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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]金属硅化物层的制造方法-CN201210129967.0在审
  • 卢泽一;简志明;姚立人 - 联华电子股份有限公司
  • 2012-04-27 - 2013-10-30 - H01L21/28
  • 此方法是先提供硅基底，其中硅基底的表面上已形成有图案化叠合结构，而图案化叠合结构包含依序形成在硅基底上的硅层与第一覆盖层。然后，形成第二覆盖层覆盖未被图案化叠合结构覆盖的硅基底的部分表面，其中第二覆盖层与第一覆盖层是选用不同材料。接着，去除第一覆盖层以暴露出硅层，再在硅层上形成第一金属硅化物层。之后，去除第二覆盖层，以暴露出硅基底的部分表面，再在暴露出的表面上形成第二金属硅化物层。
  • 金属硅化物层制造方法
  • [实用新型]有机硅绝缘套管-CN201420430114.5有效
  • 陆维明;哈维·卡诺·格兰;谢强 - 瑞纳智绝缘材料（苏州）有限公司
  • 2014-07-31 - 2014-11-26 - H01B17/58
  • 本实用新型提供了一种有机硅绝缘套管，包括管体和覆盖在管体表面上的覆盖层，覆盖层包括紧贴在管体外表面上的第一外覆盖层，以及覆盖在第一外覆盖层外表面上的第二外覆盖层，第一外覆盖层由乙烯基硅油制成，第二外覆盖层由有机硅橡胶制成本实用新型的有机硅绝缘套管在有机硅橡胶外覆盖层与管体之间，增加了乙烯基硅油覆盖层，使得覆盖层与管体的结合更加牢固，在保证传统绝缘套管的优良性能的同时，提高了耐磨性，可适用于汽车、电机、航空、航天等领域，
  • 有机硅绝缘套管
  • [发明专利]一种测量籽硅层厚度的方法-CN201010527486.6无效
  • 黄锦才;梅慧婷 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2010-10-29 - 2012-05-16 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种测量籽硅层厚度的方法，包括以下步骤：(1)在单晶硅衬底上生长一锗硅层；(2)在所述锗硅层上生长一硅覆盖层，并测量硅覆盖层厚度；(3)在所述硅覆盖层上生长一籽硅层；(4)测量所述硅覆盖层与所述籽硅层的总厚度，再减去步骤(2)中所述硅覆盖层的厚度，则得到所述籽硅层的厚度。本发明在非选择性锗硅外延生长工艺中测量在浅沟槽隔离结构区上沉积的籽硅层厚度，使厚度满足单晶硅区和浅沟槽隔离结构区生成单晶锗硅层和多晶锗硅层之间的连续性要求。
  • 一种测量籽硅层厚度方法
  • [发明专利]振子的制造方法、振子、以及振荡器-CN201410119979.4有效
  • 吉泽隆彦 - 精工爱普生株式会社
  • 2014-03-27 - 2018-04-20 - H03H3/02
  • 本发明所涉及的振子的制造方法包括成膜覆盖层的工序，所述覆盖层覆盖硅基板；对覆盖层进行图案形成的工序；成膜半导体层的工序，所述半导体层覆盖硅基板和覆盖层；对半导体层进行图案形成，从而在覆盖层上形成成为梁状的振动部、和对振动部进行支承的支承部的工序；形成使硅基板露出的开口部的工序；穿过开口部去除硅基板，并形成凹陷部的工序；去除覆盖层的工序，在形成振动部和支承部的工序中，形成具有第一部分和第二部分的支承部，其中，所述第一部分位于硅基板上，所述第二部分对第一部分和振动部进行连接，并位于覆盖层上。
  • 制造方法以及振荡器
  • [发明专利]鳍式晶体管的形成方法-CN201510993741.9有效
  • 李勇 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2015-12-25 - 2019-12-03 - H01L21/8234
  • 包括：提供具有P型区和N型区的衬底，P型区和N型区的衬底表面分别具有鳍部和隔离层；形成横跨P型区和N型区鳍部的栅极结构；在P型区栅极结构两侧的鳍部顶部形成第一外延层；在第一外延层表面形成具有锗离子的第一覆盖层，第一覆盖层内掺杂有P型离子；在N型区栅极结构两侧的鳍部顶部形成第二外延层；在第二外延层表面形成具有锗离子的第二覆盖层，第二覆盖层内掺杂有N型离子；至少在部分第一覆盖层和第二覆盖层表面形成硅化层，硅化层内具有钛离子；进行第一退火工艺，使第一覆盖层形成第一金属硅化层，使第二覆盖层形成第二金属硅化层。
  • 晶体管形成方法
  • [发明专利]覆盖层的制造方法及半导体装置-CN200810176387.0有效
  • 刘重希;余振华 - 台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心
  • 2008-11-25 - 2009-08-26 - H01L21/768
  • 本发明提供一种覆盖层的制造方法及半导体装置。上述包括铜、氮以及硅和/或锗的覆盖层的制造方法，该覆盖层设置于一铜导电结构上，包括利用暴露铜导电结构于包含锗烷和/或硅烷的一环境下，于该铜导电结构上形成至少一覆盖层，形成该至少一覆盖层的温度介于200℃至400℃之间；进行一氨气等离子体处理步骤，以形成一至少一部分氮化的覆盖层；于该至少一部分氮化的覆盖层上形成一介电阻障层；于形成该至少一覆盖层的步骤之前，对该铜导电结构进行一预备退火步骤，进行该预备退火步骤的温度介于本发明可避免不良的黏着力和阻障特性、产生硅和/或锗进入铜导电结构的扩散(掺质)路径。
  • 覆盖层制造方法半导体装置
  • [发明专利]具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法-CN200510080415.5有效
  • 郑逸圣 - 友达光电股份有限公司
  • 2005-07-01 - 2007-01-10 - H01L21/336
  • 一种具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：a)形成一多晶硅岛于一基板上；b)依序形成一介电层、一金属层与一覆盖层，覆盖于多晶硅岛上；c)形成一光阻图案层于覆盖层上，并将未被光阻图案层覆盖的部分覆盖层及金属层移除，且被保留的覆盖层的同侧边露出具有一既定距离的部分金属层；d)进行一高剂量离子掺杂程序，利用金属层作为光掩膜，使得未被金属层覆盖的部分多晶硅岛形成一重掺杂区；e)将未被保留的覆盖层覆盖的部分金属层移除；以及f)进行一低剂量离子掺杂程序，利用金属层作为光掩膜，使得未被金属层覆盖的部分多晶硅岛形成一轻掺杂区。
  • 具有掺杂结构低温多晶薄膜晶体管制造方法
  • [发明专利]一种栅极刻蚀方法-CN201110120723.1有效
  • 孟晓莹;周俊卿;张海洋 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2011-05-11 - 2012-11-14 - H01L21/28
  • 本发明提供了一种栅极刻蚀方法，应用于具有多晶硅层和硬掩膜层的晶片上，该方法首先在硬掩膜层上沉积氮化钛层，然后依次刻蚀所述氮化钛层和硬掩膜层，分别形成覆盖层和硬掩膜，以所述覆盖层和硬掩膜为遮蔽刻蚀所述多晶硅层形成栅极本发明一方面利用刻蚀气体对覆盖层和多晶硅层的高选择比，在刻蚀多晶硅层形成栅极的过程中，由覆盖层保护硬掩膜不受损伤；另一方面湿法刻蚀去除覆盖层时也不会损伤硬掩膜，从而达到减小硬掩膜损耗的目的。
  • 一种栅极刻蚀方法
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