[发明专利]一种深硅槽中选择性外延锗方法在审
| 申请号： | 202110956076.1 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113658905A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨荣 | 申请（专利权）人： | 杨荣 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/142 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 罗强 |
| 地址： | 100096 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种深硅槽中选择性外延锗方法，包括：步骤1、在硅衬底表面沉积硬掩膜，并制作深硅槽；步骤2、在深硅槽的侧壁和底部同时选择性外延生长锗；步骤3、高温退火使侧壁锗材料再分布；步骤4、重复步骤2‑3使深硅槽处外延生长锗表面高于硬掩膜；步骤5、进行化学机械抛光使锗表面与硬掩膜表面齐平；步骤6、去除硬掩膜，完成深硅槽的选择性外延锗。本发明提出的方案在硅槽侧壁和底部同时外延锗/锗硅，结合高温锗再分布技术，可以在不影响形貌的情况下，实现深硅槽中锗/锗硅外延生长；并且无需在硅与锗中间插入氧化硅层，有利于提升硅波导到锗器件的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深硅槽中 选择性 外延 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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