‑式VII所示结构，通过本发明制备方法制备得到的n型有机半导体材料具有高的电子传输性能，优良的溶解性，高度的骨架平面性，良好的结晶性以及可调控的光电性质，既可以作为太阳能电池的受体材料，又可以作为n型的场效应晶体管中的电子传输材料，在有机半导体材料领域具有巨大的应用潜力与价值。
一种有机半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]制造具有相变层的半导体集成电路的方法-CN201410612608.X在审
发明人：姜世勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种制造半导体集成电路的方法包括：在半导体衬底中形成下电极；在半导体衬底上形成包括暴露出下电极的相变区的层间绝缘层；沿着层间绝缘层和暴露出的下电极的表面形成具有晶体状态的第一相变层；以及基于所述第一相变层的结晶性在第一相变层上生长第二相变层以填充至相变区中
制造具有相变半导体集成电路方法

[发明专利]铁电型存储单元、存储器及其制备方法-CN201110076414.9无效
发明人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明在铁电绝缘介质层和有机半导体层之间引入了一层用于改善铁电绝缘介质层界面性质的有机绝缘修饰层。该有机绝缘修饰层与有机半导体层之间的界面兼容性好，能够提高有机半导体层在其表面的结晶性，从而提高铁电型存储器的载流子迁移率。
铁电型存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管的制造方法-CN201910538954.0有效
发明人：菅原祐太;宇野刚史;野寺伸武;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：基板；被基板支撑的栅极；覆盖栅极的栅极绝缘层；以及设置在栅极绝缘层上且具有结晶硅区域的硅半导体层，上述结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域经由栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层，以覆盖沟道区域，且露出第一区域及第二区域的方式配置在硅半导体层上；源极，与第一区域电连接；漏极，与第二区域电连接，沟道区域的结晶性高于第一区域及第二区域的结晶性
薄膜晶体管显示装置制造方法

[发明专利]用于玻璃塑形的石墨模具及其制造方法-CN201811569732.7在审
发明人：吴金宝;陈泰盛;廖苡良;蔡玮倩;郑皓文;胡宪霖;吕明生;陈兴华 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C03B23/03 文献下载
摘要：用于玻璃塑形的石墨模具包含石墨模具本体以及结晶性碳化硅保护膜，结晶性碳化硅保护膜覆盖石墨模具本体的表面。结晶性碳化硅保护膜的表面粗糙度(Ra)为大于0.5微米。
用于玻璃石墨模具及其制造方法

[发明专利]硅基半导体PN结结构及其制备方法、光电阴极和应用-CN202010744485.0有效
发明人：巩金龙;李慧敏;王拓;刘珊珊 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体电极技术领域，公开了一种硅基半导体PN结结构及其制备方法、光电阴极和应用，p型硅基底表面沉积有TiO2纳米结晶层，TiO2纳米结晶层通过还原处理后与p型硅基底形成肖特基接触，得到p型硅‑二氧化钛异质结结构；其结晶性TiO2纳米层上负载Pt助剂构成硅基半导体PN结光电阴极本发明的硅基半导体PN结结构能产生较高的光生电压，且具有较高的稳定性，同时制备方法简单易行，可控性强，可实现大规模生产；本发明的硅基半导体PN结光电阴极利用n型TiO2纳米结晶层成功促进了光生载流子的分离，提升了硅基光阴极的起始电位，同时也对p型硅基底起到了保护作用。
半导体 pn 结构及其制备方法光电阴极应用

[发明专利]半导体装置、电力转换装置及控制系统-CN202210637520.8在审
发明人：冲川满;奥井富士雄;樋口安史;雨堤耕史;柴田英高;加藤勇次;寺井睦 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述高电阻层的底面与所述n+型半导体层的上表面之间的距离小于1.5μm，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上。
半导体装置电力转换控制系统