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[发明专利]一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法-CN202210856208.8在审
发明人：王浩;黄寓洋 -专利权人：苏州苏纳光电有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法。所述基于硅基深槽制作不同平面图形的方法包括：提供硅基V型槽；在所述硅基V型槽上进行薄膜生长；在薄膜生长后的硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上均匀覆盖一层厚度为2‑30μm的光刻胶层；在覆盖有光刻胶层的硅基V型槽上进行光刻，使硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上形成有所需的平面图形。本发明提供的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，可以使光刻胶均匀分布在硅基V型槽上表面、侧壁及槽底，并且明显节省光刻胶用量。
一种基于硅基深槽制作不同平面图形方法

[发明专利]一种异质GeSn基硅基深槽保护PiN二极管及其制备方法-CN202110168721.3在审
发明人：苏汉;王华剑 -专利权人：中国人民武装警察部队工程大学
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质GeSn基硅基深槽保护PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；刻蚀衬底顶层GeSn区形成有源区深槽；有源区深槽四周平坦化处理并利用原位掺杂形成P区和N区；以及在所述衬底上形成GeSn合金引线，以完成所述异质GeSn基硅基深槽保护PiN二极管的制备；本发明通过引入深槽隔离工艺和Si‑GeSn‑Si异质结构，极大的提升了二极管的低功耗性能，使得PiN
一种 gesn 基硅基深槽保护 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]硅基光探测器阵列结构-CN201710207630.X在审
发明人：李文刚 -专利权人：江苏尚飞光电科技有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基光探测器阵列结构，所述硅基光探测器阵列结构包括：多个硅基光探测器，多个所述硅基光探测器呈阵列分布，且各所述硅基光探测器之间相隔一定的间距；深槽，位于相邻所述硅基光探测器之间，以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径本发明通过在相邻所述硅基光探测器之间形成深槽，可以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基光探测器阵列结构边缘的所述硅基光探测器的光电流和位于所述硅基光探测器阵列结构中心的所述硅基光探测器的光电流相接近
硅基光探测器光探测器阵列光电流串扰深槽结构边缘结构中心阵列分布减小相隔

[发明专利]全硅基微流体器件的腔体的制造方法-CN201110270253.7有效
发明人：杨海波;马清杰;吕宇强 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种全硅基微流体器件的腔体的制造方法，包括步骤：提供<111>晶向的单晶硅衬底，其上形成有氧化层；将氧化层图形化，露出多个正方形窗口图形；以氧化层为掩模，刻蚀硅衬底，形成上层深槽；在氧化层表面和上层深槽的侧壁及底部淀积保护层；将氧化层表面和上层深槽底部的保护层去除；以氧化层和上层深槽侧壁的保护层为掩模，刻蚀硅衬底，形成下层深槽；湿法刻蚀下层深槽，在硅衬底内部形成腔体；将上层深槽的孔洞填满，将腔体封闭；以氧化层为掩模，刻蚀硅衬底本发明形成腔体的过程中基于单片硅衬底本身进行加工，通过先分层形成底部腔体后填充深槽的方式，不涉及硅键合或胶粘合技术即可形成腔体。
全硅基微流体器件制造方法

[发明专利]一种异质深槽PiN阵列的制备方法、器件及硅基可重构隐身天线-CN202110176558.5在审
发明人：苏汉;税冬东 -专利权人：中国人民武装警察部队工程大学
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质深槽PiN阵列的制备方法、器件及硅基可重构隐身天线，该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；刻蚀衬底顶层GeSn区形成有源区深槽；有源区四周平坦化处理并利用原位掺杂形成P区和N区；以及在所述衬底上形成GeSn合金引线并进行连接，以完成所述适用于硅基可重构隐身天线的异质深槽PiN阵列的制备。本发明利用动态控制顶层Ge中Sn组分的含量以及GeSn合金引线的引入制备异质深槽PiN阵列。
一种异质深槽 pin 阵列制备方法器件硅基可重构隐身天线

[实用新型]高深宽比的硅基深槽结构-CN200820222266.0无效
发明人：蔡长龙;马睿;刘欢;周顺;秦文罡;高爱华;刘卫国 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2008-11-04 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种掩蔽层保护性能良好、精确深度和线宽控制、对硅有良好的各向异性及快速深刻蚀速率，能大量应用的高深宽比的硅基深槽结构。在硅基底上沉积MgO薄膜作为刻蚀掩蔽层，在硅基底上刻蚀的槽深达420μm，深宽比为4∶1，侧壁垂直度达89°。本实用新型采用MgO薄膜为掩蔽层材料，对硅的刻蚀选择比高，刻蚀前沉积的MgO薄膜厚度为1.5μm，深槽刻蚀完毕后，硅基底上掩蔽层即刻蚀后的MgO薄膜厚度为100nm-250nm。有效地解决了掩蔽层在长时间刻蚀中会失去对硅的保护或掩蔽层过厚导致脱落的技术问题。刻蚀后深槽具有一定深宽比，侧壁垂直，可重复性好，成本低，无污染等优点，在微器件加工中有广泛的实用前景。
高深硅基深槽结构

[发明专利]一种高灵敏度图像传感器像素结构及制作方法-CN202210875248.7在审
发明人：陈多金;张富生 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏度图像传感器像素结构及其制作方法，包括硅基底、层间介质层，硅基底中设有感光器件，感光器件的前面的硅基底与层间介质层间形成的硅基‑二氧化硅界面采用单个或多个非平面结构，感光器件侧面用深槽隔离结构环绕非平面硅基‑二氧化硅界面能够减小入射光在所述硅基‑二氧化硅界面上的入射角，从而使此入射光发生全反射回到硅基底中继续被吸收而激发出光电子，来自非平面硅基界面的部分反射光到达深槽隔离界面会进一步发生全反射而继续激发光电子因此，本发明像素结构能够有效的提高硅基对长波入射光的吸收，从而提高灵敏度和转换效率。
一种灵敏度图像传感器像素结构制作方法

[发明专利]硅基Ge光探测器阵列及其制作方法-CN201710078428.1在审
发明人：仇超;武爱民;盛振;高腾;甘甫烷;赵颖璇;李军 -专利权人：上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5）于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极；6）于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽，形成隔离结构。发明通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。
硅基 ge 探测器阵列及其制作方法

[实用新型]硅基Ge光探测器阵列-CN201720132169.1有效
发明人：仇超;武爱民;盛振;高腾;甘甫烷;赵颖璇;李军 -专利权人：上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5）于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极；6）于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽，形成隔离结构。实用新型通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。
硅基 ge 探测器阵列

[发明专利]一种硅台面深槽结构的制备方法-CN202310784539.X在审
发明人：钟立志;刘学明;谢强;刘燕 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅台面深槽结构的制备方法，包括：将清洗后的硅晶圆的表面依次形成氧化硅膜和氮化硅膜，其中，氧化硅薄膜和氮化硅薄膜组成深槽腐蚀掩蔽膜；对形成深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行光刻工艺定义深槽结构区域；通过刻蚀工艺去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜；将去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行烘烤；将烘烤后的硅晶圆进行硅槽腐蚀；对硅槽腐蚀后的硅晶圆的深槽结构区域外的深槽腐蚀掩蔽膜进行腐蚀得到硅台面深槽结构本发明使得硅槽结构完整且无尖峰毛刺现象。
一种台面结构制备方法

[发明专利]消除深硅刻蚀中晶圆边缘硅柱缺陷的方法-CN201710734054.4在审
发明人：孙孝翔;熊磊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除深硅刻蚀中晶圆边缘硅柱缺陷的方法，在深硅刻蚀完成后，以SF6或其他氟基气体进行硅干法刻蚀，刻蚀量为硅柱缺陷的侧向厚度，以完全消除硅柱缺陷。所述刻蚀是直接在深硅刻蚀后进行，或者是在后续的介质层刻蚀或灰化去胶过程中通过SF6一类的氟基气体刻蚀来实现。本方法在深硅刻蚀完成后，再以SF6等氟基气体的硅干法刻蚀，来完全消除硅柱缺陷。本方法可以在没有配置晶圆边缘保护环的深硅刻蚀机台上实现，同时也无需通过额外生长介质层或涂布光刻胶来保护晶圆边缘区域，节省了相关工艺成本。
消除刻蚀中晶圆边缘缺陷方法

[发明专利]一种深槽隔离结构的制作方法-CN201410417668.6有效
发明人：林率兵;王永刚;姜海涛;蔡丹华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种深槽隔离结构的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底中形成至少一个深槽，并在所述深槽中填满多晶硅；S2：进行退火以使所述多晶硅的晶粒结构重组；S3：采用Cl₂与HBr的混合气体作为刻蚀气体对所述多晶硅进行回刻，去除所述深槽外多余的多晶硅；S4：采用SF₆作为刻蚀气体对所述多晶硅进行过刻蚀，在所述深槽顶部获得平坦的多晶硅表面。本发明不仅可以改善深槽内部及表面的多晶硅接缝现象，提高多晶硅熔合程度，同时可以在所述深槽顶部获得平坦光滑的多晶硅表面的同时减少多晶硅的过刻蚀量，减少深槽顶部的下沉程度。
一种隔离结构制作方法

[发明专利]硅腐蚀局部终止层制作方法-CN201210024545.7有效
发明人：尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅腐蚀局部终止层制作方法，包括：在含硅的衬底中形成双槽结构，双槽结构之间的衬底构成硅基热沉；对双槽结构底部进行垂直离子注入；执行高温激活和扩散工艺，使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区，所述重掺杂区包围硅基热沉的底部，构成硅腐蚀局部终止层。依照本发明的方法，使用垂直离子注入、经高温激活和扩散工艺在双深槽底部间形成闭合重硼掺杂硅区，利用腐蚀溶液对重掺杂硅区的腐蚀速率大幅度下降特性，实现腐蚀溶液腐蚀硅的腐蚀局部终止层，最终实现完整的硅基热沉制备其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容、并可以自由选择腐蚀终止区、缓解KOH溶液释放工艺中对于硅腐蚀表面粗糙度的要求等。
腐蚀局部终止制作方法

[发明专利]一种深硅槽中选择性外延锗方法-CN202110956076.1在审
发明人：杨荣 -专利权人：杨荣
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种深硅槽中选择性外延锗方法，包括：步骤1、在硅衬底表面沉积硬掩膜，并制作深硅槽；步骤2、在深硅槽的侧壁和底部同时选择性外延生长锗；步骤3、高温退火使侧壁锗材料再分布；步骤4、重复步骤2‑3使深硅槽处外延生长锗表面高于硬掩膜；步骤5、进行化学机械抛光使锗表面与硬掩膜表面齐平；步骤6、去除硬掩膜，完成深硅槽的选择性外延锗。本发明提出的方案在硅槽侧壁和底部同时外延锗/锗硅，结合高温锗再分布技术，可以在不影响形貌的情况下，实现深硅槽中锗/锗硅外延生长；并且无需在硅与锗中间插入氧化硅层，有利于提升硅波导到锗器件的耦合效率。
一种深硅槽中选择性外延方法

[发明专利]用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法-CN201110138091.1无效
发明人：永福;陈雪萌;龚大卫 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法，包括步骤：提供硅衬底，其上分别形成有超结结构和终端结构的深槽；在深槽内淀积多晶硅层，多晶硅层的掺杂类型与硅衬底相反；将多晶硅层中的掺杂杂质扩散到硅衬底中，在深槽周围形成杂质扩散区；通过热氧化的方式将多晶硅层变为氧化层填满深槽；在制作MOS器件的多晶硅栅极时，于终端结构的区域同步形成多晶硅场板。本发明的终端结构及其制作方法实现工艺和设计方法简单，并且与深槽超结MOS器件的工艺完全兼容。
用于深槽超结 mos 器件终端结构制作方法

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