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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅膜的成膜方法和基板处理装置-CN201910142632.4在审
发明人：冈田充弘;宫原达也;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少
硅膜成膜蚀刻基板处理装置成膜工序膜厚表面平滑性蚀刻气体基底薄膜期望

[发明专利]含硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN201610465904.0有效
发明人：佐藤润;菊地宏之;村田昌弘;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。
含硅膜方法以及装置

[发明专利]硅膜的形成方法及其形成装置-CN201110132231.4有效
发明人：柿本明修;高木聪;有贺纯史;木村法史;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具有第1成膜工序、蚀刻工序、第2成膜工序。在第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成硅膜。在蚀刻工序中，对在第1成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部。在第2成膜工序中，以向在蚀刻工序中扩大了开口部的槽内填埋硅膜的方式进行成膜。由此，在表面形成有槽的被处理体的槽内形成硅膜。
形成方法及其装置

[发明专利]硅膜的形成方法及其形成装置-CN201210218962.5有效
发明人：柿本明修;高木聪;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具备第1成膜工序、蚀刻工序、掺杂工序以及第2成膜工序。第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成不掺杂杂质的非掺杂硅膜。蚀刻工序中，对在第1成膜工序中被形成的非掺杂硅膜进行蚀刻。掺杂工序中，对在蚀刻工序中被蚀刻的非掺杂硅膜掺杂杂质。第2成膜工序中，以填埋在掺杂工序中被掺杂的硅膜的方式形成掺杂有杂质的硅膜。
形成方法及其装置

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法-CN201810204001.6有效
发明人：任思雨;陈卓;徐先新;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法，多晶硅薄膜的制备方法包括：采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜；采用激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。通过变化的成膜速率对非晶硅薄膜进行沉积成膜，使得非晶硅薄膜可分别在较大和较小的成膜速率下成膜，在较大的成膜速率下，能够有效提高生产效率，并且使得非晶硅薄膜的折射率较低，进而减小与氛围气体之间的折射率的差值，降低了界面反射的反射率，有效提高激光的利用率，而在较小的成膜速率下成膜时，能够使得非晶硅薄膜的成膜效果更佳。
多晶薄膜制备方法薄膜晶体管及其

[发明专利]硅膜的成膜方法以及成膜装置-CN201310741893.0有效
发明人：大部智行;宫原孝广;永田朋幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜，其具备将该基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成晶种层的工序；以及，将基底加热，在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体，在晶种层上形成硅膜的工序，前述晶种层的形成工序所使用的氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。
方法以及装置

[发明专利]对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置-CN201910132739.0在审
发明人：高木聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置。提供一种能够在单晶硅或单晶锗或单晶硅锗上大致完全地对非晶质的硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的技术。具备如下工序：第1工序，在该第1工序中，准备具有单晶硅或单晶锗或单晶硅锗作为被处理面的被处理体；第2工序，在该第2工序中，使卤元素吸附于被处理体的被处理面；第3工序，在该第3工序中，向被处理体供给用于对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的原料气体，在被处理体的被处理面上对非晶质硅膜或非晶质锗膜或非晶质硅锗膜进行成膜。
锗膜成膜被处理体硅锗膜硅膜单晶硅方法和装置单晶硅锗单晶锗非晶质非晶质硅膜被处理面非晶质硅原料气体卤元素吸附

[发明专利]非晶硅薄膜成膜方法-CN201711163435.8在审
发明人：刘善善;朱黎敏;朱兴旺 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法，包含非晶硅薄膜成膜方法，包含的工艺步骤第一步，将覆盖有二氧化硅层的硅基板进行预热处理；第二步，采用等离子体处理硅基板表面；第三步，对成膜腔室内进行通气预热；第四步，在成膜腔室内对硅基板进行第一次非晶硅成膜；第五步，腔室内通入氩气；第六步，在成膜腔室内进行第二次非晶硅成膜；第七步，腔室内通入氩气；第八步，进行第三次非晶硅成膜；第九步，腔室内通入氩气；第十步，将硅基板移出腔室外冷却。本发明所述的非晶硅薄膜成膜方法，能够有效的防止成膜时鼓包的存在，同时，该方法的可操作性较强，可以获得平坦化度较高的非晶硅。
非晶硅薄膜方法

[发明专利]硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置-CN201210090806.5有效
发明人：远藤笃史;黑川昌毅;入宇田启树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。
氧化物氮化物层叠方法装置

[发明专利]硅膜的形成方法及其形成装置-CN201410022488.8有效
发明人：小森克彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供硅膜的形成方法及其形成装置。在表面形成有槽的被处理体的槽中形成硅膜的硅膜形成方法中，该硅膜的形成方法包括以下工序第1成膜工序，以填充被处理体的槽的方式形成含有杂质的第1硅膜；掺杂工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜的表面附近掺杂上述杂质；蚀刻工序，对在上述第1成膜工序中形成的上述第1硅膜进行蚀刻而扩展上述槽的开口部；以及第2成膜工序，以将第2硅膜填充于在上述蚀刻工序中被扩展了开口部的槽的方式形成第2硅膜。
形成方法及其装置

[发明专利]提高铝硅铜成膜质量的方法-CN201210342576.7有效
发明人：费强;刘善善;袁秉荣 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铝硅铜成膜质量的方法，包括：1）成膜晶片在350～450℃的高温腔中，以物理溅射的方式，完成铝硅铜填孔，使在成膜晶片上，形成铝硅铜薄膜；2）成膜晶片进入到冷却腔，在10～30秒内，冷却至200℃以下；3）在150～250℃的低温腔中，成膜晶片完成铝硅铜金属线的成长。本发明在不影响填孔效果的前提下，提高了铝硅铜成膜质量，使所得成膜晶片的金属导线电阻较小，且稳定性良好，提高器件性能；同时，极大提高了成膜晶片外观及封装质量。
提高铝硅铜成膜质量方法

[发明专利]在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法及装置-CN200910097932.1有效
发明人：皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法，使硅纳米颗粒形成硅纳米颗粒束，硅纳米颗粒束扫描并附着在硅太阳电池表面形成均匀的硅纳米颗粒薄膜。本发明还公开了制备上述薄膜的装置，包括原料腔和成膜腔，原料腔带有与成膜腔相通的喷射孔，成膜腔连接真空系统，成膜腔内设有用于承载硅太阳电池的可三维移动的样品台，硅纳米颗粒从原料腔的喷射孔以硅纳米颗粒束形式进入成膜腔后，样品台带动硅太阳电池移动，在硅太阳电池表面形成硅纳米颗粒薄膜。本发明方法可以有效地控制硅纳米颗粒在硅太阳电池表面的成膜速度和所得硅纳米颗粒薄膜的厚度及均匀性，本发明可以提高硅太阳电池的效率，有利于硅太阳电池成本的降低。
太阳电池表面附着纳米颗粒薄膜方法装置

[发明专利]防止铝尖楔的成膜工艺方法-CN201410165264.2有效
发明人：刘善善 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止铝尖楔的成膜工艺方法，包括步骤：(1)在硅片上，进行硅接触通孔刻蚀；(2)在硅片表面、硅接触通孔的侧壁和底部，形成第一铝硅铜膜，并将硅片冷却至室温；(3)对第一铝硅铜膜进行刻蚀；(4)在第一铝硅铜膜表面上，形成第二铝硅铜膜；(5)金属铝硅铜的刻蚀。本发明的成膜工艺方法，有效的降低成膜前硅接触底扩散作用，防止形成Al尖楔，从而防止器件失效。
防止铝尖楔工艺方法

[发明专利]清洁方法和成膜方法-CN201811346299.0有效
发明人：冈田充弘;本山豊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止氟混入膜中的清洁方法和成膜方法。一个实施方式的清洁方法是一种执行成膜处理的成膜装置的清洁方法，在成膜处理中，在处理容器内对搭载于基板保持器具的基板形成硅膜、锗膜或硅锗膜，所述清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，在将所述成膜处理之后被保管在进行了露点管理的气氛中且没有搭载所述基板的所述基板保持器具收容在所述处理容器内的状态下，向所述处理容器内供给不含氟的含卤气体，来对附着在包含所述基板保持器具的所述处理容器内的所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜进行蚀刻，以将所述硅膜、所述锗膜或所述硅锗膜去除。
清洁方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202010842303.3在审
发明人：小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置及成膜方法。本发明的课题是：在以填充形成于基板的表面的凹部图案的方式成膜为硅氮化膜时，无间隙地填充凹部图案。在表面形成有凹部图案的基板上成膜为硅氮化膜的成膜方法中，包括如下工序：向存储前述基板的处理容器内分别供给包含硅的原料气体和对前述原料气体进行氮化的氮化气体，沿着前述基板的表面形成保形的硅氮化膜的工序；在停止向前述处理容器内供给硅原料气体的状态下，向前述基板供给用于对前述硅氮化膜进行整形的等离子体化的整形用气体，以使前述硅氮化膜的膜厚自凹部图案的底部侧向上部侧变薄的方式使前述硅氮化膜收缩的工序；和，交替地重复进行形成前述硅氮化膜的工序与使前述硅氮化膜收缩的工序，将硅氮化膜嵌入于前述凹部图案的工序。
装置方法

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