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[实用新型]采用深沟槽隔离的图像传感器-CN201520352531.7有效
发明人：赵立新;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器，包括：衬底，所述衬底包括衬底单晶硅层；单晶硅墙，凸出设置于衬底单晶硅层表面，所述单晶硅墙的侧表面覆盖有介质层；第一外延单晶硅层，位于所述单晶硅墙之间的衬底单晶硅层表面；第二外延单晶硅层，位于所述单晶硅墙顶表面和第一外延单晶硅层表面；图像传感器的部分器件，位于所述第一外延单晶硅层和第二外延单晶硅层中。本实用新型有效减少了隔离结构和外延单晶硅层的缺陷，避免了图像传感器器件的功能损害，提高了图像传感器器件质量。
采用深沟隔离图像传感器

[实用新型]一种单晶与金属隔离专用防护装置-CN201922469884.6有效
发明人：郝小龙;李易儒;郝朝旭;贾海洋;张强;王淼;李仕权 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B65D61/00 文献下载
摘要：一种单晶与金属隔离专用防护装置，包括：单晶防护装置，用于取出单晶；隔离防护装置，用于避免所述单晶与所述单晶防护装置接触；所述隔离防护装置设置于所述单晶防护装置上朝向所述单晶的一面，且由非金属材料制成；其中，所述单晶防护装置包括单晶防护套、金属连接臂和夹紧螺丝；两个所述金属连接臂第一端相对地设置于所述单晶防护套上，每一所述金属连接臂上均旋紧设置有一个夹紧螺丝，两个相对的所述夹紧螺丝共同配合夹紧所述单晶。本申请通过微调整目前单晶防护装置的结构，能做到极大地减少人身安全意外发生的概率；通过增加四氟材料打造四氟垫和四氟块，能做到隔离单晶和金属接触。
一种金属隔离专用防护装置

[发明专利]单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体-CN99811516.9有效
发明人：古川纯;须藤充;中井哲弥;藤川隆男;增井卓也 -专利权人：三菱硅材料株式会社
申请日： 1999-09-29 - 公布日： 2001-10-31 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：在使单晶体(11)稳定的气氛中,在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下,对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时,然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体,且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭,或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此,不管单晶体(11)的尺寸有多大,都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。
单晶体缺陷去除方法

[发明专利]一种超高品质单晶铜水平连铸制备工艺-CN202210895503.4在审
发明人：曾龙;李军;夏明许;李建国 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B22D11/045 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶铜制备工艺，具体涉及一种超高品质单晶铜水平连铸制备工艺，包括如下步骤：S1：制备具有(001)取向的单晶铜棒；S2：将制备得到的具有(001)取向的单晶铜棒制成单晶铜水平连铸牵引杆；S3：利用制得的单晶铜水平连铸牵引杆配合热型水平连铸机进行单晶铜的制备。与现有技术相比，本发明基于外延生长提供一种高品质单晶铜棒/线材制备方法，特别涉及单晶铜棒/线材取向控制方法，不仅可以杜绝单晶铜棒/线材水平连铸制备过程中的柱状晶现象，提高单晶铜水平连铸制备合格率，还可以严格控制水平连铸单晶铜棒/线材的晶体取向，获得(001)取向与轴向完全重合的单晶铜棒/线材，大幅度提高单晶铜的综合性能。
一种超高品质单晶铜水平制备工艺

[实用新型]一种单晶炉-CN202320405801.0有效
发明人：许建枫;祝林飞;郝振庆;曹林;曹刚 -专利权人：浙江昱力机电科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉，包括单晶炉，包括单晶炉炉体以及安装在所述单晶炉炉体上端的单晶炉炉盖，活动杆，所述活动杆与活动柱之间通过固定的方式相连接，且活动柱与活动块之间通过铰链的方式相连接，且活动杆结合固定块、活动板和固定帽用于将单晶炉炉体安装在固定在安装座的上端，上密封圈，所述上密封圈固定连接在单晶炉炉盖的下端，固定机构，所述固定机构在单晶炉炉盖的外侧呈等角度设置。该单晶炉，便于将单晶炉炉体安装在用于承载的安装座的上端，提升单晶炉炉体的稳定性，而且单晶炉炉体与安装座之间的密封性好，结合固定机构的设置，便于对单晶炉炉盖与单晶炉炉体之间进行安装连接，紧固性好。
一种单晶炉

[发明专利]采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法-CN201510280051.9在审
发明人：赵立新;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括衬底单晶硅层；刻蚀所述衬底单晶硅层以形成若干凸起的单晶硅墙，所述单晶硅墙的顶表面和侧表面覆盖有介质层；选择性外延所述单晶硅墙之间的衬底单晶硅层表面以形成第一外延单晶硅层，去除覆盖单晶硅墙顶表面的介质层以暴露出单晶硅墙顶表面，选择性外延所述单晶硅墙顶表面和第一外延单晶硅层表面以形成第二外延单晶硅层；在所述第一外延单晶硅层和第二外延单晶硅层中形成图像传感器的部分器件。本发明有效减少了隔离结构和外延单晶硅层的缺陷，避免了图像传感器器件的功能损害，提高了图像传感器器件质量。
采用深沟隔离图像传感器制作方法

[发明专利]单晶炉冷却系统-CN202211016829.1在审
发明人：焦鹏;黄旭光;苏立宁 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请属于单晶生产技术领域，具体涉及单晶炉冷却系统。单晶炉冷却系统包括：单晶炉设置有连通单晶炉的内腔和单晶炉外部空间的冷却通道以及控制冷却通道开启或者关闭的控制单元；冷却装置设置于单晶炉的外部，冷却装置包括冷源端，冷源端用于吸收单晶炉的内腔热量；当控制单元使得冷却通道开启时，冷却装置支配冷源端沿冷却通道进入到单晶炉的内腔；当冷却装置支配冷源端移出单晶炉的内腔后，控制单元使得冷却通道关闭。相比自然冷却的方式而言，本案能够更为快速地吸收单晶炉内部的热量，从而缩短单晶炉的冷却时间；另外，相比直接开启单晶炉而言本案能够在一定程度上减少氧气进入到单晶炉的内腔，进而延缓单晶炉内部的保温材料的氧化。
单晶炉冷却系统

[发明专利]具有缓冲层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187199.6有效
发明人：帅垚;吴传贵;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；具有缓冲层的单晶薄膜制备方法包括在单晶晶圆表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成劈裂层；在注入有高能量离子的单晶晶圆表面依次制备键合层和缓冲层，或者在单晶晶圆表面依次制备缓冲层和键合层，将涂覆有键合层和缓冲层的单晶晶圆与衬底结合，键合及单晶晶圆劈裂处理，制备得到具有缓冲层的单晶薄膜。本发明提供的具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过缓冲层设计，隔离键合层产生的气泡或使得键合过程中的气泡向衬底方向移动，远离单晶晶圆，制备得到的高质量的单晶薄膜，制备得到的单晶薄膜表面无气泡
具有缓冲薄膜制备方法谐振器

[发明专利]一种用于单晶硅制备的单晶炉及单晶硅的制备方法-CN202110651170.6有效
发明人：欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能单晶硅制造领域，特别涉及一种用于单晶硅制备的单晶炉，单晶炉可在第一工作状态与第二工作状态之间转换，其中，当单晶炉在第一工作状态与第二工作状态之间转换时，第一保温筒相对于第二保温筒移动；当单晶炉处于第一工作状态时，第二保温筒的侧壁盖合第一开口、以将反应腔室与单晶炉的外部隔断；当单晶炉处于第二工作状态时，第二保温筒露出第一开口、以使反应腔室经由第一开口连通至单晶炉的外部。本申请实施例还提供一种单晶硅的制备方法。本申请实施例提供的用于单晶硅制备的单晶炉及单晶硅的制备方法，可简化将单晶炉内的反应腔室与单晶炉的外部连通的操作过程。
一种用于单晶硅制备单晶炉方法

[实用新型]一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜-CN202220658942.9有效
发明人：戚佳斌;李忠贤;赵毅 -专利权人：中国电子科技南湖研究院
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜，柔性单晶硅薄膜半导体器件包括应力缓冲膜、单晶硅片、聚合物膜和半导体芯片，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，半导体芯片位于单晶硅片内或凸出单晶硅片设置，并与单晶硅片电性连接，聚合物膜覆盖于半导体芯片和单晶硅片上并对半导体芯片进行密封。柔性单晶硅薄膜包括应力缓冲膜、单晶硅片和聚合物膜，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，聚合物膜覆盖于单晶硅片上。既保持了硅单晶特点，又兼容半导体芯片高温制备工艺，具有高性能，提高了信息处理速度、单晶硅片的利用效率和器件电路设计的灵活性，且生产效率和良品率高，移取方便。
一种柔性单晶硅薄膜半导体器件

[实用新型]一种可调控高纯铜单晶取向的组合式引杆装置-CN202220562676.X有效
发明人：任玉平;田文斌;秦高梧 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B22D11/14 文献下载
摘要：一种可调控高纯铜单晶取向的组合式引杆装置，包括单晶引锭头、联结头及牵引杆；单晶引锭头底端与联结头顶端相连接，单晶引锭头与联结头采用可拆卸式连接结构；联结头底端与牵引杆顶端相连接，联结头与牵引杆采用可拆卸式连接结构；单晶引锭头与液态金属铜接触面的法向作为单晶取向，通过调整单晶引锭头与液态金属铜接触面的法向方向对单晶取向进行调控。本实用新型用于替代传统单体式常规引锭杆，通过单晶引锭头实现对高纯铜单晶取向的调控；引杆装置整体采用组合式结构，具有结构简单及方便拆卸的特点，每次制造特定单晶取向的单晶铜杆前，只需更换具有对应单晶取向的单晶引锭头即可，引杆装置其他部件可重复使用，节约了单晶铜杆的生产成本。
一种调控高纯铜单晶取向组合式装置

[发明专利]一种单晶SiC及其制作方法-CN201410523794.X在审
发明人：段兴 -专利权人：段兴
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：一种单晶SiC及其制作方法，尤其是有完整单晶SiC结构特性，可以用作面材、薄膜、线材的以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成的单晶及其制作方法，其制作方法由二步组成：网格状、集束状的单晶SiC复合体生成与二次补偿单晶SiC生成。该单晶有完整单晶结构特性，以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成，设备简单，不需要特别条件，成本低、产量大；可二次补偿，缺陷容易控制，质量成品率高；晶圆尺寸不受限制，长度可控，可连续生成，适宜大批量生产
一种 sic 及其制作方法

[发明专利]一种单晶SiC及其制作方法-CN201410523774.2在审
发明人：段兴 -专利权人：段兴
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种单晶SiC及其制作方法，尤其是有完整单晶SiC结构特性，可以用作面材、薄膜、线材的以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成的单晶及其制作方法，其制作方法由二步组成：网格状、集束状的单晶SiC复合体生成与二次补偿单晶SiC生成。该单晶有完整单晶结构特性，以单晶SiC为主、复合而成，或者纯单晶SiC组成，设备简单，不需要特别条件，成本低、产量大；可二次补偿，缺陷容易控制，质量成品率高；晶圆尺寸不受限制，长度可控，可连续生成，适宜大批量生产
一种 sic 及其制作方法

[发明专利]超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒-CN202011433010.6在审
发明人：夏秋良;刘坤 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒，涉及单晶硅加工技术领域，本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，包括以下步骤：加热单晶硅原料的底部，待单晶硅原料的底部熔化时向上拉制熔化的单晶硅原料；随着单晶硅原料被拉升，减小对熔化的单晶硅原料的拉升速度。本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，可以在单晶硅棒的放肩部位形成弧形曲面，且可降低产生断线的几率。
超大尺寸半导体单晶硅生长方法

[发明专利]CZ‑80单晶炉自动收尾方法-CN201610375201.9有效
发明人：王会敏;何京辉;曹祥瑞;颜超;程志;范晓甫;周子江;赵贝;刘钦;陈二星 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉提拉生长单晶硅棒技术领域，尤其是涉及特定单晶炉的自动控制方法，具体公开了一种CZ‑80单晶炉自动收尾方法，通过利用CZ‑80单晶炉的现有单晶生长PLC控制系统，对温校和单晶拉速参数进行设定，控制单晶收尾的长度、直径，实现单晶自动化收尾操作，能够降低单晶硅棒生长过程中的收尾时间，提高收尾效率，能够降低收尾时的断尾率，提高收尾产能，降低收尾的生产成本，并使收尾形状美观。
cz 80 单晶炉自动收尾方法