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[发明专利]一种积累型的深槽超结DMOS器件-CN201710585192.0在审
发明人：李泽宏;罗蕾;杨梦琦;谢驰;李佳驹;任敏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种积累型的深槽超结DMOS器件。本发明的一种积累型的深槽超结DMOS器件，其特征在于通过在超结DMOS器件中引入深槽结构，并在深槽结构中引入正电荷柱区，正向导通时在N柱中形成积累层，为超结DMOS器件中多子电流的流动提供了一条低阻通路
一种积累深槽超结 dmos 器件

[发明专利]带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件及其加工工艺-CN201811012310.X在审
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件技术领域，尤其涉及一种带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件，其结构包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层、源极金属；本发明所述的带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件采用沟槽栅结构，且沟槽栅位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快，耐压高的特点，同时又具有沟槽栅屏蔽JFET电阻的特点，从而提高了超结MOSFET器件的功率密度。
超结MOSFET 沟槽栅结构深槽深槽结构沟槽栅外延层源区多晶硅栅极栅极氧化层功率器件器件横向源极金属介质层衬底电阻耐压屏蔽保留

[实用新型]带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件-CN201821424487.6有效
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率器件技术领域，尤其涉及一种带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件，其结构包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层、源极金属；本实用新型所述的带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件采用沟槽栅结构，且沟槽栅位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快，耐压高的特点，同时又具有沟槽栅屏蔽JFET电阻的特点，从而提高了超结MOSFET器件的功率密度。
超结MOSFET 沟槽栅结构深槽深槽结构本实用新型沟槽栅外延层源区多晶硅栅极栅极氧化层功率器件器件横向源极金属介质层衬底电阻耐压屏蔽保留

[发明专利]低压超结MOSFET的制造方法-CN201510990423.7在审
发明人：岳玲;刘挺;杨乐;徐西昌 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压超结MOSFET的制造方法，该方法为：通过深槽填充多晶硅，两个深槽互相电荷平衡完成超结功能，再在深槽上方采用湿法腐蚀的方式形成浅槽，在浅槽中制作低压超结MOSFET，共同构成低压超结器件本发明能够用传统的半导体制造工艺实现，在工艺难度不加大的情况下，能够制造出具有更高耐压，更低导通电阻的低压超结型器件，提高VDMOS的性能，同时也能降低成本。
低压 mosfet 制造方法

[实用新型]一种平面栅超结MOSFET器件-CN201720314553.3有效
发明人：白玉明;章秀芝;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其是一种平面栅超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、N+型源区、栅氧化层、多晶硅栅极和源极金属。本实用新型的平面栅超结MOSFET器件采用P型体区与P型柱深槽结构分离的结构，P型柱深槽结构浮空，P型体区注入在深槽Trench结构中间，该结构保留了超结MOSFET器件横向扩散高耐压的特点，又因为P型体区与P型柱深槽结构分离，减小了低电压下的Coss，让电容曲线变得平缓，改善开关特性。
一种平面栅超结 mosfet 器件

[发明专利]一种深槽半超结结构功率器件及制造方法-CN201810831275.8有效
发明人：沈克强;张乐;景润东 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种深槽半超结结构功率器件及制造方法，基于半超结改进结构的深槽半超结结构，与传统半超结结构相比，没有底部的电压支持层，而是在超结结构与源区之间通过体电压支持层产生半超结效应，同时沟槽栅较深，且贯穿整个体电压支持层，能够在半超结结构基础上，进一步降低导通电阻。
一种深槽半超结结构功率器件制造方法

[发明专利]一种深槽超结DMOS器件-CN201710668240.2有效
发明人：任敏;罗蕾;李佳驹;李泽宏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种深槽超结DMOS器件，属于功率器件领域。本发明通过在传统超结DMOS器件中引入深槽栅结构，并合理设置深槽栅结构中介质层的复合交界面以固定雪崩击穿点，由于介质层中复合交界面在远离体区处引入电场峰值，而载流子必然会选择电阻最小的路径，进而达到有效改变发生雪崩击穿时超结DMOS器件的雪崩击穿电流路径，使雪崩击穿电流远离寄生BJT管的基区电阻，从而避免寄生BJT管的发射极正偏而造成的BJT管的开启，增强超结DMOS器件的钪UIS失效能力，提高器件在非箝位电感负载应用中的可靠性
一种深槽超结 dmos 器件

[发明专利]用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法-CN201110138091.1无效
发明人：永福;陈雪萌;龚大卫 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法，包括步骤：提供硅衬底，其上分别形成有超结结构和终端结构的深槽；在深槽内淀积多晶硅层，多晶硅层的掺杂类型与硅衬底相反；将多晶硅层中的掺杂杂质扩散到硅衬底中，在深槽周围形成杂质扩散区；通过热氧化的方式将多晶硅层变为氧化层填满深槽；在制作MOS器件的多晶硅栅极时，于终端结构的区域同步形成多晶硅场板。本发明的终端结构及其制作方法实现工艺和设计方法简单，并且与深槽超结MOS器件的工艺完全兼容。
用于深槽超结 mos 器件终端结构制作方法

[发明专利]带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件及其加工工艺-CN201811012432.9在审
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明功率器件技术领域，尤其涉及一种带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层和源极金属。该器件采用侧墙栅结构，侧墙栅位于沟槽氧化层的侧立面上，沟槽氧化层位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快、耐压高的特点，又具有侧墙栅屏蔽JFET电阻的特点，进而提高了超结MOSFET器件的功率密度，并且同时减小了多晶硅与栅氧化层的接触面积，减小Qg栅电荷，进而减小了开关损耗，提高了开关频率。
侧墙超结MOSFET 深槽结构栅结构减小深槽沟槽氧化层外延层源区多晶硅栅极栅极氧化层功率器件开关频率开关损耗器件横向源极金属栅氧化层多晶硅介质层栅电荷屏蔽侧立衬底电阻耐压保留

[实用新型]带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件-CN201821424488.0有效
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型功率器件技术领域，尤其涉及一种带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层和源极金属。该器件采用侧墙栅结构，侧墙栅位于沟槽氧化层的侧立面上，沟槽氧化层位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快、耐压高的特点，又具有侧墙栅屏蔽JFET电阻的特点，进而提高了超结MOSFET器件的功率密度，并且同时减小了多晶硅与栅极氧化层的接触面积，减小Qg栅电荷，进而减小了开关损耗，提高了开关频率。
侧墙超结MOSFET 深槽结构栅结构减小深槽沟槽氧化层栅极氧化层外延层源区本实用新型多晶硅栅极功率器件开关频率开关损耗器件横向源极金属多晶硅介质层栅电荷屏蔽侧立衬底电阻耐压保留

[发明专利]低压超结MOSFET栅源氧化层结构及制造方法-CN201710153059.8在审
发明人：杨乐;刘挺;岳玲 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及低压超结MOSFET栅源氧化层结构及制造方法，通过两次氮化硅工艺对栅极源极间氧化层厚度进行调整，避免栅源间根部氧化层不均匀，造成器件失效或参数异常。本发明通过深槽填充多晶硅，两个深槽互相电荷平衡完成超结功能，再在深槽上方采用湿法腐蚀的方式形成浅槽，在浅槽中制作低压超结MOSFET，共同构成低压超结器件，可以用传统的半导体制造工艺实现，在工艺难度不增加的情况下改善第一多晶硅与栅极多晶硅之间氧化层质量
低压 mosfet 氧化结构制造方法

[发明专利]具有高深宽比体内超结的横向高压器件及其制造方法-CN202010887963.3在审
发明人：章文通;祖健;朱旭晗;何乃龙;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高深宽比体内超结的横向高压器件及其制造方法，包括：第一导电类型漂移区、深槽区域，通过深槽槽底注入形成与第二导电类型衬底相连的第二导电类型区，位于漂移区两侧的第一和第二导电类型阱区和重掺杂区所述深槽通过硬掩模层Hard Mask保护刻蚀得到，然后槽底注入得到第二导电类型区与槽底两侧的漂移区一起形成体内超结，并维持电荷平衡，优化了器件体内场，并提供体内低阻通路；超结条宽和深度由深槽刻蚀宽度和深度决定，可以得到高深宽比的体内超结结构。
具有高深体内横向高压器件及其制造方法

[发明专利]用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法-CN201110138281.3有效
发明人：永福;陈雪萌;龚大卫 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法，包括步骤：提供硅衬底，其上分别形成有超结结构和终端结构的深槽；在深槽内淀积第一多晶硅层，第一多晶硅层的掺杂类型与硅衬底相反；将第一多晶硅层中的掺杂杂质扩散到硅衬底中，在深槽周围形成杂质扩散区；将第一多晶硅层热氧化为氧化层，或者去除第一多晶硅层后再重新热生长氧化层，氧化层不填满深槽；在深槽内继续淀积第二多晶硅层并填满深槽，第二多晶硅层的掺杂类型与MOS器件的多晶硅栅极相同本发明的终端结构及其制作方法实现工艺和设计方法简单，与深槽超结MOS器件的工艺完全兼容，分压效果明显又节省芯片面积。
用于深槽超结 mos 器件终端结构制作方法

[发明专利]一种改善深槽超结MOSFET耐压的器件结构及其工艺方法-CN202010994103.X在审
发明人：薛璐;何军;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善深槽超结MOSFET耐压的器件结构及其工艺方法，通过在外延中的多次注入，改变器件从底部到表面的N型杂质浓度，减小器件底部的N型杂质浓度，增加器件表面的N型杂质浓度，使器件底部和表面的本发明可以解决传统深槽型超结MOSFET受工艺影响导致的耐压不稳及偏低的问题。
一种改善深槽超结 mosfet 耐压器件结构及其工艺方法

[发明专利]一种SiC超结器件-CN202310308535.4在审
发明人：邓小川;吴阳阳;李凌峰;李轩;赵汉青;徐文轩;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC超结器件，包括：N型衬底、N柱区、P柱区、源电极、栅极沟槽氧化物、超结沟槽结构、超结沟槽氧化物、多晶硅栅、P‑body区、P+接触区、N+接触区、漏电极；本发明所提出的SiC超结器件，通过沟槽刻蚀与离子注入相结合的方式，解决了常规的离子注入工艺或深槽刻蚀填充工艺难以形成理想深度的超结N/P柱结构，即难以获得高深宽比的超结N/P柱结构，即难以实现理想击穿电压‑导通电阻折衷的问题。
一种 sic 器件

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