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[发明专利]综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法-CN201810140027.9有效
发明人：朱美萍;曾婷婷;邵建达;易葵;孙建;李静平;王建国;张伟丽 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：一种电子束蒸发、离子束辅助与离子束溅射综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法，设备包括由左电子枪坩埚、右电子枪坩埚、离子源辅源、离子源主源、溅射靶材和夹具盘组成的综合沉积系统。本发明结合了电子束蒸发沉积技术、离子束辅助沉积技术及离子束溅射沉积技术的优点，不但能够提高膜层质量，而且能够提高镀膜效率、降低镀膜成本。
综合沉积镀膜设备方法

[发明专利]一种装配阴极溅射环的阳极层离子源-CN201811565354.5在审
发明人：郑军;周晖;赵栋才;肖更竭;徐嶺茂;蒋钊 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种装配阴极溅射环的阳极层离子源，属于离子源清洗、刻蚀和薄膜辅助沉积技术领域。所述离子源是在现有通用结构的阳极层离子源的阴极外环上紧密贴合安装阴极外环溅射环和/或在阴极内环上紧密贴合安装阴极内环溅射环获得；所述溅射环安装在阴极的溅射损伤面上，保障阴极不受溅射损害；通过采用场电子发射率高的材料、溅射产额低的材料和/或镀膜待掺杂的材料作为所述溅射环的材料，可实现提高离子源的离子束强度、延长了阳极层离子源的使用寿命以及薄膜掺杂辅助沉积。
阴极溅射阳极层离子源紧密贴合阴极溅射离子源内环装配辅助沉积技术电子发射率离子源清洗薄膜掺杂辅助沉积使用寿命通用结构掺杂的离子束镀膜刻蚀薄膜损伤损害

[发明专利]降低立方氮化硼薄膜应力的方法-CN200810119797.1无效
发明人：范亚明;张兴旺;谭海仁;陈诺夫 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源；步骤3：将衬底加热；步骤4：离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar⁺离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar⁺及N₂⁺的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜；步骤5：在离子束辅助沉积系统中将衬底降温；步骤6：取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。
降低立方氮化薄膜应力方法

[发明专利]离子镀膜机、气体离子刻蚀清洗方法及辅助沉积方法-CN201510591937.5在审
发明人：董骐;白天心;罗蓉平;田俊瑞;杜建;赵海波 -专利权人：北京丹鹏表面技术研究中心
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及物理气相沉积离子镀膜技术领域，尤其是涉及一种配置气体离子源的离子镀膜机及气体离子刻蚀清洗、辅助沉积方法。本发明在离子镀膜机的真空腔内壁或者法兰上设置一台或多台气体离子源装置，利用气体离子源装置产生的气体等离子体对待镀工件表面进行轰击，实现待镀工件表面的气体离子刻蚀清洗。气体离子源装置可以在大范围内稳定放电，能够控制气体离子刻蚀清洗过程对工件表面的损伤程度，同时实现工件表面的彻底清洁和活化；另外，在离子镀膜过程中，将通入气体离子源的反应气体同时离化，增加气体粒子的化学反应活性，达到气体离子辅助沉积的作用，实现更好的化学反应膜层质量。
离子镀膜气体刻蚀清洗方法辅助沉积

[发明专利]掺杂类金刚石涂层的多离子束溅射沉积技术-CN201010132905.6无效
发明人：付志强;王成彪;岳文;彭志坚;于翔 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种制备掺杂类金刚石(DLC)涂层的多离子束溅射沉积方法，特征是首先利用超声波清洗去除工件表面污染层，利用离子源产生的氩离子束对工件表面进行离子束轰击清洗，获得原子级的清洁表面；然后利用离子束辅助溅射沉积方法制备梯度过渡层；最后在梯度过渡层上利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层。利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层的过程中，在溅射离子源轰击石墨靶和金属靶产生的碳粒子和金属粒子沉积到工件表面的同时，辅助沉积离子源产生的气体离子持续轰击生长的膜层表面，调控膜层微观结构和实现多元素掺杂
掺杂金刚石涂层离子束溅射沉积技术

[发明专利]一种光学薄膜沉积设备及方法-CN201910900627.5有效
发明人：刘浩;赵祖珍;沈洋;孙兵妹 -专利权人：深圳清华大学研究院
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及光学薄膜沉积领域，公开了一种光学薄膜沉积设备及方法。光学薄膜沉积设备包括离子源、基片夹具、夹具底座、底座固件、真空室、均匀性修正挡板、气路系统、宽光谱膜厚监控系统；离子源位于真空室的顶部，基片夹具置于离子源下方，基片夹具放置于夹具底座上部，夹具底座置于底座固件内部，底座固件位于真空室底部，均匀性修正挡板设置于离子源与基片夹具之间；气路系统与真空室相连通，气路系统向真空室内运输气体进行薄膜沉积并维持真空室内压强稳定；宽光谱膜厚监控系统与真空室连接，实时监控薄膜沉积的厚度本发明利用离子束辅助原子层沉积技术，从而对原子层沉积薄膜的应力实现控制，降低薄膜沉积的应力。
一种光学薄膜沉积设备方法

[实用新型]一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置-CN202023279035.3有效
发明人：解传佳;张永胜;刘浏 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种HIT电池连续镀膜PVD中离子源辅助装置，属于HIT电池制备技术领域。针对现有技术中存在的HIT电池的PVD镀膜时使用离子源辅助会牺牲阴极位，影响产能，且离子源与阴极在同一腔室容易导致工艺不稳定等问题，本实用新型提供一种连续镀膜PVD中离子源辅助装置，分子泵室与溅射室间隔设置，载板依次通过工艺室中各分子泵室和溅射室；离子源位于分子泵室中，旋转阴极设置在溅射室中，载板依次进入分子泵室和溅射室，分子泵室的离子源对基底表面的薄膜进行处理，溅射室的旋转阴极在基底沉积薄膜，离子源设置在分子泵室，实现无需占用阴极位置即可进行离子源辅助应有，生产工艺更稳定效率更高。
一种 hit 电池连续镀膜 pvd 离子源辅助装置

[发明专利]光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法-CN200410067901.9无效
发明人：张大伟;邵建达;范正修;王英剑;黄建兵;张东平;尚淑珍 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： G02B1/12 文献下载
摘要：一种光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法的关键是：采用物理真空电子枪蒸发沉积方式；选取低能量、高束流的霍尔型辅助离子源；基底不施加烘烤；沉积时，所述霍尔型辅助离子源的离子的具体参数根据薄膜所需的折射率和薄膜不结晶而确定本发明所制备的氧化锆薄膜具备常温沉积的非晶优点和离子辅助技术的高射率、高附着力的优点，薄膜光学均匀。
光学均匀氧化锆薄膜制备方法

[发明专利]一种离子源辅助沉积系统、沉积方法及真空镀膜设备-CN202211032636.5有效
发明人：田修波;柏贺达 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种离子源辅助沉积系统、沉积方法及真空镀膜设备，涉及真空镀膜技术领域。离子源辅助沉积系统包括阴极、阳极、进气管和绝缘外壳；阴极具有靶面，阴极接有阴极电源；阳极环绕靶面设置，阳极突出于靶面，阳极接有阳极电源；进气管的出口位于阴极与阳极之间；绝缘外壳环绕靶面设置，以形成电离室上述离子源辅助沉积系统能够增加工作气体的离化率，在小气流量的情况下保持放电稳定性，能够降低等离子体在向外喷射过程中与工作气体原子碰撞的频率，从而降低等离子体的能量损失，且等离子体的运动方向不易改变，最终保证有足够多的等离子体到达基片，增强沉积效果，提高膜层质量。
一种离子源辅助沉积系统方法真空镀膜设备

[发明专利]一种柔性空间用三结太阳电池减反射膜制备方法-CN201711441256.6有效
发明人：孙希鹏;李晓东;铁剑锐;杜永超;梁存宝;王鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种柔性空间用三结太阳电池减反射膜制备方法，在常温下，采用电子束热蒸发和离子源辅助沉积相结合的方法在所述太阳电池表面沉积所述减反射膜；所述离子源为MarkⅡ型霍尔离子源；所述霍尔离子源的阳极加速电压为150V～180V，辅助粒子束流为5A～6A。本申请的有益效果是：能够在常温下进行柔性太阳电池的减反射膜的沉积，既保证减反射膜具有满足要求的折射率又保证减反射膜具有足够的附着度；无需烘烤加热，省去了升温和降温的操作步骤，提升了太阳电池的生产效率。
一种柔性空间用三结太阳电池减反射膜制备方法

[发明专利]多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备-CN200910083508.1无效
发明人：龙世兵;刘明;陈宝钦;谢常青;贾锐;徐连生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，包括：一真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，设置于该真空腔室的顶部正中位置，其下表面与水平面平行；一刻蚀离子源，设置于该真空腔室的底部正中位置，与溅射沉积与刻蚀工件台相对；二溅射靶台，设置于该真空腔室的下部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向；二溅射离子源，设置于该真空腔室的中部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向，发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角；一辅助清洗离子源，设置于该真空腔室的中部，发射的离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。该设备兼备各种功能，可用于介质和金属材料的溅射沉积刻蚀抛光减薄和热处理。
多功能离子束溅射沉积刻蚀设备

[发明专利]离子源-CN01821886.5无效
发明人：韦恩·G·塞恩蒂 -专利权人：塞恩技术有限公司
申请日： 2001-11-29 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种用在薄膜离子辅助沉积中的离子源，其具有一个电离区(13)；一个供气源(22)，向电离区提供可电离气体；一个导致气体电离的气体激系统(11，12)，用于将离子形成指向目标的离子流的离子影响装置，以及一个控制离子源从而间歇性地产生离子流的离子源控制器。
离子源

[发明专利]使用进线表面工程源的方法与系统-CN201980041813.6在审
发明人：克里斯多夫·汉特曼;彼得·F·库鲁尼西;克里斯多福·A·罗兰德;约瑟·C·欧尔森;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开一种具有辅助等离子源的系统，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
使用表面工程方法系统

[实用新型]一种可调角度的蒸镀机离子源装置-CN202023296608.3有效
发明人：薛蒙晓 -专利权人：苏州佑伦真空设备科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：为了解决使得离子源能够适应各种不同的基板达到离子源辅助沉积技术最佳的效果的问题，本实用新型提出一种可调角度的蒸镀机离子源装置，离子源通过底架的升降柱或者更换底架调节在蒸镀机本体底板上部的上下距离，通过第一折杆与第三折杆通过螺母或者螺栓可拆卸连接，第二折杆与第四折杆通过螺母或者螺栓可拆卸连接，调节离子源的角度，使得离子源能够多角度的进行调节适应各种不同的基板，该结构简单，操作方便，制造成低。
一种可调角度蒸镀机离子源装置

[发明专利]阳极膜线性离子源辅助立方氮化硼涂层刀具的制备方法-CN201610688091.1在审
发明人：徐锋;叶鹏;吴金鑫;田帅;左敦稳 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种阳极膜线性离子源辅助立方氮化硼涂层刀具的制备方法，其特征是它的主要步骤有：刀具衬底的预处理；将衬底放入阳极膜线性离子源辅助射频磁控溅射沉积系统中沉积立方氮化硼（cBN）涂层，沉积具体参数：N₂和Ar的流量分别为5‑10sccm、25‑40sccm，衬底置于靶材上方约90mm，衬底负偏压100‑220V，衬底温度为600‑900˚C，射频功率300W，阳极膜线性离子源功率100‑300W，本底真空度5×10^‑4Pa，沉积气压0.5Pa，沉积时间4‑5h。
阳极线性离子源辅助立方氮化涂层刀具制备方法

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