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[发明专利]碳化硅MOSFET芯片-CN201911367261.6有效
发明人：王亚飞;陈喜明;刘锐鸣;赵艳黎;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅MOSFET芯片。该碳化硅MOSFET芯片包括设置于漂移层上的有源区、终端区和过渡区；所述有源区包括若干元胞结构，所述元胞结构包括与所述源区并排设置于所述第一阱区表面内且与所述源区远离所述元胞结构中心的一端接触的第二导电类型第一增强区以及位于所述元胞结构两侧的所述漂移层上方且与所述漂移层形成肖特基接触的第一肖特基金属层通过同时在碳化硅MOSFET芯片的有源区和过渡区集成SBD，改善碳化硅芯片的双极退化效应，提高芯片的可靠性。
碳化硅 mosfet 芯片

[发明专利]一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件-CN202110683397.9在审
发明人：林大野;王治中;蔡钦铭 -专利权人：广州爱思威科技股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件，所述碳化硅晶体的制备方法包括以下步骤：将甲基三氯硅烷和氢气在第一反应腔内进行还原分解反应，生成四氢化硅和乙烷；将所述四氢化硅和乙烷在第二反应腔内进行反应，生成碳化硅单晶；使所述碳化硅单晶在籽晶处形核、长大，结晶形成碳化硅单晶并生长成为碳化硅晶体。本发明以甲基三氯硅烷为原料，采用HTCVD方法生长制备碳化硅，显著降低了碳化硅制备过程中的反应温度，避免了碳源挥发造成碳化硅质量下降的问题，提高了制备所得的碳化硅晶体的质量。
一种碳化硅晶体制备方法晶片衬底半导体器件

[发明专利]碳化硅基板、半导体装置及SOI晶圆-CN201180032357.2无效
发明人：川本聪;中村将基 -专利权人：三井造船株式会社;株式会社ADMAP
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明提供高频损失少，且显示优异散热性的碳化硅基板。碳化硅基板S具备：由多结晶碳化硅构成的第1碳化硅层1、及由形成于第1碳化硅层的表面上的多结晶碳化硅构成的第2碳化硅层2，第2碳化硅层2具有比第1碳化硅层1更小的高频损失，且第1碳化硅层1具有比第2碳化硅层2更大的热传导率，第2碳化硅层2的表面侧在频率20GHz的高频损失为2dB/mm以下，热传导率为200W/mK以上。
碳化硅半导体装置 soi 晶圆

[发明专利]一种碳化硅静电吸盘及制作方法-CN202310786342.X在审
发明人：唐占银;王彩俊 -专利权人：无锡卓瓷科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅静电吸盘及制作方法，该碳化硅静电吸盘包括碳化硅电介质层、PVD电极层和碳化硅底座，PVD电极层位于碳化硅电介质层与碳化硅底座之间，碳化硅底座内部嵌设有引出电极，引出电极与PVD电极层电性连接，碳化硅电介质层顶部设有若干凸台。本发明具有硬度高、耐磨性好、结构简单、内部不会产生应力、PVD电极层均匀性好、厚度容易控制、碳化硅电介质层均匀性好、致密性好、碳化硅加工的工艺成熟、碳化硅的加工精度高的优点。
一种碳化硅静电吸盘制作方法

[实用新型]耐腐蚀碳化硅内衬管件-CN202123250337.2有效
发明人：丁峰;严乐忠;杨辉;丁纪章 -专利权人：江苏三耐特钢有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： F16L9/14 文献下载
摘要：本实用新型公开耐腐蚀碳化硅内衬管件，包括第一碳化硅内衬和第二碳化硅内衬，所述第一碳化硅内衬的外端面活动连接有用于限位的第二碳化硅内衬，且所述第一碳化硅内衬的结构与所述第二碳化硅内衬结构相同。本实用新型通过设置第一碳化硅内衬和第二碳化硅内衬，相对于整体原胚烧制改进之后的第一碳化硅内衬和第二碳化硅内衬，分位两瓣烧制后安装在管件内部，原坯占空间小，损坏率降低。
腐蚀碳化硅内衬

[发明专利]碳化硅逆变器共模电压幅值减小的方法和装置-CN201711465445.7在审
发明人：谭国俊;吴翔;李浩;刘光辉;杨波;马凯 -专利权人：徐州中矿大传动与自动化有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅逆变器共模电压幅值减小的装置，所述装置包括电流纹波最小共模电压减小PWM、驱动电路、三相碳化硅逆变器模块以及负载，所述电流纹波最小共模电压减小PWM由数字处理芯片完成电流纹波损耗最小目标下的三相占空比的实时计算并产生相应的三相开关序列，所述驱动电路根据电流纹波最小共模电压减小PWM输出的开关序列信号产生相应的碳化硅器件的驱动信号，所述三相碳化硅逆变器模块根据驱动电路发出的驱动信号控制碳化硅器件的开通和关断，所述负载与三相碳化硅逆变器模块连接
碳化硅逆变器电压减小方法装置

[发明专利]一种消除碳化硅功率UMOSFET的U槽sub-trench的刻蚀方法-CN202310951915.X在审
发明人：许一力;钱奇源 -专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种消除碳化硅功率UMOSFET的U槽sub‑trench的刻蚀方法，涉及芯片制造技术领域，包括以下步骤：S1、在碳化硅上表面铺设一层薄膜A，薄膜A的厚度根据所需刻蚀材料U槽深度决定；S2、在薄膜A的表面涂覆光刻胶，形成图形；S3、刻蚀薄膜A，去除光刻胶；S4、刻蚀碳化硅，形成常规刻蚀形貌U槽；S5、选取材料B，用材料B填充前工程形成的弧形孔洞；S6、常温刻蚀材料B；S7、选择高选择比气体刻蚀材料B，确保碳化硅侧壁不被刻蚀；S8、选择低选择比气体刻蚀材料B和碳化硅；S9、将碳化硅上的薄膜A去除；本发明刻蚀方法，可以避免光刻胶形貌变化造成的刻蚀不均匀，可以修复已有U槽底部sub‑trench，可以使U槽底面更加圆滑，避免电场集中问题
一种消除碳化硅功率 umosfet sub trench 刻蚀方法

[发明专利]一种碳化硅光伏器件-CN202011602490.4在审
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种碳化硅光伏器件，所述碳化硅光伏器件包括碳化硅基体和钝化层；所述碳化硅基体包括具有中间带的碳化硅光吸收材料；所述钝化层位于所述碳化硅基体的一侧表面，包括本征碳化硅。本发明提供的上述碳化硅光伏器件除电极与正面功能层外，采用全碳化硅材料，利用碳化硅材料的高导热系数，消除了背面钝化与背面热阻的矛盾，在获得较高器件效率的同时，可以获得较高的器件导热效率。
一种碳化硅器件

[发明专利]一种高纯碳化硅粉及其制备方法-CN201910483306.X有效
发明人：靳婉琪;耶夫亨·布乐琴科;王超;贾河顺;王雅儒 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅粉及其制备方法，属于半导体材料制备领域。该高纯碳化硅粉的制备方法包括下述步骤：提供β碳化硅粉和/或α碳化硅粉作为初碳化硅粉料；将初碳化硅粉料重结晶，制得碳化硅多晶块；将碳化硅多晶块除碳提纯，制得高纯碳化硅粉；所述重结晶的温度不低于2500℃。本申请通过重结晶的方法提高制得的高纯碳化硅粉的纯度，无需经过湿法冶金或酸洗步骤除杂，污染小、毒性小、操作性高；并且纯碳化硅粉在600‑799℃下通氧气的除碳提纯步骤使得碳化多晶块的去碳效果好、制得的高纯碳化硅粉的氧化程度低，高纯碳化硅粉用于生长碳化硅单晶的氧杂质影响小；该制备方法可制得纯度不低于99.9999％的高纯碳化硅粉，且高纯碳化硅粉的粒度可控。
一种高纯碳化硅及其制备方法

[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法-CN201280061374.3有效
发明人：日吉透;增田健良;畑山智亮 -专利权人：住友电气工业株式会社;国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在制造碳化硅半导体器件的方法中，通过向碳化硅层供应工艺气体同时加热所述碳化硅层来执行相对于碳化硅层的热蚀刻，所述工艺气体与碳化硅进行化学反应。通过热蚀刻在碳化硅层上形成碳膜(50)。碳化硅层被热处理，使得碳从碳膜(50)扩散进碳化硅层。
制造碳化硅半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN201910619462.4在审
发明人：河野洋志;大桥辉之;古川大 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置，具备：第一电极、第二电极、碳化硅层、和与第二碳化硅区域对置的栅极电极。碳化硅层具有：第1导电型的第一碳化硅区域，设在第一电极与第二电极之间，具有第一面和第二面；第一碳化硅区域与第一面之间的第2导电型的第二碳化硅区域；第一碳化硅区域与第一面之间的、与第二碳化硅区域分离的第2导电型的第三碳化硅区域；第二碳化硅区域与第一面之间的、与第一电极相接的第1导电型的第四碳化硅区域、第二碳化硅区域与第三碳化硅区域之间的、第1导电型杂质浓度比第一碳化硅区域高的第1导电型的第五碳化硅区域；以及第五碳化硅区域与第一面之间的、与第一电极相接的第2导电型的第六碳化硅区域。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210804976.9在审
发明人：河野洋志;田中克久 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具备：在碳化硅层的第1面侧沿第1方向延伸的沟槽；沟槽内的栅极电极；在碳化硅层中沿第1方向依次配置的第1导电型第1碳化硅区域、第2导电型第2碳化硅区域、第1导电型第3碳化硅区域、第4碳化硅区域；在第1至第4碳化硅区域与第1面之间设置且在第一方向上依次配置且杂质浓度比第1至第4碳化硅区域高的第1导电型第5碳化硅区域、第2导电型第6碳化硅区域、第1导电型第7碳化硅区域、第2导电型第8碳化硅区域；设在第5至第8碳化硅区域与第1面之间的第1导电型第9碳化硅区域；第9碳化硅区域与第1面之间的第2导电型第10碳化硅区域和第1导电型第11碳化硅区域；第1面侧的第1电极；与第1面对置的第2面侧的第2电极。
半导体装置

[发明专利]一种碳化硅二极管及其制造方法-CN201410037059.8在审
发明人：査祎英;杨霏;于坤山 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电子器件及其制造方法，具体涉及一种碳化硅二极管及其制造方法。碳化硅二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；碳化硅衬底上具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一层碳化硅；第一区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅上形成；第二区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅之上，第二区碳化硅、第一区碳化硅和第一层碳化硅形成台面结构，用于为碳化硅二极管提供边缘末端保护；第二区碳化硅上的第一电极；以及碳化硅衬底上的第二电极，还提供一种制造方法，本发明使碳化硅二极管制造过程简化，耐压能力提高
一种碳化硅二极管及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610109489.5在审
发明人：河野洋志;森塚宏平;堀阳一;山下敦子;新田智洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备碳化硅层；第1电极；绝缘膜，设置在碳化硅层与第1电极之间；第2电极，设置在碳化硅层的与第1电极相反的一侧，电连接于碳化硅层；第1导电型的第1碳化硅区域，设置在碳化硅层内的第1电极侧；第2导电型的第2碳化硅区域，设置在第1碳化硅区域内的第1电极侧；第1导电型的第3碳化硅区域，设置在第2碳化硅区域内的第1电极侧；第2导电型的第4碳化硅区域，设置在第2碳化硅区域内的第3碳化硅区域的第2电极侧；及第3电极，一端设置在比第3碳化硅区域更靠第1电极侧，另一端设置在比第3碳化硅区域更靠第4碳化硅区域侧，包含金属硅化物。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202111611613.5在审
发明人：朝羽俊介;楠本雄司;田中克久;原雄二郎;水上诚;古川大;河野洋志;永田真统 -专利权人：东芝电子元件及存储装置株式会社;株式会社东芝
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一碳化硅区域；第一碳化硅区域之上的第二导电型的第二碳化硅区域；第二碳化硅区域之上的第二导电型的第三碳化硅区域；第三碳化硅区域之上的第一导电型的第四碳化硅区域及第五碳化硅区域；第一电极，包含有在第一方向上位于第四碳化硅区域与第五碳化硅区域之间的第一部分；以及金属硅化物层，设置于第一部分与第三碳化硅区域之间，与第三碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第四碳化硅区域之间，与第四碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第五碳化硅区域之间，与第五碳化硅区域相接。
半导体装置制造方法