“R.格鲁亚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]沉积材料的方法-CN202080092572.0在审
发明人： M.伦德尔;R.格鲁亚 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：提供了一种制造包括基板的电子部件的方法，该方法包括：产生远离溅射靶的等离子体，使用等离子体从溅射靶产生溅射材料，以及在基板上沉积溅射材料作为结晶层。
沉积材料方法

[发明专利]由不同材料制造结晶材料的方法-CN202080092221.X在审
发明人： M.伦德尔;R.格鲁亚 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种在表面上制造材料的结晶层的方法，该结晶层包含锂、至少一种过渡金属和至少一种抗衡离子，其中该方法包括以下步骤：将来自包含锂的第一靶的材料等离子体溅射到基板的表面或由基板支撑的表面上，至少存在对应于粒子从第一靶到表面上的轨迹的第一羽流，以及将来自包含至少一种过渡金属的第二靶的材料等离子体溅射到表面上，至少存在对应于粒子从第二靶到表面上的轨迹的第二羽流。第一靶定位成与第二靶不平行，第一羽流和第二羽流会聚在靠近基板表面或由基板支撑的表面的区域，并且结晶层形成在所述区域的表面上。
不同材料制造结晶方法

[发明专利]制造用于电池组的固态电池组阴极的方法-CN202080092226.2在审
发明人： R.格鲁亚 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：提供了一种制造固态电池组的电池组阴极的方法。该方法包括远离一个或多个适于形成阴极的靶(例如LiCoO2)产生等离子体，将一个或多个等离子体靶暴露于等离子体，从而从一个或多个靶产生溅射材料，在基板的第一部分上沉积溅射材料，从而在基板的第一部分上形成结晶材料，例如LiCoO2。
制造用于电池组固态阴极方法

[发明专利]形成结晶层的方法，形成电池组半电池的方法-CN202080092422.X在审
发明人： R.格鲁亚 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种在基板上形成固态电池组的结晶阴极层的方法，该方法包括：远离一个或多个溅射靶产生等离子体以用于形成阴极层，使用等离子体从一个或多个靶产生溅射材料，并将溅射材料沉积在基板上，从而形成结晶阴极层。
形成结晶方法电池组电池

[发明专利]在基板上沉积材料的方法-CN202080092535.X在审
发明人： M.伦德尔;R.格鲁亚 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：提供了一种在基板上沉积材料的方法，该方法包括：远离适于等离子体溅射的一个或多个溅射靶产生等离子体，其中，所述一个或多个靶的至少一个不同区域包含碱金属、碱土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物或其组合；使用等离子体从所述一个或多个靶产生溅射材料；和在基板上沉积溅射材料，所述靶和基板之间的工作距离在系统的理论平均自由程的+/‑50％范围内。
基板上沉积材料方法

[发明专利]用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备-CN202080089400.8在审
发明人： M.伦达尔;R.格鲁亚 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备。在一种形式中，该设备包括在使用中在其中提供基底的基底部分和在使用中在其中提供靶材料的靶部分。靶部分和基底部分在它们之间限定沉积区。该设备包括在使用中用于产生等离子体的天线装置和限制装置。限制装置包括天线装置和沉积区之间的第一元件以及第二元件。天线装置位于第二元件和沉积区之间。第一元件在使用中将等离子体限制成朝向沉积区，以提供靶材料到基底的溅射沉积。第二元件在使用中将等离子体限制成远离第二元件，朝向天线装置，并且经由第一元件朝向沉积区。
用于材料溅射沉积基底方法设备

[发明专利]用于将靶材料溅射沉积到基底的方法和设备-CN202080089407.X在审
发明人： M.伦德尔;R.格鲁亚 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种用于将靶材料溅射沉积到基底的设备。在一种形式中，该设备包括布置成沿着弯曲路径引导基底的基底引导件和与基底引导件间隔开并布置成支撑靶材料的靶部分。靶部分和基底引导件在它们之间限定沉积区。该设备包括限制装置，其包括一个或多个磁性元件，所述磁性元件布置成提供限制磁场以将等离子体限制在沉积区中，从而在使用中提供将靶材料溅射沉积到基底卷材，限制磁场的特征在于磁场线布置成至少在沉积区中基本沿着弯曲路径的曲线，从而将所述等离子体限制在弯曲路径的所述曲线周围。
用于材料溅射沉积基底方法设备

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top