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[发明专利]一种碳化硅陶瓷制品及制备方法-CN201110331293.8有效
发明人：万龙刚;王建栋;刘臻;李刚;黄志林;吴吉光 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于耐火材料制备技术领域，尤其是涉及一种碳化硅陶瓷制品及制备方法；以碳化硅为主要原料，引入部分碳化硅微粉，采用有机结合剂，并引入添加剂B4C或单质B，在艾奇逊碳化硅冶炼炉2000~2300℃区域内烧结；上述制品所用的碳化硅原料组成及质量百分比为：碳化硅颗粒占65~75%、碳化硅细粉占15~20%、碳化硅微粉占10~15%；添加剂B4C为碳化硅原料重量的2~3%或单质B为碳化硅原料重量的1~2%，加入碳化硅原料重量的本发明提出的碳化硅陶瓷制品及制备方法改善了制品的导热性、高温强度及其化学侵蚀性。
一种碳化硅陶瓷制品制备方法

[发明专利]一种对碳化硅晶片进行减薄的方法-CN201010145299.1有效
发明人：汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种对碳化硅晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在碳化硅晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将碳化硅晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对碳化硅晶片背面进行减薄；步骤5：对碳化硅晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对碳化硅晶片背面进行中度研磨；步骤7：对碳化硅晶片背面进行低度研磨；步骤8：对碳化硅晶片背面进行精细研磨；步骤9：对碳化硅晶片背面进行抛光；步骤10：对碳化硅晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后碳化硅衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。
一种碳化硅晶片进行方法

[发明专利]一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用-CN202010724063.7有效
发明人：王路平;许晓林;刘鹏飞;高超;张九阳;王宗玉 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用。所述方法包括：S1、将含有贯穿微管的碳化硅晶体完全浸入坩埚内的熔液中；所述熔液的温度低于所述碳化硅晶体的熔点；S2、使所述熔液在所述碳化硅晶体的所述贯穿微管中进行液相生长结晶；S3、将所述碳化硅晶体从所述熔液中取出，获得所述贯穿微管数量降低的碳化硅晶体。本发明能在碳化硅晶体生长完成后进行微管愈合，无需在碳化硅晶体生长过程中进行调节，操作简单方便，便于实施，可有效降低碳化硅晶体中的微管数量，提高晶体的质量，还可以提高碳化硅产品应力分布均匀性、提高碳化硅产品导电性能
一种碳化硅晶体微管愈合方法产品应用

[发明专利]碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法-CN202010575275.3有效
发明人：蔡凯;郭少聪;王军;周维 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法，制备碳化硅籽晶的方法包括：在碳化硅籽晶本体的背面形成硅层；在所述硅层远离所述碳化硅籽晶的表面形成预制碳层，所述预制碳层覆盖所述硅层远离所述碳化硅籽晶本体的表面；使所述预制碳层与所述硅层反应生成碳化硅过渡层和碳层，得到碳化硅籽晶。该方法步骤简单，操作方便，对设备和技术人员没有苛刻要求，且得到的碳化硅籽晶可以有效缓解界面处的应力差异，使得界面处的结合更为牢固，同时显著改善了因为润湿性和热膨胀率差异导致的碳层脱落问题，进而可以有效提高采用该碳化硅籽晶生长的碳化硅晶体的质量
碳化硅籽晶组件及其制备方法晶体

[发明专利]一种稀土绿碳化硅及其用途和稀土绿碳化硅磨料磨具-CN201210188797.3无效
发明人：赵钧永 -专利权人：赵钧永
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土绿碳化硅及其用途和稀土绿碳化硅磨料磨具。现有的绿碳化硅的硬度和韧性度较低，用作磨料其磨削和切割能力弱，易破碎，回收价值低。而现有的稀土铈碳化硅颜色较差，商品的品质和性能不稳定并难以衡量。本发明的稀土绿碳化硅，其含有微量的稀土元素氯化物。其品质性能易于衡量、外观颜色接近普通绿碳化硅，性能和使用价值优于普通绿碳化硅和稀土铈碳化硅。该稀土绿碳化硅用作磨料，其显微硬度、韧性度显著提高，磨削切割性能大幅度提高。本发明的稀土绿碳化硅用于制造陶瓷材料，具有优良的机械和耐蚀性能。以本发明的稀土绿碳化硅制成的稀土绿碳化硅磨具有更优良的磨削性能。
一种稀土碳化硅及其用途磨料磨具

[发明专利]一种碳化硅纳米线宏观有序体及其制备方法-CN201810865340.9在审
发明人：杨金山;闫静怡;董绍明;周海军;胡建宝 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅纳米线宏观有序体及其制备方法，所述碳化硅纳米线宏观有序体的制备方法包括：将碳化硅纳米线分散于溶剂中，再加入分散剂、粘结剂和增塑剂混合，得到碳化硅纳米线浆料；采用流延法将碳化硅纳米线浆料制成无序碳化硅纳米线薄膜；采取机械拉伸法处理无序碳化硅纳米线薄膜，得到所述碳化硅纳米线宏观有序体。
碳化硅纳米线制备宏观浆料薄膜机械拉伸法分散剂流延法增塑剂粘结剂溶剂

[发明专利]一种碳化硅板修复的方法-CN201310151758.0无效
发明人：熊玉堂;杨启付;黄景德 -专利权人：福建省佳圣轩工艺品有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：一种碳化硅板修复的方法，涉及一种碳化硅板。提供一种可降低成本，解决产品粘脚的碳化硅板修复的方法。碳化硅板粗加工处理；将粗加工处理后的碳化硅板喷砂表面处理；将表面处理后的碳化硅板喷砂加热；将加热后的碳化硅板放至水帘机喷氧化铝涂层后，再用窑炉空烧，即得碳化硅板。
一种碳化硅修复方法

[发明专利]碳化硅粉末及其制备方法-CN201380050878.X有效
发明人：闵庚皙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：提供了一种制备碳化硅粉末的方法，该方法包括将第一碳化硅粉末与液态碳化硅前体混合；在第一温度下对该混合物进行退火并且将碳化硅前体转化为β相碳化硅颗粒物质；以及在第二温度下对该物质进行退火并且利用β相碳化硅颗粒物质将第一碳化硅粉末晶粒生长为第二碳化硅粉末
碳化硅粉末及其制备方法

[发明专利]碳化硅缓冲层电阻率的测试方法-CN201911101363.3在审
发明人：赵丽霞;杨龙;吴会旺 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明适用于碳化硅外延生长技术领域，提供了一种碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，该方法包括：在碳化硅衬底上的预设位置测量碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度；在与预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的电阻，获得第二厚度以及方块电阻，碳化硅片为在碳化硅衬底上生长缓冲层获得的样品；根据碳化硅衬底的厚度、碳化硅片的厚度以及方块电阻，计算获得缓冲层的电阻率，从而可以快速、准确地获得缓冲层的电阻率，本实施例采用的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法具有无损
碳化硅缓冲层碳化硅片电阻率衬底方块电阻预设位置测量碳化硅外延测试生长电阻无损

[发明专利]一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的方法-CN202110455797.4在审
发明人：毛开礼;魏汝省;赵丽霞;李斌;戴鑫;李天;范云;靳霄曦 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的方法，涉及碳化硅单晶制备技术领域；具体是将混合了粘合剂的碳化硅颗粒混合物烧结形成碳化硅多晶多孔块体，去除残余碳后将碳化硅多晶多孔块体放置于坩埚中碳化硅粉体上部，使碳化硅粉体和坩埚顶部的碳化硅籽晶相隔离，之后采用物理气相传输法制备碳化硅单晶；本发明降低了碳化硅单晶中的碳包体缺陷密度；通过控制多孔多晶料块的孔隙密度来实现对升华气氛输运的调节，从而调节晶体生长速率，有利于实现高质量碳化硅单晶的生长。
一种降低碳化硅内部碳包体缺陷密度方法

[发明专利]碳化硅肖特基二极管及其制作方法-CN201980000141.4有效
发明人：丘树坚;王兆伟 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种碳化硅二极管，其包含碳化硅衬底(20)、位于碳化硅衬底顶部的碳化硅层(24)、设置在碳化硅层上并沿着碳化硅层顶表面彼此分离两个第一低势垒金属部分(36)、连接到两个低势垒金属部分的第一高势垒金属部分碳化硅层比碳化硅衬底更薄并且具有更低的掺杂。第一高势垒金属部分位于碳化硅层上的沿着碳化硅层顶表面方向的两个第一低势垒金属部分之间。通过减小结势垒处的漏电流，碳化硅二极管的反向击穿电压显著提高。
碳化硅肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法-CN201911032088.4有效
发明人：侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;陈俊红;李斌 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法，其步骤包括：将碳化硅单晶片切割成碳化硅片，然后对碳化硅片进行超声清洗和化学腐蚀，除去碳化硅片表面的氧化物；以碳化硅片和石墨片分别作为阳极和阴极，在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化，制得碳化硅纳米线阵列；对碳化硅纳米线阵列进行剥离，使碳化硅纳米线阵列的阵列层脱落；以剥离后的碳化硅纳米线阵列为压电材料构筑上下电极式的压电纳米发电机。本发明提供的一种碳化硅纳米线阵列基压电纳米发电机的制备方法，制备过程简单、输出性能优越。
一种碳化硅纳米阵列压电发电机制备方法

[发明专利]一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法-CN202110151670.3有效
发明人：戴培赟;王东娟;李晓丽;殷铭良;张吉亮;路金喜 -专利权人：潍坊工商职业学院
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅陶瓷制备领域，具体涉及一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法。包括将碳化硅原料置于高纯石墨坩埚中，采用物理气相输运法制备碳化硅陶瓷，所述碳化硅原料在高纯石墨坩埚中自下而上分为三层，分别为碳化硅和淀粉形成的混合粉料A层，碳化硅和氮化硼形成混合粉料B层以及碳化硅粉形成的粉料本发明技术方案通过将三种不同粉料分层放置，在提高碳化硅陶瓷生长速率的同时避免了由于生长速率过快所导致的碳化硅晶体缺陷的产生，保证了碳化硅陶瓷的致密性。
一种利用氮化提高碳化硅陶瓷生长速率方法

[发明专利]一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法-CN202310905728.8有效
发明人：周元辉;陈建明;刘春艳 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法，包括使碳化硅产物块体进行破碎、筛分、清洗和干燥后获得碳化硅粉末，所述碳化硅产物块体为固相合成获得的碳化硅产物块体，所述碳化硅粉末的粒度为20目~80目；使碳粉、硅粉和所述碳化硅粉末均匀混合后得到用于所述固相合成的原料，所述原料中，所述碳化硅粉末的质量与碳粉和硅粉的质量之和的比值为0.04~0.2；将所述原料铺设至所述固相合成所用的坩埚内，将所述坩埚放入合成炉中，进行固相合成碳化硅。本发明的方法能够提高碳化硅固相合成出料率。
一种提高相合碳化硅出料率合成方法

[实用新型]一种铜带键合的环氧塑封车用功率模块封装结构-CN202222939283.9有效
发明人：马佳杰;江心悦;姚礼军;陈烨 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型提供一种铜带键合的环氧塑封车用功率模块封装，涉及电子电学技术领域，包括：散热铜基板，散热铜基板上连接有多个环氧料半桥模块；各环氧料半桥模块包括：氮化硅绝缘陶瓷基板，氮化硅绝缘陶瓷基板的上表面设有电路蚀刻区，氮化硅绝缘陶瓷基板下表面连接散热铜基板；引线框架，氮化硅绝缘陶瓷基板的两端分别连接一引线框架；多个碳化硅芯片，各碳化硅芯片设于电路蚀刻区；多根铜带，各铜带的一端和中段分别对应连接在各碳化硅芯片，各铜带的另一端键合在氮化硅绝缘陶瓷基板表面；环氧塑封外壳，氮化硅绝缘陶瓷基板包含于环氧塑封外壳盖内部。
一种铜带键合塑封用功模块封装结构