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[发明专利]能量纯度模块、离子植入系统及减少其中粒子的方法-CN201980013322.0有效
发明人：常胜武;法兰克·辛克莱;亚历山大·利坎斯奇;克里斯多夫·坎贝尔;罗伯特·C·林德柏格 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种能量纯度模块、离子植入系统及减少其中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
能量纯度模块离子植入系统减少其中粒子方法

[发明专利]用于离子植入的装置、系统及方法-CN201880055977.X有效
发明人：常胜武;法兰克·辛克莱;亚历山大·利坎斯奇;菲力浦·莱恩 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种用于离子植入的装置、系统及方法，所述用于离子植入的装置可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。
用于离子植入装置系统方法

[发明专利]提供减少的粒子产生的静电过滤器-CN202080085364.8在审
发明人： 亚历山大·利坎斯奇;安东尼勒·可雀帝;艾立克·D·赫尔曼森;法兰克·辛克莱;杰·T·舒尔;罗伯特·C·林德柏格 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-10-25 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J37/12 文献下载
摘要：本文提供用于减少静电透镜中的粒子产生的途径。在一些实施例中，一种离子植入系统可包括：静电透镜，包括用于接收离子束的入口及用于向靶标递送离子束的出口，所述静电透镜包括沿着离子束线的第一侧设置的第一端子电极、第一抑制电极及第一接地电极，其中第一接地电极被接地且邻近出口定位。静电透镜可包括沿着离子束线的第二侧设置的第二端子电极、第二抑制电极及第二接地电极，其中第二接地电极被接地且邻近出口定位。植入系统还可包括电源供应器，所述电源供应器可操作以向静电透镜供应电压及电流，用于控制离子束。
提供减少粒子产生静电过滤器

[发明专利]方向性处理装置-CN202080058022.7在审
发明人： 亚历山大·利坎斯奇 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开一种方向性处理装置。所述装置包括工件支架及具有多个壁的离子源。所述多个壁中的至少一者上设置有提取孔口。在某些实施例中，所述多个壁界定中空区。中空区位于工件的正在被处理的部分上方，使得蚀刻副产物可被排出而不会沉积在离子源上。中空区的形状可被修改以进一步减少中空离子源上的沉积量。另外，在中空区内或中空区上方可设置有泵，以便于移除蚀刻副产物。在其他实施例中，离子源的提取孔口可设置在等离子体腔室的角落处。
方向性处理装置

[发明专利]高电流离子植入器以及使用高电流离子植入器控制离子束的方法-CN202080050339.6在审
发明人： 亚历山大·利坎斯奇;常胜武;法兰克·辛克莱;安东尼勒·可雀帝;艾立克·D·赫尔曼森;克里斯多夫·坎贝尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01J37/12 文献下载
摘要：本文提供用于增加静电透镜的操作范围的方法。离子植入系统的静电透镜可从离子源接收离子束，静电透镜包括沿着离子束线的一侧设置的第一多个导电束光学器件及沿着离子束线的第二侧设置的第二多个导电束光学器件。离子植入系统还可包括与静电透镜连通的电源供应器，所述电源供应器可操作以向第一多个导电束光学器件及第二多个导电束光学器件中的至少一者供应电压及电流，其中电压及电流使离子束偏转束偏转角度，且其中离子束在静电透镜内被加速然后被减速。
电流离子植入以及使用控制离子束方法

[发明专利]具有被施加偏压的萃取板的离子源-CN202080017866.7在审
发明人：史费特那·B·瑞都凡诺;具本雄;亚历山大·利坎斯奇 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开一种具有被电隔离的萃取板的间接加热式阴极离子源。通过将萃取板隔离，可对萃取板施加与电弧腔室的主体不同的电压。通过对萃取板施加更正的电压，可以更高的等离子体密度达成更高效的离子源操作。在此模式下，等离子体电位增大，且静电鞘减少去往腔室壁的电子的损失。通过施加更负的电压，可邻近萃取孔形成富含离子的鞘。在此模式下，经由离子轰击达成对萃取板的调节及清洁。此外，在某些实施例中，被施加到萃取板的电压可以是脉动式的，以使离子萃取与清洁能够同时发生。
具有施加偏压萃取离子源

[发明专利]静电过滤器以及使用静电过滤器控制离子束的方法-CN201980076390.1在审
发明人： 亚历山大·利坎斯奇;法兰克·辛克莱;常胜武 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：一种设备可包括：主腔室，所述主腔室包括多个电极；入口隧道，所述入口隧道具有沿第一方向延伸至所述主腔室中的入口轴线；以及出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口轴线及所述出口轴线在所述入口轴线与所述出口轴线之间界定为至少30度的束弯曲。
静电过滤器以及使用控制离子束方法

[发明专利]使用静电过滤器控制离子束的设备以及方法-CN201980076472.6在审
发明人： 亚历山大·利坎斯奇;法兰克·辛克莱;常胜武 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：提供一种设备。所述设备可包括：主腔室；入口隧道，所述入口隧道具有延伸至所述主腔室中的入口轴线；出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲；以及电极总成，设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径。所述电极总成可包括设置于所述束路径的第一侧上的上部电极及设置于所述束路径的第二侧上的多个下部电极，所述多个下部电极包括至少三个电极。
使用静电过滤器控制离子束设备以及方法

[发明专利]静电过滤器以及使用静电过滤器控制离子束性质的方法-CN201980076385.0在审
发明人： 亚历山大·利坎斯奇;法兰克·辛克莱;常胜武 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：提供一种设备。所述设备可包括：主腔室；入口隧道，具有沿第一方向延伸至所述主腔室中的传播轴线；出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口方向。所述入口隧道及所述出口隧道可在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定至少30度的束弯曲。所述设备可包括电极总成，所述电极总成设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口孔隙之间界定束路径，其中所述电极总成包括设置于所述束路径的第一侧上的下部电极及设置于所述束路径的第二侧上的多个电极，所述多个电极包括至少五个电极。
静电过滤器以及使用控制离子束性质方法

[发明专利]处理设备及处理衬底的方法-CN201780024188.5有效
发明人：科斯特尔·拜洛;皮尔·卢比克;泰勒·洛克威尔;克里斯多夫·坎贝尔;维克拉姆·辛;凯文·M·丹尼尔斯;理查德·J·赫尔特;彼得·F·库鲁尼西;亚历山大·利坎斯奇 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种处理设备及处理衬底的方法，所述处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
处理设备衬底方法

[发明专利]静电过滤器以及具有非对称静电组态的离子植入器-CN201980074911.X在审
发明人： 亚历山大·利坎斯奇;法兰克·辛克莱;常胜武;艾立克·D·赫尔曼森;尼文·H·克雷 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：一种设备可包括：主腔室；入口隧道，具有延伸到所述主腔室中的入口轴线；以及出口隧道，连接到所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲。所述设备可包括：电极装配件，设置在所述主腔室中、所述出口隧道的下侧上；以及抓持装配件，设置在所述主腔室内、处于所述出口隧道的外部孔隙的视线中。
静电过滤器以及具有对称组态离子植入

[发明专利]离子植入系统以及去除其的射束线构件上沉积物的方法-CN202011058388.2在审
发明人：凯文·安葛林;威廉·戴维斯·李;彼得·库鲁尼西;里安·道尼;杰·T·舒尔;亚历山大·利坎斯奇;威廉·M·贺伯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
离子植入系统以及去除射束线构件沉积物方法

[发明专利]离子植入系统以及原位等离子清洗方法-CN201680033326.1有效
发明人：凯文·安葛林;威廉·戴维斯·李;彼得·库鲁尼西;里安·道尼;杰·T·舒尔;亚历山大·利坎斯奇;威廉·M·贺伯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本文提供离子植入系统以及原位等离子清洗方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
离子植入系统以及原位等离子清洗方法

[发明专利]包含内部加热元件的导电束光学器件-CN201980013814.X在审
发明人：常胜武;法兰克·辛克莱;亚历山大·利坎斯奇;克里斯多夫·坎贝尔;罗伯特·C·林德柏格;艾立克·D·赫尔曼森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本文提供减少离子植入机中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
包含内部加热元件导电光学器件

[实用新型]用于静电过滤器的电极-CN202020170300.5有效
发明人：罗伯特·C·林德柏格;亚历山大·利坎斯奇;惠妮·拉伯斯;法兰克·辛克莱;史费特那·瑞都凡诺 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于静电过滤器的电极。在一些实施例中，系统可包含接收离子束的静电过滤器，静电过滤器包含安置在离子束线的相对侧的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极中的每一个具有位于第一端与第二端之间的中心区域，其中第一电极的第一外表面与第二电极的第二外表面之间的距离沿着在第一端与第二端之间延伸的电极纵轴变化。系统可进一步包含与静电过滤器连通的电源，电源可操作以向第一电极和第二电极供应电压和电流，其中第一外表面与第二外表面之间的可变距离引起离子束会聚或发散。
用于静电过滤器电极

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