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[发明专利]进气机构及气相沉积设备-CN202111391880.6有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请提供一种进气机构及气相沉积设备，涉及沉积成型设备技术领域。进气机构包括第一进气段和第二进气段，第一进气段具有第一进气通道，用于与炉体内部连通；第二进气段具有能够与第一进气通道连通的第二进气通道；第一进气段与第二进气段活动连接，以使得第一进气段具有第一状态和第二状态，第一进气段在第一状态时，第一进气通道与第二进气通道连通；第一进气段在第二状态时，第二进气通道能够与炉体内部直接连通。其能够改善进气端口被沉积物堵塞而影响工艺的风险。
机构沉积设备

[发明专利]一种硅部件的双面研磨方法-CN202310722015.8有效
发明人：夏秋良;顾锋;金文明;丁帅 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种硅部件的双面研磨方法，属于半导体材料制造领域。硅部件的双面研磨方法包括以下步骤：将硅部件和辅助工件放置到双面研磨设备内的多个游星轮内，并使得每个游星轮内均放置有承压的硅部件和/或辅助工件，且使得硅部件的单位承压为200~800 N/cm2；以及通入研磨液并驱动双面研磨设备将硅部件研磨至目标厚度，通过该双面研磨方法，能够在兼顾加工少量和/或小尺寸硅部件的情况下改善硅部件容易出现表面不良的问题。
一种部件双面研磨方法

[发明专利]半导体工件盒-CN202310769869.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体工件盒，属于半导体技术领域。半导体工件盒包括半导体工件夹持部和取放施力部；其中，取放施力部，配置为接受人手或机械手在竖直方向上的施力以实现将半导体工件夹持部放入湿法处理设备中或从湿法处理设备中取出；半导体工件夹持部，与取放施力部连接；半导体工件夹持部内包括用于容纳半导体工件的容纳空间，容纳空间的厚度方向与竖直方向平行。本申请提供的半导体工件盒，降低了成本。
半导体工件

[实用新型]一种循环槽内的免驱动旋转混合喷头-CN202320413875.9有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B05B3/06 文献下载
摘要：本申请提供一种循环槽内的免驱动旋转混合喷头，涉及硅部件加工技术领域，一种循环槽内的免驱动旋转混合喷头包括依次同轴线设置的射流组件、第一转动轴和第二转动轴，第一转动轴和第二转动轴之间形成容置空间，射流组件上设置有多个导流管，以使液体经容置空间从导流管流出；多个导流管围绕轴线倾斜设置，倾斜方向相同，以使从导流管流出的液体对射流组件产生反作用力，促使第一转动轴和第二转动轴相对转动。本申请提供的免驱动旋转混合喷头无需提供额外的动力驱动，仅依靠流入喷头的液体在射流组件的导流管产生的射流便能快速转动，驱动射流组件旋转，进而无需在循环槽内另外增加驱动装置，即可使得液体在容置空间内混合均匀。
一种循环驱动旋转混合喷头

[实用新型]一种表面检测治具-CN202320173413.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本申请提供了一种表面检测治具，涉及工件检测领域。本申请提供的表面检测治具，包括支架座、间隔设置于支架座上的两支架、分别转动连接于每个支架上的本体，两本体上分别设有夹爪，两夹爪呈相向设置；驱动一本体朝向另一本体运动，两夹爪相互配合且能够夹持待测件；驱动任意一夹爪转动，两夹爪能够带动待测件转动。上述设计得到的表面检测治具能够在不接触产品的同时实现多角度观察，使检测过程更加简便，提高了检验的效率，同时也提高了产品良率。
一种表面检测

[发明专利]一种湿法刻蚀方法-CN202310876527.X在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供一种湿法刻蚀方法，属于半导体技术领域。湿法刻蚀方法包括以下步骤：S1将承载有工件的承载件放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽；S2驱动承载件带动工件进行运动，使得工件的部分或全部待刻蚀部位能够间歇地浸没或漏出刻蚀液，直至工件刻蚀完成，该湿法刻蚀方法能够改善工件存在色差的问题。
一种湿法刻蚀方法

[实用新型]一种环形件手持夹具-CN202320328819.5有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B65G9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种环形件手持夹具，涉及装夹设备技术领域。环形件手持夹具包括安装架以及滑动设置在安装架上的滑动件，安装架上设置有第一夹臂，滑动件上设置有第二夹臂，滑动件受驱在安装架上直线运动，带动第二夹臂朝向或远离第一夹臂做往复直线运动，夹持或松开所述环形件；在夹持状态下，所述第一夹臂与所述环形件的外环面相抵，所述第二夹臂与所述环形件的内环面相抵。本申请提供的环形件手持夹具结构简单，可应用于狭小工作空间，夹持运动行程小，提高工作效率，且能够避免搬运过程中皮肤与环形件直接接触，防止环形件掉落。
一种环形手持夹具

[发明专利]大直径单晶硅的生长方法-CN202111450500.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种大直径单晶硅的生长方法，属于单晶硅制备技术领域。大直径单晶硅的生长方法，包括：通过直拉法生长单晶硅，其中，在生长单晶硅的等径阶段包括以下工艺条件：通入氩气；单晶硅体与坩埚以相反的方向进行转动，单晶硅体旋转导致的强制对流占主导的区域的水平方向最大截面积为M1，整个硅熔体表面的面积为M0，其中，45％≤M1/M0＜90％。本申请的单晶硅的生长方法具有较高的单晶成功率，且生长的硅单晶的质量较好。
直径单晶硅生长方法

[发明专利]薄膜成型用工装治具及治具组件-CN202310015685.6有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜成型用工装治具及治具组件。治具用于托载基板，包括载具、底面垫圈和周面垫圈。载具包括框体和底托，底托设于框体内并处于框体的下部，底托设有窗口；底面垫圈的下端面与底托贴合，底面垫圈的上端面与底面垫圈的内周面相交于上边线，上边线高于底面垫圈的上端面的其他区域，底面垫圈的上端面上设有凹槽，且凹槽的槽壁延伸至上边线；周面垫圈设于框体内周壁；当基板装载在载具上时，基板容纳于底面垫圈与周面垫圈形成的空间内，基板的下表面与上边线密封贴合，基板的下表面暴露于窗口的部分形成蒸镀区域。本发明能够提升基板镀膜的品质。
薄膜成型用工装治具组件

[发明专利]拉制单晶硅棒前的除杂工艺-CN202211661032.7有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种拉制单晶硅棒前的除杂工艺。拉制单晶硅棒前的除杂工艺包括如下步骤：步骤一、将硅料放入坩埚内，加热使硅料熔融，得到硅熔体；步骤二、调整坩埚内的热场温度至引颈温度，待硅熔体的液面稳定之后依次进行引晶步骤和放肩步骤，之后将肩部与硅熔体的液面分离；步骤三、调整坩埚内的热场和/或调整坩埚的转速，使硅熔体内部的杂质富集于液面位置；步骤四、将肩部放入硅熔体中，使肩部的部分位于液面以下，静置使杂质富集于肩部上，之后将富集杂质的肩部与液面分离；以及步骤五、提出富集杂质的肩部。上述拉制单晶硅棒前的除杂工艺的工艺简单，通过调整坩埚内的热场和/或调整坩埚的转速，能够让杂质向硅熔体表面富集，易于除去杂质。
拉制单晶硅杂工

[发明专利]大直径硅单晶及其制造方法-CN202310265147.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种大直径硅单晶及其制造方法。大直径硅单晶的制造方法依次包括硅料熔融工艺、引晶工艺、等径工艺和收尾工艺，在硅料熔融工艺与引晶工艺之间还设有浸泡工艺，浸泡工艺中的加热功率为引晶工艺中的加热功率的105%~130%。经过试验验证，应用本发明技术方案的大直径硅单晶的制造方法，能够有效去除在坩埚的内壁上形成的气泡，避免残留的气泡流入生长的单晶中，从而有效降低针孔发生率，改善大直径硅单晶的质量，有利于应用。此外，本发明还涉及一种采用上述大直径硅单晶的制造方法制造得到的大直径硅单晶。
直径硅单晶及其制造方法

[发明专利]硅电极的清洗装置、清洗方法-CN202111359629.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本申请提供一种硅电极的清洗装置、清洗方法，涉及硅电极清洗技术领域。清洗装置包括花篮框架以及承载机构，花篮框架具有安装通道，安装通道在厚度方向贯穿花篮框架；承载机构与花篮框架可拆卸连接，承载机构具有承载孔，承载孔在厚度方向上贯穿承载机构，且承载孔的孔壁被构造成能够承载硅电极并使得微孔露出；承载机构与花篮框架连接时，承载孔在花篮框架厚度方向的投影全部在安装通道内。其能够在保持花篮框架不变的情况下，只替换承载机构来适用于不同尺寸规格的硅电极的清洗，且能够较好地清洗硅电极的微孔。
电极清洗装置方法

[发明专利]用于等离子蚀刻设备的碳化硅环及碳化硅环的成型工艺-CN202211617858.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C16/01 文献下载
摘要：本发明公开一种用于等离子蚀刻设备的碳化硅环及碳化硅环的成型工艺。成型工艺包括步骤：S1：将衬底安装于化学气相沉积设备的反应室内；炉体上的加热装置环绕衬底，衬底为具有凹槽的环状体，凹槽自环状体的外环面向内环面延伸；S2：对反应室抽真空；S3：运行加热装置，将反应室加热至预设温度；S4：向反应室通入反应气体，包括载气、稀释气体以及含有碳元素和硅元素的前驱体；反应气体在预设温度下分解沉积在衬底表面，形成碳化硅层；S5：关闭加热装置，降温后取出沉积有碳化硅层的衬底；S6：剥离衬底得到碳化硅环。本公开改善了衬底表面沉积碳化硅薄膜在径向上的厚度以及组织性能均匀性。
用于等离子蚀刻设备碳化硅成型工艺

[发明专利]一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法-CN202211314922.0有效
发明人：刘坤;李哲雨;夏秋良 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，涉及一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法。异常硅棒为目标电阻率大于70欧姆厘米的P型单晶硅棒，且电阻率超过目标电阻率20%或以上。该方法包括：S1：将异常硅棒加热至600‑700℃，保温50‑100min；S2：继续加热至850‑950℃，保温50‑70min；S3：继续加热至1000‑1200℃，保温50‑70min；S4：将硅棒温度降低至700‑900℃，保温50‑70min；S5：继续将硅棒以大于120℃/min的冷却速度降温至常温。通过上述方法，解决了目标电阻率大于70欧姆厘米的P型单晶硅棒在拉制后由于受到氧施主的影响而变为N型或电阻率虚高的问题。
一种解决异常电阻导电类型反转方法

[发明专利]去除硅熔体表面的异物的方法、单晶硅的生长方法-CN202111515365.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种去除硅熔体表面的异物的方法、单晶硅的生长方法，属于单晶硅生长技术领域。去除硅熔体表面的异物的方法，包括：在籽晶与硅熔体熔接之前，在硅熔体表面形成一个近似带状暗色区域，持续监测硅熔体表面，若发现硅熔体表面存在异物，则使硅熔体表面的至少部分异物移动至暗色区域并沿着暗色区域移动至坩埚壁。其能够有效地将异物从硅熔体表面去除。
去除体表异物方法单晶硅生长

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