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[发明专利]用于以液态溶液或以气体形式产生氧和/或氮的活性簇的方法和设备-CN201780097827.0有效
发明人：乔瓦尼·巴尔科 -专利权人：乔瓦尼·巴尔科
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：用于产生活性的氧和/或氮簇(RONS)的方法提供了：将基本上由氧气及任何其同素异形体形式组成的气体混合物供给至等离子体溅射装置(24)的电离室，该等离子体溅射装置在低能级运行，以便将被电子轰击的气体混合物转变为包含RONS的等离子体，取出并收回以供使用，或者优选地将等离子体供给至半透膜过滤器(14)，该半透膜过滤器被设置成还被供给有用于可注射溶液的流体，使得所述等离子体中存在的RONS可以进入用于可注射溶液的流体成为溶液该方法有利地通过包括气体输送回路(12)和流体输送回路(11)的设备来实施，该气体输送回路包括氧气源(21)、等离子体溅射装置(24)、将氧基气体混合物供给到等离子体溅射装置(24)的电离室的供给元件(23)、用于从所述电离室收集等离子体的等离子体收集装置(25)，该流体输送回路包括用于可注射溶液的流体储存器(13)、其中还添加有从等离子体装置(24)取出的等离子体的半透膜过滤器(14)、蠕动泵(15
用于液态溶液气体形式产生活性方法设备

[发明专利]除去半导体器件的焊盘区中的晶格缺陷的方法-CN200410053074.8有效
发明人：吴长明;蒋晓钧;徐立;郭文彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种用氩气(Ar)等离子体溅射修复处理除去半导体器件的焊盘(PAD)区中的晶格缺陷的方法，在焊盘上形成聚酰亚胺保护层之后，检测焊盘区中是否存在晶格缺陷，如果焊盘区中存在晶格缺陷，氩气(Ar)等离子体溅射修复处理，以除去焊盘区中的晶格缺陷。
除去半导体器件焊盘区中的晶格缺陷方法

[发明专利]用于差分蚀刻的系统及方法-CN201310386258.5有效
发明人： R·G·比斯克伯恩;罗士忠;黃成一;A·C·汀 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：根据一种实施例的一种方法，包括：将基板放置于腔室内；以及在存在非零压力的蒸汽的情况下对基板进行等离子体溅射，其中处于非零压力的蒸汽对减小基板的第一材料的蚀刻速率是有效的。本发明还公开了根据一种实施例的一种等离子体溅射装置，包括：腔室；在腔室内的用于以确定的速率来释放蒸汽的储存器；用于基板的底座；以及等离子体源。
用于蚀刻系统方法

[发明专利]一种多层透明导电薄膜及其制备方法与应用-CN202110119993.4有效
发明人：宋安刚;霍方方;朱地;胡俊华;赵保峰;关海滨;徐丹;王树元 -专利权人：山东省科学院能源研究所
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层透明导电薄膜及其制备方法与应用，以氩气为等离子气源，以氧气为反应气体，在衬底上依次溅射第一二氧化钛膜、铜膜和第二二氧化钛膜，其中，二氧化钛膜采用远源等离子体溅射技术反应溅射沉积，铜膜采用直流溅射法溅射沉积是采用远源等离子体溅射技术在衬底上直流溅射沉积薄膜，通过控制反应溅射过程中的氧气流量和溅射功率，在相对较低的溅射功率和氧流量条件下，通过控制中间层铜薄膜的厚度来调控透明导电膜的光电性能。
一种多层透明导电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]涂覆类石墨薄膜的电池集流体及其制备方法、制备的极片-CN201911225327.8在审
发明人：周升国;党蕊;马利秋 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种涂覆类石墨薄膜的电池集流体及其制备方法、制备的极片，对金属箔集流体表面预处理去除其表面杂质后，采用氩等离子体溅射清洗金属箔集流体表面，然后采用磁控溅射法在金属箔集流体表面涂覆类石墨薄膜，类石墨薄膜厚度约为2.0μm，氩等离子体溅射清洗金属箔集流体表面和磁控溅射法在金属箔集流体表面涂覆类石墨薄膜时，预抽真空到1.0×10
集流体表面石墨薄膜金属箔涂覆集流体磁控溅射法氩等离子体溅射清洗极片制备电池预处理表面杂质活性物质基底偏压溅射功率阳极浆料预抽真空氩气气体强度差靶基烘干溅射气压去除

[发明专利]成膜方法以及成膜装置-CN201811074896.2在审
发明人：尾崎一人 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明使用各种靶体材料并通过等离子体溅射对基板进行高速且优质的成膜。在真空腔室(10)内将感应耦合天线(52)、(53)与具有靶体的溅射阴极(51)接近地配置，该感应耦合天线(52)、(53)具有由电介质层(522)、(532)覆盖匝数小于一圈的线状导体(521)、(531)的结构，向内部气压被调节成规定的成膜压力的真空腔室内供给溅射气体，并且分别向感应耦合天线施加高频电压、向溅射阴极施加负电压，使得在真空腔室内产生感应耦合等离子体，使由靶体被感应耦合等离子体溅射而产生的成膜粒子附着在基板靶体中的面向基板的表面的静磁场在沿着该表面的方向上的最大磁通密度为15mT以下。
靶体感应耦合天线成膜感应耦合等离子体溅射阴极真空腔施加室内等离子体溅射成膜粒子成膜压力成膜装置电介质层高频电压溅射气体面向基板内部气压线状导体真空腔室对基板负电压静磁场磁通附着基板溅射匝数覆盖配置

[发明专利]微波等离子体源离子注入装置-CN92111983.6无效
发明人：郭华聪 -专利权人：四川大学
申请日： 1992-11-16 - 公布日： 1994-05-25 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：微波等离子体源离子注入装置，是一种用于离子注入材料表面改性的设备。它由靶室[1]、真空系统[2]、供气系统[3]和一组或多组工作源[4，5，6，7]组成。每组工作源包括一个或多个微波等离子体源[4]和(或)一个或多个材料溅射源[5，6，7]，微波等离子体源用横磁瓶电子回旋微波等离子体源；材料溅射源可以用磁控溅射源[5]、微波等离子体溅射源[6]或真空电弧装置在工作真空度10-2—10-3Pa时，工件上接直流、交流或脉冲高压电源[8，14，15]，装置可进行离子注入、离子束动态混合，在工件表面形成优良的保护涂层。
微波等离子体离子注入装置

[发明专利]等离子体溅射成膜方法及成膜装置-CN200580035895.1有效
发明人：池田太郎;铃木健二;波多野达夫;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-10-18 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及利用等离子体溅射在半导体晶片(S)的上面和在上面开口的凹部的表面形成金属薄膜的技术。本发明的成膜方法的特征在于：利用放电气体的等离子体在处理容器(14)内溅射金属靶(56)而产生金属离子，同时，对载置台(20)施加偏置电力，其中，该电力的大小使在处理体(S)上面通过金属离子的引入进行的金属膜的沉积和通过放电气体的等离子体进行的溅射蚀刻同时发生
等离子体溅射方法装置

[发明专利]在基板上沉积材料的方法-CN202080092535.X在审
发明人： M.伦德尔;R.格鲁亚 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：提供了一种在基板上沉积材料的方法，该方法包括：远离适于等离子体溅射的一个或多个溅射靶产生等离子体，其中，所述一个或多个靶的至少一个不同区域包含碱金属、碱土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物或其组合；使用等离子体从所述一个或多个靶产生溅射材料；和在基板上沉积溅射材料，所述靶和基板之间的工作距离在系统的理论平均自由程的+/‑50％范围内。
基板上沉积材料方法

[发明专利]一种螺旋波等离子体溅射沉积氮化钨薄膜的方法-CN202210851191.7有效
发明人：黄天源;李茂洋;季佩宇;吴雪梅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺旋波等离子体溅射沉积氮化钨薄膜的方法。包括以下步骤：（1）基片预处理：将基片置于等离子溅射沉积装置内，在氩气和氮气存在的条件下，控制磁场强度为50‑1000高斯，对基片进行预处理；（2）溅射沉积：对钨靶板施加0‑300v的直流负偏压，调节输入功率为100‑1000w，进行等离子体溅射沉积，时间为5‑30；（3）真空退火：将基片置于马弗炉中进行真空退火处理，得到最后的氮化钨薄膜。本发明通过基片预处理再进行溅射沉积可以实现硅基片表面高质量氮化钨薄膜的快速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
一种螺旋等离子体溅射沉积氮化薄膜方法

[发明专利]一种等离子体溅射镀膜方法-CN201810115318.2有效
发明人：李波;赵娟;李洪涛;叶超;黄斌;黄宇鹏;张信;齐卓筠;欧阳艳晶;李学华;康传会 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型等离子体溅射镀膜方法，该装置由控制系统,高、低压储能单元,负极性高压预电离脉冲电路,双极性低压主脉冲电路,脉冲合成电路及等离子体负载组成；提出高压短脉冲对等离子体预电离和高功率双极性脉冲磁控溅射设计方法，对等离子体负载按照一定重复频率进行多次高压短脉冲预电离和高功率双极性脉冲电场处理，减小负极性高压短脉冲与高功率正、负双极性低压主脉冲之间的时间间隔，以增强电压脉冲与等离子体负载之间的耦合，用于解决靶材电离时刻不一致问题根据溅射靶材和等离子体气体的不同可以调节负极性高压短脉冲的宽度和电压幅值，可以降低磁控溅射装置内气体的工作气压，实现低气压溅射镀膜，有利于提高粒子的沉积速率和减小薄膜表面粗糙度。
高压短脉冲等离子体负载溅射镀膜负极性高功率预电离新型等离子体双极性脉冲双极性减小等离子体磁控溅射装置等离子体气体脉冲合成电路主脉冲电路薄膜表面磁控溅射低压储能电场处理电压脉冲工作气压溅射靶材控制系统脉冲电路重复频率耦合不一致粗糙度低气压速率和主脉冲电离靶材沉积粒子

[发明专利]塑料晶圆的处理方法、塑料晶圆、光栅片及光波导器件-CN202211041800.9在审
发明人：尹亚格;李莹;吾晓;饶轶 -专利权人：歌尔光学科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种塑料晶圆的处理方法、塑料晶圆、光栅片及光波导器件；所述处理方法包括：在塑料晶圆的表面上通过等离子体溅射法形成辅助表面；其中，所述等离子体溅射法采用的保护气体包括氩气和氧气的混合气体
塑料处理方法光栅波导器件

[发明专利]等离子体掺杂方法及用于其的设备-CN200680010314.3无效
发明人：佐佐木雄一朗;冈下胜己;伊藤裕之;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种等离子体掺杂方法和装置，形成于样品表面上的非晶层具有出色的面内均匀性。一种等离子体掺杂方法，其在真空腔内产生等离子体，并使该等离子体内的杂质碰撞样品表面以将样品表面改性为非晶态，其中等离子体辐射时间被调整以改善面内均匀性。如果等离子体辐射时间太短，则等离子体内的变化转移到硅基板上非晶层的深度，从而使面内均匀性恶化。如果等离子体辐射时间太长，使用等离子体溅射硅基板表面的效应占优势，从而使面内均匀性恶化。优选地发现介于其间的合适的等离子体辐射时间以提供良好的面内均匀性并在该时间内执行等离子体掺杂。
等离子体掺杂方法用于设备

[发明专利]一种ECR等离子体溅射装置及其溅射方法-CN201610103436.2有效
发明人：刁东风;范雪;陈成 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种ECR等离子体溅射装置及其溅射方法，包括从左至右依次设置的微波发生器、等离子体室、成膜室及预真空室；所述微波发生器依次通过微波导管及石英窗与等离子体室相连；所述等离子体室的外侧设置有第一磁线圈和第二磁线圈；所述成膜室的外侧设置有第三磁线圈；所述成膜室的近等离子体室端的等离子体室右侧电子回旋共振磁场处设置有圆筒形固定靶材，所述成膜室的近预真空室端设置有基板；所述圆筒形固定靶材通过靶材电源接地。本发明通过确定成膜室中圆筒形固定靶材和基板的位置关系，在封闭和发散两种磁场模式下都能够获得稳定的等离子体，以及最好的电子和离子照射效果。
一种 ecr 等离子体溅射装置及其方法

[发明专利]双空心阴极以及双空心阴极等离子体装置和应用-CN201110386985.2有效
发明人：付东坡;赵渭江;朱昆;郭鹏;丁杏芳;刘克新 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种双空心阴极以及双空心阴极等离子体装置和应用。本发明的装置包括灯丝、热阴极、阳极、双空心阴极、冷阴极、真空室以及磁铁，双空心阴极包括外壁和内衬层，为双层结构。双层空心阴极结构便于拆卸、更换内衬层从而适合对内衬层进行的观测分析，同时满足放电室溅射阴极产生单一或多种金属等离子体的需要。本发明采用在磁镜场操纵下的双空心阴极等离子体溅射模式能够高效率产生单一或多元金属的高密度等离子体和等离子体流，用于金属等离子体辐照材料表面改性和形成高纯高流金属离子束的研究；另一方面，结合各种表面分析技术对双空心阴极内表面的观测与分析，用于磁约束核聚变中的等离子体与器壁之间相互作用的研究。
空心阴极以及等离子体装置应用

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