“杭州谱析光晶半导体科技有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果23个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种增加JFET区源极接触的井式槽VDMOSFET结构-CN202311165022.9在审
发明人：许一力 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种增加JFET区源极接触的井式槽VDMOSFET结构，包括碳化硅外延层，包括在定义单位范围内形成互相并联的六边形元胞1，JFET区上方顶端具有肖特基结，肖特基结上方多晶硅(G极)断裂，使G极与D极正对面积减小，肖特基结上方淀积有金属1，使得在将JFET区的多晶硅栅分开，降低了器件的Crss、Ciss、Coss、Qg、Eon、Eoff等一系列电学参数值，使器件性能更加优异，将传统体二极管从PN结二极管变成了具有抗浪涌电流功能的肖特基二极管，可以大幅度降低碳化硅MOSFET器件的体二极管的开启电压，从而降低体二极管正向压降，碳化硅外延层表面还刻蚀形成有一井式槽，井式槽开口向上并贯穿N‑SOURCE区下方并深入至Pwell区内，井式槽内淀积有金属2，另外采用六边形元胞与井式槽双重减小元胞尺寸，从提升器件电流密度，并且刻蚀难度低，低端无尖端电场集中，器件稳定性较高。
一种增加 jfet 区源极接触井式槽 vdmosfet 结构

[发明专利]一种碳化硅U槽VDMOSFET结构-CN202311086677.7在审
发明人：许一力 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅U槽VDMOSFET结构，包括至少两个相邻并联的U槽VDMOSFET元胞，其特征在于，所述U槽VDMOSFET元胞内刻蚀有一U槽，所述U槽VDMOSFET元胞包括碳化硅外延(D极)、离子刻蚀在所述碳化硅外延(D极)表面的Pwell区以及离子刻蚀在所述Pwell区表面的N‑SOURCE区，所述U槽开口向上并贯穿所述N‑SOURCE区，U槽两侧壁平行或非平行或不规则曲线状，所述U槽内淀积有S极金属，使得S极金属依然能够与N‑SOURCE区及Pwell区同时形成欧姆接触，从而实现相较于传统VDMOSFET，U槽VDMOSFET结构具有同V槽VDMOSFEET相同的尺寸优势。相较于V槽VDMOSFET，U槽VDMOSFEET结构能够极大限度的避免V槽可能产生的电场集中效应。
一种碳化硅 vdmosfet 结构

[发明专利]一种井式槽六边形元胞的碳化硅VDMOSFET结构-CN202311091109.6在审
发明人：许一力 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种井式槽六边形元胞的碳化硅VDMOSFET结构，包括N个在二维平面呈阵列分布的六边形元胞，所述六边形元胞包括碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上通过离子注入形成有二维平面阵列分布的Pwell区，所述Pwell区上通过离子注入形成有N‑SOURCE区，所述碳化硅外延层上刻蚀有贯穿所述N‑SOURCE区的井式槽，所述井式槽深入至所述Pwell区内，从而实现在宏观上采用六边形元胞来排布器件，实现器件的尺寸缩小，而在此结构基础上，进一步改进元胞的欧姆接触区无法避免的尺寸特点，实现更小的元胞尺寸，从而又进一步降低元胞尺寸，进而缩减器件尺寸，并且能够拥有更大的电流密度，此外，更能减少刻蚀难度，避免尖端电场集中，提升器件稳定性。
一种井式槽六边形碳化硅 vdmosfet 结构

[发明专利]一种增加JFET区源极接触的碳化硅V槽VDMOSFET结构-CN202311061044.0在审
发明人：许一力 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种增加JFET区源极接触的碳化硅V槽VDMOSFET结构,包括JFET区顶端具有肖特基结，所述肖特基结上方淀积有S极金属，所述S极金属淀积下方有栅源多晶硅(G极)，所述多晶硅(G极)外围包覆有绝缘隔离性的氧化层，所述多晶硅(G极)至少部分同步位于所述N‑SOURCE区和所述Pwell区上方，所述碳化硅外延层表面还刻蚀形成有一V槽，所述V槽贯穿所述N‑SOURCE区并凹陷至所述Pwell区内，所述S极金属通过Pwell区上方相邻两个所述多晶硅(G极)的氧化层淀积入所述V槽内，通过将VDMOSFET的JFET区顶端多晶硅栅分裂，降低G极与D极的正对面积，大幅降低碳化硅VDMOSFET的Crss、Ciss、Coss、Eon、Eoff、Qg、Qgd等参数，进一步大幅度降低器件的开关损耗，此外，具有更小的元胞尺寸，更大的电流密度。
一种增加 jfet 区源极接触碳化硅 vdmosfet 结构

[发明专利]一种增加JFET区源极接触的埋沟V槽碳化硅VDMOSFET结构-CN202311119294.5在审
发明人：许一力 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种增加JFET区源极接触的埋沟V槽碳化硅VDMOSFET结构，包括JFET区顶端具有肖特基结，肖特基结上方淀积有金属2，多晶硅(G极)外围包覆有绝缘隔离性的氧化层，多晶硅(G极)表面与金属2之间通过氧化层隔离，碳化硅外延层表面还刻蚀形成有一V槽，V槽开口向上并贯穿N‑SOURCE区下方并深入至Pwell区内，V槽上方连通形成有埋沟，V槽上方氧化层一体化并淀积入埋沟内，V槽内淀积有金属1能够与N‑SOURCE区及Pwell区同时形成欧姆接触，既能实现减少栅极覆盖面接在电容上降低器件的Crss等一些列参数，使器件性能更加优异，还可以将PN结二极管改进成具有抗浪涌电流功能的肖特基二极管，大幅度提升了器件的体二极管特性，另外，单个元胞尺寸大幅降低，增加电流密度。
一种增加 jfet 区源极接触碳化硅 vdmosfet 结构

[发明专利]一种消除碳化硅功率UMOSFET的U槽sub-trench的刻蚀方法-CN202310951915.X在审
发明人：许一力;钱奇源 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种消除碳化硅功率UMOSFET的U槽sub‑trench的刻蚀方法，涉及芯片制造技术领域，包括以下步骤：S1、在碳化硅上表面铺设一层薄膜A，薄膜A的厚度根据所需刻蚀材料U槽深度决定；S2、在薄膜A的表面涂覆光刻胶，形成图形；S3、刻蚀薄膜A，去除光刻胶；S4、刻蚀碳化硅，形成常规刻蚀形貌U槽；S5、选取材料B，用材料B填充前工程形成的弧形孔洞；S6、常温刻蚀材料B；S7、选择高选择比气体刻蚀材料B，确保碳化硅侧壁不被刻蚀；S8、选择低选择比气体刻蚀材料B和碳化硅；S9、将碳化硅上的薄膜A去除；本发明刻蚀方法，可以避免光刻胶形貌变化造成的刻蚀不均匀，可以修复已有U槽底部sub‑trench，可以使U槽底面更加圆滑，避免电场集中问题。
一种消除碳化硅功率 umosfet sub trench 刻蚀方法

[发明专利]一种增加JFET区源极接触的碳化硅U槽VDMOSFET结构-CN202311086668.8在审
发明人：许一力 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种增加JFET区源极接触的碳化硅U槽VDMOSFET结构，包括JFET区顶端具有肖特基结，所述肖特基结上方淀积有S极金属，所述S极金属淀积下方有栅源多晶硅(G极)，所述多晶硅(G极)外围包覆有绝缘隔离性的氧化层，所述多晶硅(G极)至少部分同步位于所述N‑SOURCE区和所述Pwell区上方，所述碳化硅外延层(D极)注入表面还刻蚀形成有一U槽，所述U槽贯穿所述N‑SOURCE区并凹陷至所述Pwell区内，所述S极金属通过Pwell区上方相邻两个所述多晶硅(G极)的氧化层淀积入所述U槽内，通过将VDMOSFET的JFET区顶端多晶硅栅分裂，降低G极与D极的正对面积，大幅降低碳化硅VDMOSFET的Crss、Ciss、Coss、Eon、Eoff、Qg、Qgd等参数，进一步大幅度降低器件的开关损耗，此外，具有更小的元胞尺寸，更大的电流密度。
一种增加 jfet 区源极接触碳化硅 vdmosfet 结构

[发明专利]一种碳化硅小体积型的V槽VDMOSFET结构-CN202311011698.2在审
发明人：许一力;钱奇源 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅小体积型的V槽VDMOSFET结构，包括碳化硅外延(D极)、嵌入在所述碳化硅外延(D极)注入表面等距分布的注入区，所述注入区包括Pwell区和N‑SOURCE区，所述N‑SOURCE区嵌设于所述Pwell区注入表面，其特征在于，所述注入区刻蚀形成有一开口向注入表面的V槽，所述V槽向碳化硅外延(D极)深处方向贯穿所述N‑SOURCE区，具有更小的单个元胞尺寸；在相同器件尺寸下，新结构将拥有更大的电流密度。
一种碳化硅体积 vdmosfet 结构

[发明专利]一种埋沟式V槽碳化硅VDMOSFET结构-CN202311061041.7在审
发明人：许一力 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种埋沟式V槽碳化硅VDMOSFET结构，至少两个相邻并联的VDMOSFET元胞，其特征在于，所述VDMOSFET元胞内具有一V槽，所述VDMOSFET元胞包括碳化硅外延(D极)、离子刻蚀在所述碳化硅外延(D极)表面的Pwell区以及离子刻蚀在所述Pwell区表面的N‑SOURCE区，所述V槽开口向上并贯穿所述N‑SOURCE区，所述V槽上方连通形成有埋沟，所述埋沟贯穿入部分所述N‑SOURCE区，所述V槽顶部最大开口宽度大于等于所述埋沟底部宽度，所述V槽内淀积有S极金属，使得S极金属依然能够与N‑SOURCE区及Pwell区同时形成欧姆接触，从而实现VDMOSFET元胞尺寸减小，进而达到在各材料性能达到极限后，仍能凭借自身结构优势降低器件尺寸。
一种埋沟式碳化硅 vdmosfet 结构

[发明专利]一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法-CN202310982020.2在审
发明人：许一力;钱奇源 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件技术领域，且公开了一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法，包括以下步骤：S1、在外延片表面生长一层多晶硅；S2、涂胶光刻，形成图形；S3、刻蚀多晶硅，去除光刻胶；S4、重新涂胶光刻，控制光刻胶形貌及厚度；S5、各向同性刻蚀，将光刻胶刻蚀干净；本发明中，通过改进光刻胶处理工艺，改进刻蚀工艺，将多晶硅栅的顶角圆润化，从而避免电场集中问题，提高器件可靠性，另外，该方法亦可用在其它需要顶角圆润化处理的材料上。刻蚀方法相对简单，仅需增加一步光刻；将顶角变为圆角；为隔离层氧化膜的进一步减薄提供保障。
一种多晶顶角圆润处理方法

[发明专利]一种圆角顶角的多晶硅刻蚀方法-CN202310982033.X在审
发明人：许一力;钱奇源 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，且公开了一种圆角顶角的多晶硅刻蚀方法，如下步骤：S1、在外延片表面生长一层多晶硅；S2、涂光刻胶光刻，形成图形；S3、刻蚀所述多晶硅，去除所述光刻胶；S4、沉积介质；S5、各向异性整面刻蚀所述介质，形成侧墙；S6、利用带subtrench刻蚀缺陷的刻蚀方法刻蚀所述多晶硅；S7、去除氧化层侧墙，获得圆角顶角多晶硅；S8、淀积氧化层，所述介质为氧化硅材料，本发明中刻蚀方法相对简单，不需要重复光刻，可以将顶角变为圆角，避免电场集中问题，提高器件可靠性，方法工艺的许容性大，在工艺条件出现较大偏差的情况下依然无碍，降低损耗，并且为隔离层氧化膜的进一步减薄提供保障。
一种顶角多晶刻蚀方法

[发明专利]一种基于光场重构器件的室内空气质量监测系统及方法-CN202010831231.2有效
发明人：杨琦;许一力 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：一种基于光场重构器件的室内空气质量监测系统及方法，包括特定波长的激光源、光面积倍增器、气体检测室、汇聚透镜、后端探测器以及前端探测器。光面积倍增器包括主体光学玻璃，主体光学玻璃的光束入射面设置入射光栅，光线出射面设置有使得光束的一部分可以从光线出射面出射、光束的另一部分反射回光面积倍增器内的微光学薄膜。所述光面积倍增器的光束入射面内侧面为全反射面，所述光束入射面上的入射光栅上下两侧分别设有出射窗孔。与现有技术相比，本发明通过增加红外光与气体作用的截面积以减小红外光与气体的作用长度，以此来减小气体检测室的设计长度。将系统的价格大幅降低。同时光路非常简单，且检测室的开放性可大幅提高。
一种基于光场重构器件室内空气质量监测系统方法

[实用新型]一种家庭健康监测基站和监测系统-CN202120660867.5有效
发明人：杨琦;许一力;李刘振 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： A61B5/0205 文献下载
摘要：本申请涉及一种家庭健康监测系统和检测基站，其中，该家庭健康监测系统包括：基站装置、采集装置、显示装置和联网装置；采集装置通信连接在基站装置上，采集装置采集人体健康数据，其中，采集装置包括：血压仪、血氧仪、血糖仪、心率仪和体温仪；显示装置和采集装置通过I2C或者SPI接口与基站装置通信连接；联网装置与基站装置上的预设结构接口结构和通信连接，联网装置发送人体健康数据至远程医疗接收设备。通过本申请，解决了家庭健康监测系统对于人体健康的监测过于单一的问题，解决了相关技术中家庭健康监测系统对于人体健康的监测过于单一的问题，同时，也可以存储或上传人体健康参数至远端医疗设备，为医疗人员提供人体健康参考信息。
一种家庭健康监测基站系统

[实用新型]一种电机控制器安装结构-CN202222714802.1有效
发明人：许一力 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种电机控制器安装结构，包括呈四方体结构的安装座，所述安装座内设置有散热结构，所述安装座上设置有安装结构，所述隔板上设置有减震结构。安装时，将隔板左右两端分别安装在安装座左右两侧壁上的滑槽内，通过拉环和拉绳将限位杆和第一弹簧向外拉出，将隔板推进，使隔板左右两端的凸块与滑槽相互卡合，然后松开拉环和拉绳，使限位杆和弹簧靠近凸块的一端分别安装在对应的卡槽，对隔板进行固定，便于对电机控制器进行安装，操作方便，在电机控制器和隔板中间四角处分别安装阻尼器和第二弹簧，在电动汽车运行时，对电机控制器起到减震的效果，避免电机控制器受到汽车的震动而损坏，影响电机控制器的使用寿命的问题。
一种电机控制器安装结构

[发明专利]一种三维空间排布器件的功率半导体封装模块结构及制备方法-CN202210792426.X有效
发明人：许一力;杨琦;李鑫 -专利权人： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维空间排布器件的功率半导体封装模块结构及制备方法，包括底面热传金属块，四个侧壁热传金属块呈矩形阵列设置于底面热传金属块的边侧，四个侧壁热传金属块的内侧均设置有第二芯体组件，形成三维空间排布的芯体组件分布结构，第一芯体组件和第二芯体组件之间形成有通过电极引线连接的电路，连接组件用于对四个侧壁热传金属块和底面热传金属块进行连接限定形成整体热传金属结构。本发明提供一种三维空间排布的功率芯片封装的模块结构，同时采取了三维立体空间内多维度的功率芯片的焊接组装和电极连接，有利于大功率半导体功率模块的体积缩小、高集成度组装、可靠性提高以及成本降低。
一种三维空间排布器件功率半导体封装模块结构制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 23 条