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[发明专利]具有原位形成的阻燃剂的聚合物-金属夹层结构及其制造方法-CN202210562642.5在审
发明人： S·白;V·R·埃塔拉朱 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：所述第一层在所述第一粘结表面处含有或能够释放第一离子类型的阴离子，所述第二层在所述第二粘结表面处含有或能够释放第二离子类型的阳离子，并且所述第三层由阻燃剂制成，所述阻燃剂由第一离子类型的阴离子与第二离子类型的阳离子形成
具有原位形成阻燃聚合物金属夹层结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110469847.4在审
发明人：于业笑;刘忠明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：：提供基底，基底包含分立的多条位线结构；在基底上形成分立的多个第一有源区，每条位线结构与至少两个第一有源区电连接；对第一有源区进行第一外延生长工艺，形成位于第一有源区上方的第二有源区，第二有源区的掺杂离子类型与第一有源区的掺杂离子类型不同；形成栅极结构和多条连接结构，栅极结构覆盖第二有源区侧壁，每一条连接结构电连接至少两个栅极结构的栅极，连接结构与电连接的栅极构成字线；在第二有源区上形成第三有源区，第三有源区的掺杂离子类型与第一有源区的掺杂离子类型相同
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种含乙基苯基硅氧链节的硅氧烷共聚物及其制备方法-CN201410406597.X有效
发明人：伍川;武侠;董红;蒋剑雄;王新良;于丽娇;许景;曾正好 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C08G77/04 文献下载
摘要：该方法以乙基苯基二烷氧基硅烷和二甲基二烷氧基硅烷为原料，在阴离子类型或阳离子类型的水解催化剂作用下，水解缩合生成由乙基苯基硅氧链节和二甲基硅氧链节组成的低聚物，再以低聚物作为聚合反应原料，与不同结构类型的封端剂一起，在阴离子类型或阳离子类型的聚合反应催化剂作用下进行反应，反应产物经中和或者分解催化剂、减压蒸馏脱除低沸物等操作后，得到不同官能团封端的聚(二甲基‑乙基苯基)硅氧烷共聚物。
一种乙基苯基硅氧链节硅氧烷共聚物及其制备方法

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201510631672.7在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括在第二部分第一鳍部侧壁表面形成第一侧墙；在第二部分第二鳍部侧壁表面形成第二侧墙；对第一部分第二鳍部进行第一等离子体掺杂处理，第一等离子体掺杂处理的掺杂离子类型与第二阱区的掺杂离子类型相同；对第一部分第一鳍部进行第二等离子体掺杂处理，第二等离子体掺杂处理的掺杂离子类型与第一阱区的掺杂离子类型相同；在进行第一等离子体掺杂处理和第二等离子体掺杂处理之后，对第一鳍部和第二鳍部进行退火处理；去除第一侧墙和第二侧墙
场效应形成方法

[发明专利]存储装置、凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法-CN201910598466.9有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：该凹陷沟道阵列晶体管的制备方法包括：形成依次层叠的基底、第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；在第一半导体层中注入第一离子；在第二半导体层中注入与第一离子类型相同的第二离子，且注入剂量大于第二离子；形成开口于第三半导体层且延伸至第一半导体层的凹槽通道；通过凹槽通道的底部注入与第一离子类型相反的第三离子；第一离子的注入剂量与第二离子的差值，小于第三离子的注入剂量；形成栅极绝缘层和栅极；在第三半导体层中注入与第二离子类型相反的第四离子
存储装置凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911259012.5在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底内具有第一离子；在衬底上形成复合层，所述复合层包括多层纳米线和位于相邻纳米线之间的初始牺牲层；在所述复合层内形成源漏开口，所述源漏开口暴露出所述复合层侧壁表面；刻蚀所述源漏开口暴露出的衬底，在所述源漏开口底部形成隔离开口；在所述隔离开口的底部表面和侧壁表面形成第一掺杂层，所述第一掺杂层内具有第二离子，所述第二离子的类型与所述第一离子的类型相同，且所述第二离子的浓度大于所述第一离子的浓度；在源漏开口内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层内的离子类型与所述第二离子类型相反。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]碳化硅功率器件终端结构的制造方法-CN201810307901.3有效
发明人：颜世桃;郑渚;杨彬;李程;丁庆 -专利权人：深圳市太赫兹科技创新研究院;华讯方舟科技有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率器件终端结构的制造方法，所述方法包括：提供制备有主结的碳化硅衬底；于所述碳化硅衬底中形成临近所述主结的第一掺杂区；在所述第一掺杂区中形成沿远离所述主结的方向离子浓度依次递增的第一渐变区；基于同一结终端窗口，对所述第一渐变区同时进行反类型离子注入，形成沿远离所述主结的方向上离子浓度依次递减的第二渐变区；其中，所述碳化硅衬底、所述第一掺杂区和所述第一渐变区中掺杂的离子类型为第一导电类型，所述主结和所述第二渐变区中掺杂的离子类型为第二导电类型。
碳化硅功率器件终端结构制造方法

[发明专利]一种终端与基站协商应用支持能力的系统及方法-CN201010105040.4无效
发明人：陆婷;余媛芳 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H04W28/18 文献下载
摘要：一种终端与基站协商应用支持能力的系统及方法，该方法包括：终端与基站进行会话协商时采用不用的子类型取值标识各应用子类型。该系统包括终端及基站；终端，用于与基站进行会话协商时采用不用的子类型取值标识终端支持的各应用子类型和/或识别基站采用不用子类型取值标识的基站支持的各应用子类型；基站，用于与终端进行会话协商时识别采用不用子类型取值标识的终端支持的各应用子类型和/或采用不用的子类型取值标识基站支持的各应用子类型。采用本发明的技术方案，不论终端及基站的版本如何，基站均能从终端上报的应用子类型中准确识别出终端所支持的应用子类型及其能力，进而正确选择出绑定业务流的应用子类型。
一种终端基站协商应用支持能力系统方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510920864.X有效
发明人：仲纪者;吴智华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：形成具有掺杂离子的衬底，包括器件区域和围绕器件区域的保护环区域；在保护环区域的衬底内形成与衬底的掺杂离子类型不同的深阱埋层；在深阱埋层上方的保护环区域衬底内形成环绕保护环区域的第一阱区以及环绕第一阱区的第二阱区，第一阱区和第二阱区均与深阱埋层相连并延伸至衬底表面，且掺杂离子类型与衬底不同；在衬底表面形成保护环结构。本发明通过形成深阱埋层、第一阱区和第二阱区，构成封闭的抗干扰护栏，由于深阱埋层、第一阱区和第二阱区的掺杂离子类型与衬底不同，因此构成的抗干扰护栏可以隔绝保护环区域的衬底，从而防止干扰信号通过保护环结构进入衬底内而影响其他器件的电学性能
半导体器件及其制造方法

[发明专利]原子类型定义系统及其原子类型匹配方法-CN201810420888.2有效
发明人：师雪坤;曹风雷;杨明俊;孙广旭;张佩宇;马健;赖力鹏;温书豪 -专利权人：深圳晶泰科技有限公司;深圳智药科技有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明属于力场技术领域，具体为原子类型定义系统及原子类型匹配方法，包括原子类型可视化UI界面、原子类型匹配模块、原子类型数据管理模块、原子类型格式转换模块；所述的原子类型数据管理模块包括原子类型定义数据包本发明设计的原子类型定义方式可以描述嵌套关系、继承关系、层级关系、树形关系和各种复杂的原子化学环境，提升了描述能力，能描述更丰富、更精确的原子类型，力场的计算就能更准确。可以对原子类型实现便捷的操作，增、删、改、查、多维度统计都非常直观方便。比现有的方法效率更高效，匹配的准确度更高。
原子类型定义系统及其匹配方法

[发明专利]一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法-CN201510146078.9有效
发明人：李衍存;蔡震波;张庆祥;赵小宇;贾晓宇 -专利权人：北京空间飞行器总体设计部
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法，步骤如下根据加速器重离子类型和初始能量，确定重离子在硅中的初始射程；根据加速器重离子类型和要求的重离子LET值，确定对应的重离子在硅中的射程；根据重离子初始射程和与要求重离子LET值对应的重离子在硅中的射程，确定当降能片材料为硅时，屏蔽材料的厚度；确定硅材料厚度与降能片厚度的厚度转换系数；将硅材料的厚度转化为降能片的厚度。
一种离子加速器粒子试验降能片厚度快速确定方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310398736.4有效
发明人：魏琰;邱慈云;施雪捷;宋化龙;刘欣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；对所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行第一轻掺杂离子注入，形成第一轻掺杂区；对所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行第二轻掺杂离子注入，形成第二轻掺杂区，第二轻掺杂离子注入的剂量小于第一轻掺杂离子注入的剂量，第二轻掺杂离子注入的离子能量高于第一轻掺杂离子注入的离子能量，并且第一轻掺杂离子注入的离子类型和第二轻掺杂离子注入的离子类型相同
半导体结构形成方法

[发明专利]一种高固含量聚丙烯酰胺乳液的制备方法-CN201510808742.1有效
发明人：滕大勇;滕厚开;周立山;牛心蕙;徐俊英;宋晓莉 -专利权人：中国海洋石油总公司;中海油天津化工研究设计院;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C08F220/56 文献下载
摘要：本发明的制备方法是使用粘度低、承载能力强的溶剂油，形成高单体浓度的油包水乳液，确保聚合过程中不出现油水分离、破乳结块等现象，同时采用低温引发分段引发工艺，并根据乳液离子类型调节各聚合阶段的反应时间，得到高固含量的聚丙烯酰胺乳液本发明的有益效果在于，采用低温引发分段引发工艺，解决了高固含量乳液制备过程中的散热问题，并且针对阳离子、阴离子、非离子等乳液类型有相应的工艺调整，多离子类型乳液的制备工艺满足水处理、造纸、油田开采等各行业应用的要求
一种含量聚丙烯酰胺乳液制备方法

[发明专利]本征MOS晶体管及其形成方法-CN201010111103.7有效
发明人：黎坡 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：晶体管及其形成方法，所述本征MOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅介质层和栅电极，所述栅电极一侧的半导体衬底为源区，另一侧的半导体衬底为漏区；对所述源区和漏区进行第一离子注入，在所述半导体衬底内直接形成源极和漏极；对所述栅电极进行第二离子注入，所述第二离子注入的离子类型与所述第一离子注入的离子类型相反。
mos 晶体管及其形成方法

[发明专利]一种半导体结构-CN202210599310.4在审
发明人：肖剑锋;唐怡 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：，包括：衬底以及位于所述衬底上方的有源柱，所述有源柱沿第一方向延伸，所述第一方向与衬底平面平行；所述有源柱包括沿第一方向延伸的体区以及环绕所述体区的外围区；所述外围区包括沟道区；其中，所述沟道区的掺杂离子类型和所述体区的掺杂离子类型相同
一种半导体结构

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