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[发明专利]等离子体处理设备和方法-CN201880084092.2有效
发明人：马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。
等离子体处理设备方法

[发明专利]远程等离子体可流动CVD腔室的方法及设备-CN202210426147.1在审
发明人： Y·马;D·拉杰;M·J·西蒙斯;A·波克雷尔;G·奇可卡诺夫;张轶珍;梁璟梅;J·D·平松二世;D·李;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
远程等离子体流动 cvd 方法设备

[发明专利]远程等离子体可流动CVD腔室的方法及设备-CN201880009192.9有效
发明人： Y·马;D·拉杰;M·J·西蒙斯;A·波克雷尔;G·奇可卡诺夫;张轶珍;梁璟梅;J·D·平松二世;D·李;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
远程等离子体流动 cvd 方法设备

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080004147.1在审
发明人：玉利南菜子;广田侯然;角屋诚浩;长谷征洋 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子处理装置具备：在内部具备载置被处理基板的电极的等离子处理室；对等离子处理室提供等离子产生用的电力的电力提供部；和控制从该电力提供部对等离子处理室提供的电力的控制部，控制部执行：保温放电，在未将被处理基板载置于处理室的内部的电极的状态下，在第1条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第1等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到第1温度；急速温度调节放电，接下来在第2条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第2等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到比第1温度高的第2温度；和产品处理，在将被处理基板载置于电极的状态下，在第3条件下控制电力提供部来使等离子处理室的内部产生第3等离子，以对被处理基板进行处理。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]用于在等离子体处理腔室中的原位腔室清洁效率提高的等离子体处理工艺-CN201780027736.X有效
发明人：张林;路雪松;安德鲁·V·勒;吴昌锡;鑫海·韩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
用于等离子体处理中的原位清洁效率提高工艺

[发明专利]利用后等离子体气体注入的等离子体处理设备-CN201880038243.0有效
发明人：马绍铭;弗拉迪米尔·纳戈尔尼;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了利用后等离子体气体注入的等离子体处理。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括等离子体室。该设备包括与等离子体室隔开的处理室。处理室包括可进行操作以支撑工件的基板保持器。该设备包括被配置为在等离子体室中产生等离子体的等离子体源。该设备包括将等离子体室与处理室隔开的分离格栅。分离格栅可以被配置为过滤等离子体中产生的一个或多个离子，并允许中性粒子通过而从等离子体室到达处理室。该设备可以包括至少一个气体端口，该至少一个气体端口被配置为将气体注入穿过分离格栅的中性粒子中。
利用等离子体气体注入处理设备

[发明专利]等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法-CN201210181932.1无效
发明人：田原慈;西村荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止构成等离子体生成室的包含硅的部件引起的微粒附着到被处理基板上的等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法。该等离子体处理装置具备：具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由间隔部件与上述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和配置于在等离子体生成室的电介质窗外侧的平面状高频天线，该清理方法在等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将生成的氢自由基经由上述间隔部件导入到上述等离子体处理室中，并使其作用于被处理基板来实施等离子体处理，将被处理基板搬出后，向等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积在等离子体生成室内的硅类堆积物。
等离子体处理装置清理方法

[发明专利]具有均匀性控制的等离子体剥离工具-CN201880038239.4有效
发明人：马绍铭;弗拉迪米尔·纳戈尔尼;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了具有处理均匀性控制的等离子体剥离工具。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。该设备包括在处理室中的第一基座，其可进行操作以支撑工件。第一基座可以限定第一处理站。等离子体处理设备可以包括在处理室中的第二基座，其可进行操作以支撑工件。第二基座可以限定第二处理站。该设备可以包括设置在第一处理站上方的第一等离子体室。第一等离子体室可以与第一感应等离子体源相关联。第一等离子体室可以通过第一分离格栅与处理室隔开。该设备可以包括设置在第二处理站上方的第二等离子体室。第二等离子体室可以与第二感应等离子体源相关联。第二等离子体室可以通过第二分离格栅与处理室隔开。
具有均匀控制等离子体剥离工具

[发明专利]等离子体处理设备-CN201880038219.7有效
发明人：马绍铭;弗拉迪米尔·纳戈尔尼;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。该设备包括可进行操作以在处理室中支撑工件的基座。该设备包括等离子体室。等离子体室沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面限定有源等离子体产生区域。该设备包括沿垂直方向定位在处理室和等离子体室之间的分离格栅。该设备包括围绕等离子体室延伸的多个感应线圈。多个感应线圈中的每一个可进行操作以在沿着等离子体室的电介质侧壁的垂直表面的有源等离子体产生区域中产生等离子体。
等离子体处理设备

[发明专利]具有减少金属污染的衬套的等离子源-CN200880002319.0无效
发明人：理查德·J·赫尔特;李祐家;菲利浦·J·麦桂尔;提摩太·J·米勒;哈勒德·M·波辛;维克拉姆·辛 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的位点线遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102)而溅镀的金属。
具有减少金属污染衬套离子源

[发明专利]利用等离子体处理室中的单频率RF功率处理晶片的系统、设备和方法-CN01816862.0有效
发明人： A·库蒂;A·费舍尔 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2001-10-05 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种利用单一频率的RF功率在等离子体处理室中处理晶片的系统、设备和方法。等离子体处理系统包括调制RF功率发生器、等离子体处理室和匹配网络。设置调制RF功率发生器以便产生经调制的RF功率。设置等离子体处理室以便接收处理晶片的经调制的RF功率，等离子体处理室的特征在于在等离子体处理期间的内阻抗。等离子体处理室包括在具有静电吸盘的位置处支撑晶片的静电吸盘，静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的RF功率的第一电极。等离子体处理室还包括在晶片之上设置的第二电极。经调制的RF功率产生处理晶片的等离子体和离子轰击能量。在调制RF功率发生器和等离子体处理室之间耦合匹配网络以便接收经调制的RF功率并将其从调制RF功率发生器传输到等离子体处理室。匹配网络还构成以至使调制RF功率发生器的阻抗与等离子体处理室的内阻抗相匹配。
利用等离子体处理中的频率 rf 功率晶片系统设备方法

[发明专利]用于减少等离子体处理系统中的副产品沉积的方法和装置-CN200580047552.7有效
发明人：什里坎特·P·洛霍卡雷;安德鲁·D·贝利三世 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种在等离子体处理系统中用于减少等离子体处理室的一组等离子体室表面上的副产品沉积的方法。该方法包括：在等离子体处理室中设置沉积屏障，该沉积屏障被配置为置于等离子体处理室的等离子体生成区中，从而使得等离子体在等离子体处理室内被撞击时所生成的至少一些工艺副产品能粘附在该沉积屏障上，并减少了一组等离子体处理室表面上的副产品沉积
用于减少等离子体处理系统中的副产品沉积方法装置

[发明专利]等离子源以及等离子处理装置-CN201780038613.6有效
发明人：江部明宪 -专利权人： EMD株式会社
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种能够在气体充分电离的状态下将等离子提供至等离子处理空间的等离子源。等离子源(10)是用于向进行使用了等离子的处理的等离子处理空间提供等离子的装置，具备：等离子生成室(11)；开口(12)，使等离子生成室(11)与等离子处理空间连通；高频天线(13)，被设置于能够将生成等离子所需要的规定强度的高频电磁场生成到等离子生成室(11)内的位置，并且是匝数小于1匝的线圈；电压施加电极(14)，被设置于等离子生成室(11)内的靠近该开口(12)的位置；和气体提供部(气体提供管)(15)，将等离子原料气体提供到等离子生成室(11)内的比等离子施加电极(14)更靠开口(12)的相反侧的位置。
离子源以及等离子处理装置

[发明专利]用于处理衬底的等离子体处理系统-CN200580032890.3有效
发明人：陈立;神原弘光;田才忠;西塚哲也;野泽俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分，并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底，等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。
用于处理衬底等离子体系统

[发明专利]在蚀刻期间利用光谱使RF切换与气体切换同步-CN201280027855.2有效
发明人：许青;卡梅利娅·鲁苏;布赖恩·K·麦克米林;亚历山大·M·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
蚀刻期间利用光谱 rf 切换气体同步

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