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[发明专利]晶体硅太阳电池周边刻蚀工艺-CN201110035197.9无效
发明人：刘伟;万青;徐晓群;陈筑;刘晓巍 -专利权人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳电池周边刻蚀工艺，它包括：对至少一片扩散后的硅片进行正表面遮盖，在硅片的正表面放置隔离片，使每片硅片的正表面完全被隔离片遮盖；将硅片和隔离片夹紧；将夹紧的硅片和隔离片平放于等离子体刻蚀机中该周边刻蚀工艺既可以达到去除硅片周边扩散层的目的，又对硅片正表面周边损伤小、对硅片平整度依赖小、使产品碎片率低、成品率高。
晶体太阳电池周边刻蚀工艺

[发明专利]太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉-CN201811112644.4有效
发明人：张一波;盛健;王伟;叶权华 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：其中，太阳能电池的烧结方法包括：对硅片正表面进行第一次升温处理；对进行了第一次升温处理的硅片正表面进行第二次升温处理；对进行了第二次升温处理的硅片正表面进行保温处理；对进行了保温处理的硅片正表面进行降温处理，以形成太阳能电池；其中第一次升温处理中硅片正表面的升温速率大于第二次升温处理中硅片正表面的升温速率。上述太阳能电池的烧结方法，使硅片表面钝化层内已经形成一定分布的氢离子浓度形成再分布，而再分布的氢离子可以有效的钝化硅片内部的缺陷杂质，从而起到很好的抑制光致衰减的作用。
太阳能电池烧结方法制备烧结炉

[发明专利]一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法-CN201611067874.4有效
发明人：李化阳;张良;李良;王霞;姚玉;任海兵 -专利权人：镇江大全太阳能有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，去除黑硅片的正表面损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；步骤S2，对所述黑硅片的表面进行磷源扩散，制备PN结；步骤S3，对所述黑硅片进行清洗、RIE制绒，在黑硅片的正表面形成纳米绒面；步骤S4，对所述黑硅片的纳米绒面进行修复，以去除纳米绒面形成过程中的损失层；步骤S5，对所述黑硅片的正表面积淀上减反射膜；步骤S6，对所述黑硅片的背面分别印刷背银、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，即可得到黑硅电池。
一种 rie 电池制备方法

[发明专利]一种硅片的湿法刻蚀方法及太阳能电池生产方法-CN201210060376.2有效
发明人：李高非;徐卓;郎芳;崔景光 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片的湿法刻蚀方法包括：使用氢氟酸对扩散制结后得到的硅片的各个表面进行润洗；用去离子水对硅片的各个表面进行冲洗；将硅片进行表面干燥；使用氢氟酸、硝酸和硫酸的混合液对硅片的侧面和背面进行刻蚀本发明还提供了一种太阳能电池的生产方法，依次包括硅片检测，表面制绒处理，扩散制结处理，上述技术方案所述的湿法刻蚀处理，镀减反射膜处理，制作正面电极及背面电极和烧结处理。本发明提供的硅片湿法刻蚀方法减少了对硅片正表面的腐蚀，对正表面起到保护作用，改善了硅片的正表面的外观，并且边缘绝缘较好。
一种硅片湿法刻蚀方法太阳能电池生产

[实用新型]一种太阳电池片-CN201120193040.4有效
发明人：陈泗实;梁兴芳;许新湖 -专利权人：阳光大地（福建）新能源有限公司
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开一种太阳电池片，主要包括有硅片、减反射膜、铝背场及金属电极，上述减反射膜沉积在上述硅片的正表面，上述铝背场印制在上述硅片的背表面，上述金属电极制于电池片的正、背两面处，上述硅片的正表面形成为起伏不平的绒面，上述硅片的背表面形成为平整的抛光面；本案硅片的背表面结构设计使硅片对太阳光能有较佳的吸收利用率，在增大了太阳电池短路电流同时，也提高了太阳电池的转换效率。
一种太阳电池

[发明专利]硅片电镀铜后的清洗方法-CN201110064597.2有效
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C25D21/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片电镀铜后的清洗方法，该方法通过在电镀铜后的硅片进行去边工艺或背清洗工艺的同时，采用脉冲水流对硅片正表面进行保护，有效减少了高速腐蚀液因反溅到硅片表面或形成酸雾而造成的硅片表面的铜镀层的缺陷
硅片镀铜清洗方法

[发明专利]一种提升硅片转换效率的预处理方法-CN202111510357.0在审
发明人：从海泉;何秋霞;马敏杰;马擎天;宋楠 -专利权人：环晟光伏（江苏）有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种提升硅片转换效率的预处理方法，包括：去除硅片表面的损伤层；对去除损伤层的所述硅片的正表面进行硼扩散处理，形成P+掺杂层，并在所述P+掺杂层表面还形成一硼硅玻璃层；将硼扩散后的所述硅片置入氧化炉中，向所述氧化炉内通入氧气，在所述硼硅玻璃层表面形成一氧化层；去除所述氧化层和所述硼硅玻璃层，保留所述P+掺杂层，预处理完成。本发明的有益效果是在掺镓硅片的正表面进行硼扩散，使得硼元素掺杂至高电阻率的掺杂硅片表面，形成了硼镓共掺的状态，增加了硅片整体的杂质浓度，因硅片电阻率的大小与杂质浓度成反比，故可以大大降低硅片的电阻率，从而在后续的生产工艺中
一种提升硅片转换效率预处理方法

[发明专利]N型MWT太阳能电池结构及其制造工艺-CN201310008854.X有效
发明人：盛健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种N型MWT太阳能电池结构，MWT太阳能电池的背面采用铝结和N型硅片形成P—N结。这种电池结构的工艺步骤为：原硅片预处理：对硅片进行表面减反的绒面制备，完成后形成N型带绒面硅片基底；利用三氯氧磷对硅片进行扩散，形成N+区，完成扩散后将磷硅玻璃去除；再在扩散后的硅片N+正表面利用化学气相沉积的方式沉积SiNx正表面减反钝化层，形成正表面减反钝化膜；选用紫外激光器，在完成SiNx沉积后的硅片表面打通孔。按指定图形进行铝浆印刷，印刷后铝浆与通孔银浆互不接触；正面栅线印刷：按指定的图形进行正面银浆印刷，印刷后需和通孔银浆形成电学接触；高温金属共烧结：用于形成电极和硅的良好接触，以及形成P+型掺杂区，与衬底N型硅片形成
mwt 太阳能电池结构及其制造工艺

[发明专利]一种N型多晶硅双面电池制备方法-CN201811172452.2在审
发明人：廖晖;包健;徐冠群;李明;左严严;金浩;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型多晶硅双面电池制备方法，包括：对制绒后的N型硅片进行硼扩散，并去除N型硅片背表面所形成的背面P+层，N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片；对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理，并去除吸杂层；对去除吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散；去除N型硅片表面所形成的PSG，在N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层，并在N型硅片的正表面和背表面分别制备电极。本申请公开的上述技术方案，通过吸杂处理以减少由多晶硅锭的尾部所生产出的N型硅片中的杂质，从而提高了对多晶硅锭尾部的利用率和N型多晶硅双面电池的少子寿命，进而提高了N型多晶硅双面电池的转换效率。
背表面去除双面电池制备多晶硅锭吸杂层正表面吸杂背面多晶硅片少子寿命转换效率钝化层磷扩散硼扩散电极制绒切割扩散申请生产

[发明专利]金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法-CN201410197889.7无效
发明人：杨红冬;张辉;刘仁中;张斌;邢国强 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，属于太阳能电池技术领域，其包括如下步骤：1）将P型多晶硅片进行预清洗去除损伤层得到去除损伤层后的硅片；2）将去除损伤后的硅片放置在制绒装置反应室干法制绒；3）在干法制绒后的硅片表面进行磷源扩散，得到磷源扩散后的硅片；4）将磷源扩散后的硅片进行湿法刻蚀，然后在其正表面PECVD沉积SiNx薄膜，得到沉积后的硅片；5）在沉积后的硅片背面分别印刷银浆、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，得到电池成品。
金刚切割多晶硅片电池制作方法

[发明专利]一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺-CN202010423181.4有效
发明人：赵卫东;刘旦生;鞠飞;王斯明;刘才广;江兴峰 -专利权人：江苏东鋆光伏科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺，选取金刚线切割得到的多晶硅片为基片，将基片依次放入硝酸、氢氟酸中进行清洗抛光，去除基片表面损伤层；再在基片正表面制备光刻掩膜层，再通过蒸汽制绒法制绒，接着在基片正表面通过POCL3液态扩散源热扩散法制备P‑N结，最后在基片正表面进行湿法刻蚀，镀减反射膜，印刷烧结，得到成品；本发明公开了一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺，工艺设计合理，操作简单可控，选用金刚线切割的硅片作为基片进行加工，制备得到电学性能优异的电池片，从而提高太阳能电池的开路电压，短路电流及填充因子，提高转换效率，实现降本提效的目的，具有较高的实用性。
一种通过金刚切割硅片制备电池加工工艺

[发明专利]一种封闭式镀膜系统-CN201811003398.9在审
发明人：朱广东;上官泉元;喻大伟;赵慧超;庄正军;侯岳明 -专利权人：常州比太科技有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种封闭式镀膜系统，包括依次线性循环设置的上料端、缓存台、加热腔、正表面镀膜腔一、加热腔、缓冲腔、正表面镀膜腔二、缓冲腔、卸载腔、缓存台、载板移载机构、硅片翻转机构、缓存台、加热腔、缓冲腔、背表面镀膜腔一、缓冲腔、加热腔、缓冲腔、背表面镀膜腔二、缓冲腔、卸载腔、缓存台及下料端。本发明具有产能高、成本投入低、硅片无卡点印痕、外界环境对硅片表面的污染少及系统通用性高等优点。
缓冲腔缓存镀膜腔加热腔镀膜系统背表面卸载腔正表面系统通用性硅片表面硅片翻转外界环境循环设置移载机构上料端下料端硅片产能卡点印痕载板污染

[实用新型]一种封闭式镀膜系统-CN201821420783.9有效
发明人：朱广东;上官泉元;喻大伟;赵慧超;庄正军;侯岳明 -专利权人：常州比太科技有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种封闭式镀膜系统，包括依次线性循环设置的上料端、缓存台、加热腔、正表面镀膜腔一、加热腔、缓冲腔、正表面镀膜腔二、缓冲腔、卸载腔、缓存台、载板移载机构、硅片翻转机构、缓存台、加热腔、缓冲腔、背表面镀膜腔一、缓冲腔、加热腔、缓冲腔、背表面镀膜腔二、缓冲腔、卸载腔、缓存台及下料端。本实用新型具有产能高、成本投入低、硅片无卡点印痕、外界环境对硅片表面的污染少及系统通用性高等优点。
缓冲腔缓存镀膜腔加热腔本实用新型镀膜系统背表面卸载腔正表面系统通用性硅片表面硅片翻转外界环境循环设置移载机构上料端下料端硅片产能卡点印痕载板污染

[发明专利]太阳能电池的制备方法和太阳能电池-CN201810990601.X在审
发明人：李吉;麻增智;张子森;魏文文;吕加先;张一波;董建文;张淳;盛健;王伟;叶权华 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：其中，太阳能电池的制备方法包括：对硅片的双面依次进行清洗、抛光、碱制绒处理，以在硅片双面形成减反射绒面；对形成减反射绒面的硅片正表面进行磷扩散处理；对进行磷扩散后的硅片正表面进行激光掺杂；对进行激光掺杂后的硅片正表面进行高温处理，以形成选择性发射极；对形成选择性发射极的硅片进行后续处理，以完成太阳能电池的制备。
太阳能电池制备硅片正表面选择性发射极激光掺杂掺杂量减反射磷扩散硅片产线层层递进处理工艺高温处理硅片双面后续处理兼容性碱制绒抛光方阻绒面清洗

[发明专利]纳米孔结构及其加工设备和方法-CN201910106419.8在审
发明人：梁圣法;张文昌;项飞斌;姚志宏;李冬梅;刘明;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本公开提供一种纳米孔结构及其加工设备和方法，该纳米孔结构的加工方法包括：步骤A：在硅片的正表面形成图形区域和具有窗口深度的槽型结构；步骤B：利用纳米孔结构的加工设备将硅片夹紧，使其正表面上的槽型结构对准第二夹具的第一开口；步骤C：向第一夹具中注入刻蚀溶液，向第二夹具中注入去离子水以及对该刻蚀溶液敏感的荧光染料；步骤D：通过观测窗实时观测硅片的正表面，发现荧光激发时，向第一夹具的空腔中注入去离子水以去除其中的刻蚀溶液；步骤E：将硅片取出，清洗，用氮气吹干。
纳米孔夹具加工设备刻蚀溶液正表面硅片槽型结构去离子水荧光标记检测氮气吹干实时观测图形区域荧光激发荧光染料观测窗硅片夹空腔去除清洗对准开口取出敏感加工发现

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