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[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202280015254.3在审
发明人：小野健太;石川慎也;西塚哲也;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：对包含含锡膜的基板进行适当地蚀刻。在一个示例性实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法具备：准备基板的准备工序，所述基板具备含碳膜、设置在含碳膜上的中间膜和设置在中间膜上且具有开口图案的含锡膜；第一蚀刻工序，将含锡膜作为掩模蚀刻中间膜而将开口图案转印在中间膜上；以及第二蚀刻工序，使用由包含氢、卤素或者碳和氧的处理气体生成的等离子体除去含锡膜并且将中间膜作为掩模蚀刻含碳膜。
处理方法以及装置

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理装置用的顶板-CN201210575101.2无效
发明人：田才忠;西塚哲也;石桥清隆;野沢俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置以及等离子体处理装置用的顶板。该顶板设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部，顶板在顶板的面对处理容器内的一面朝向顶板内部形成有多个凹部，凹部具有以等角度间隔沿着一个圆排列的内侧微波传播控制凹部和沿着一个圆排列的外侧微波传播控制凹部，内侧微波传播控制凹部的数量对应于与狭缝的数量相同的数量。根据上述等离子体处理装置以及等离子体处理装置用的顶板，可使处理空间的水平面方向上的等离子体密度均一化。
等离子体处理装置以及顶板

[发明专利]等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法-CN201110287142.7有效
发明人：野泽俊久;佐佐木胜;桥本润;吉村正太;小津俊久;西塚哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。
等离子体蚀刻处理装置及其方法半导体元件制造

[发明专利]等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置-CN200980145127.X有效
发明人： 西塚哲也;高桥正彦;小津俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种使用等离子体蚀刻装置的蚀刻方法，该等离子体蚀刻装置具备有处理容器、载置台、微波供给单元、气体供给单元、排气装置、向载置台供给交流偏置电力的偏置电力供给单元和控制交流偏置电力的偏置电力控制单元，其中偏置电力控制单元以下述方式对交流偏置电力进行控制：交替地重复向载置台的交流偏置电力的供给和停止，使得供给交流偏置电力的期间与供给交流偏置电力的期间和停止交流偏置电力的期间的合计期间之比在0.1以上0.5以下。
等离子体蚀刻方法以及装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200880104937.6有效
发明人： 西塚哲也;高桥正彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上，形成突状形式的绝缘层，所述突状形式的绝缘层具有面以及从所述面向上方直立起来的直立面；以覆盖所述突状形式的绝缘层的方式形成导电层；以及在大于等于85mTorr的高温条件下，对所述半导体衬底施加大于等于70mW/cm2的偏置功率，并且通过利用了将微波作为等离子体源的微波等离子体的蚀刻处理，对所述导电层的预定区域进行图案化并去除。
半导体装置制造方法

[发明专利]等离子体处理装置以及半导体衬底的等离子体处理方法-CN200880116223.7无效
发明人：上田博一;西塚哲也;野沢俊久;松冈孝明 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子体处理装置11包括：天线部13，其将微波作为等离子体源，并且生成等离子体以在腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域25a和等离子体的电子温度比第一区域25a低的第二区域25b；第一配置单元，其使半导体衬底W位于第一区域25a内；第二配置单元，其使半导体衬底W位于第二区域25b内；以及停止等离子体生成单元，其在使半导体衬底W位于第二区域25b的状态下，使得由等离子体生成单元进行的等离子体的生成停止。
等离子体处理装置以及半导体衬底方法

[发明专利]顶板以及等离子体处理装置-CN200880000772.8无效
发明人：田才忠;西塚哲也;石桥清隆;野沢俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。
顶板以及等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN200910005390.0有效
发明人：松本直树;吉川润;西塚哲也;佐佐木胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置，可以提高等离子体点火性，适于进行等离子体处理。等离子体处理装置(11)具备：保持台(14)，配置于处理容器(12)内，在其上保持半导体基板(W)；电介质板(16)，配置于与保持台(14)相面对的位置，将微波导入处理容器(12)内；等离子体点火单元，在利用所导入的微波在处理容器(12)内产生了电场的状态下进行等离子体点火，在处理容器(12)内产生等离子体；控制部(20)，包含升降机构(18)，以进行将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为第一间隔，使等离子体点火单元动作，将保持台(14)与电介质板(16)的间隔变更为与第一间隔不同的第二间隔，进行对半导体基板(W)的等离子体处理。
等离子体处理装置方法

[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置、计算机程序以及记录介质-CN200780031715.1有效
发明人： 西塚哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻方法、蚀刻装置、计算机程序以及记录介质。该蚀刻方法是对形成在被处理体表面上的、介电常数小于SiO₂膜的介电常数的蚀刻对象膜实施蚀刻处理的蚀刻方法。该蚀刻方法包括将被处理体(S)载置在可真空排气的处理容器(12)内的载置台(16)上的工序、向上述处理容器(12)内供给规定的蚀刻气体并将该蚀刻气体等离子化的工序、和在存在有等离子化了的蚀刻气体的环境中将规定频率的高频电力作为偏压电力施加给上述载置台(16)的工序。施加上述高频电力作为偏压电力的工序包括施加第1频率的高频电力作为上述偏压电力的第1工序和施加与上述第1频率不同的第2频率的高频电力作为上述偏压电力的第2工序。
蚀刻方法装置计算机程序以及记录介质

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN200780000157.2无效
发明人： 西塚哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-13 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体蚀刻方法，该方法使用处理气体的等离子体实施蚀刻。该蚀刻处理对包括基板(101)、在该基板上形成的基底膜(102、103)、以及在该基底膜上形成的蚀刻对象膜(104)的被处理体(W)实行处理。使用由含氯气体以及含氧气体构成的主蚀刻气体和含氮气体作为处理气体。该蚀刻方法的特征在于，在从等离子体的发光光谱求出的N₂⁺的强度与N₂的强度的比N₂⁺/N₂为0.6以上的条件下，进行蚀刻。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻设备-CN200580040949.3有效
发明人： 西塚哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-18 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明是一种用于在能够被抽空以在其中产生真空的处理容器中，在等离子体存在的情况下在待处理物体上执行蚀刻处理的蚀刻方法，在待处理物体中，在由含硅材料制成的基底层上形成有由含钨材料制成的待蚀刻层，其中含氯气体、含氧气体和含氮气体被用作用于执行蚀刻处理的蚀刻气体。
蚀刻方法设备

[发明专利]用于处理衬底的等离子体处理系统-CN200580032890.3有效
发明人：陈立;神原弘光;田才忠;西塚哲也;野泽俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底。衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分，并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底，等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。
用于处理衬底等离子体系统

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