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[发明专利]半导体装置-CN202310128708.4在审
发明人：季彦良 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括：半导体部件；以及硅基被动部件，沿该半导体部件的厚度方向堆叠在该半导体部件上。本发明中，硅基被动部件可以是与半导体部件同样在晶圆工艺中形成的，因此硅基被动部件的尺寸可以与半导体部件的尺寸相当，并且硅基被动部件堆叠在半导体部件上，因此可以节省面积占用，减小半导体装置的尺寸。
半导体装置

[发明专利]一种化合物半导体基板与硅基载板永久键合方法-CN202110203812.6在审
发明人：严立巍;符德荣;文锺;陈政勋;李景贤 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开一种化合物半导体基板与硅基载板永久键合方法，包括以下步骤：S1、将硅基载板和化合物半导体基板清洗干净并去除自然氧化层，通过电浆对硅基载板表面处理，激发硅基载板原子活性键；S2、将化合物半导体基板键合在硅基载板表面；S3、将放置好化合物半导体基板的硅基载板放入高温炉管中进行高温回火，使化合物半导体基板与硅基载板形成永久键合结构；S4、将与硅基载板键合后的化合物半导体基板进行后续晶圆制程本发明将小尺寸化合物半导体基板永久性键合于硅基载板上，实现了利用现行的主力尺寸硅片的生产线量产化合物半导体元件，可以一次进行多片化合物半导体晶圆的制造，提高了化合物半导体晶圆的产线效益。
一种化合物半导体硅基载板永久方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法和应用-CN201410553135.0在审
发明人：陈弘;贾海强 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供的半导体器件包括依次形成的硅基材料基片、隔离层、化合物基半导体外延材料层，其中，所述隔离层的材料为金属材料或介质材料，本发明提供的半导体器件，通过在硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间建立隔离层，从而构建了硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间的晶格失配产生应力的缓冲层，这样，该半导体器件在工作时，硅基衬底与化合物基半导体外延材料两者晶格失配与热失配问题产生的大的应力问题得到良好隔离，半导体器件工作寿命延长
半导体器件及其制备方法应用

[实用新型]级联配置的器件与半导体元件-CN201620778059.8有效
发明人：刘春利;A·萨利赫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及级联配置的器件与半导体元件。根据一种实施例，半导体元件包含与硅基半导体器件耦接的基于化合物半导体材料的半导体器件以及保护部件，其中该硅基半导体器件是晶体管。保护部件并联耦接于硅基半导体器件两端，并且可以是电阻器、二极管或晶体管。根据另一种实施例，硅基半导体器件是二极管。化合物半导体材料可以用短路部件与电位源(例如，地线)短接。
级联配置器件半导体元件

[实用新型]半导体元件-CN201620778058.3有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·文卡特拉曼;A·萨利赫;刘春利 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体元件。根据一种实施例，半导体元件具有与硅基半导体器件连接的基于化合物半导体材料的半导体器件以及保护部件，其中该硅基半导体器件是晶体管。保护部件并联耦接于硅基半导体器件两端并且可以是电阻器、二极管或晶体管。根据另一种实施例，硅基半导体器件是二极管。化合物半导体材料可以用短路部件与电位源(例如，地线)短接。
半导体元件

[发明专利]一种低温下化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法-CN201310556902.9有效
发明人：王子昊;曹亮;崔德国;谈捷;刘城 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层，之后将两种半导体进行热压键合。本发明所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，本发明方法可以在200-300℃的相对低温下，仅采用钯层作为中间介质键合层实现了将硅基半导体与化合物半导体键合在一起，不仅成本较低，工艺过程简单
一种低温化合物半导体进行方法

[发明专利]显示设备-CN202310163523.7在审
发明人：崔誉灿;朴光雨;李震龙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10K59/123 文献下载
摘要：一种显示设备包括：基底；第一硅基晶体管，所述第一硅基晶体管包括第一半导体层和第一栅极电极，所述第一半导体层包括硅基半导体，并且所述第一栅极电极与所述第一半导体层重叠；至少一个绝缘层，在所述第一栅极电极上；第一氧化物基晶体管，所述第一氧化物基晶体管包括半导体层，所述半导体层包括氧化物基半导体；第一连接电极，将所述第一半导体层电连接到所述第一氧化物基晶体管的所述半导体层；以及底金属层，设置在所述基底和所述第一硅基晶体管之间，并且与所述第一硅基晶体管的所述第一半导体层的部分重叠。所述底金属层的部分与在所述第一半导体层的部分和所述第一连接电极之间的第一连接点重叠。
显示设备

[发明专利]芳基(硫)醚芳基聚硅氧烷组合物及其制备和使用方法-CN200710197003.9有效
发明人： D·W·莫斯利;G·卡纳里昂 -专利权人：罗门哈斯公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C08L83/08 文献下载
摘要：揭示了一种可固化的芳基(硫)醚芳基硅组合物。还揭示了固化的芳基(硫)醚芳基聚硅氧烷组合物以及由所述可固化的芳基(硫)醚芳基硅组合物制备所述固化的芳基(硫)醚芳基聚硅氧烷组合物的方法。还揭示了一种包封的半导体器件，以及通过用固化的芳基(硫)醚芳基聚硅氧烷涂敷半导体器件的半导体元件来制备所述包封的半导体器件的方法。
芳基醚芳基聚硅氧烷组合及其制备使用方法

[发明专利]硅基半导体与化合物半导体异构集成方法及异构集成器件-CN201910683606.2有效
发明人：常虎东;孙兵;苏永波;刘洪刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种硅基半导体与化合物半导体异构集成方法及异构集成器件，包括下列步骤：在硅基半导体的表面沉积三氧化二铝介质层；在所述三氧化二铝介质层的表面沉积铝层，备用；在化合物半导体的表面沉积三氧化二铝介质层；对沉积有三氧化二铝介质层的化合物半导体进行氧离子注入，备用；将上述备用的硅基半导体与化合物半导体键合在一起。本发明实现硅基半导体与化合物半导体良好的键合，避免了金属键合存在的金属层对半导体材料的影响，极大提高键合效率和器件质量。
半导体化合物集成方法器件

[发明专利]硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件-CN202010851032.8有效
发明人：袁雪婷;张昕宇 -专利权人：晶科绿能(上海)管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件，涉及半导体器件技术领域。该硅基半导体器件的切割后钝化方法，包括以下步骤：利用切割工艺对所述硅基半导体器件的预设区域进行切割以形成与所述预设区域相关的第一表面；对所述第一表面进行光滑处理以调整所述第一表面的表面形貌，使得所述第一表面上非边缘区域的凸起和凹陷高度差小于本申请能减少或避免硅基半导体器件因切割而导致的效率降低问题，有助于获得更高效率的硅基半导体器件。
半导体器件切割钝化方法

[发明专利]在图案化衬底上的III族氮化物半导体器件-CN202180002254.5在审
发明人：陈亮;李浩;郑浩宁;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在此提供一种III族氮基半导体器件。III族氮基半导体器件包括硅衬底。硅衬底具有形成在其中的周期性凹槽阵列的表面。在周期性凹槽阵列的每个凹槽内形成不连续绝缘层，使得相邻的凹槽之间的硅衬底表面的一部分未被不连续绝缘层覆盖。在具有周期性凹槽阵列和不连续绝缘层的硅衬底其上形成第一外延III族氮基半导体层。第二III族氮基半导体层设置在第一III族氮基半导体层上并且其具有的带隙大于第一III族氮基半导体层的带隙。至少一个源极和至少一个漏极设置在第二III族氮基半导体层上。栅极还设置在源极和漏极之间的第二III族氮基半导体层上。
图案衬底 iii 氮化物半导体器件

[发明专利]热稳定的芳基聚硅氧烷组合物-CN200710180280.9有效
发明人： G·卡纳里昂;D·W·莫斯利 -专利权人：罗门哈斯公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：揭示了一种可固化的芳基硅氧烷组合物。还揭示了一种热稳定性的固化的芳基聚硅氧烷组合物，以及由所述可固化的芳基硅氧烷组合物制备所述热稳定性固化的芳基聚硅氧烷组合物的方法。还揭示了一种包封的半导体器件，以及用所述热稳定性的固化的芳基聚硅氧烷涂敷半导体器件的半导体元件、以制备该包封的半导体器件的方法。
稳定芳基聚硅氧烷组合

[发明专利]化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法及异构集成器件-CN201910691211.7有效
发明人：常虎东;孙兵;刘洪刚;金智 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法，包括：选区刻蚀化合物半导体外延层，以在化合物半导体上形成腐蚀槽；在外延层的刻蚀面以及腐蚀槽的内槽壁上形成键合介质层；在硅基衬底上涂敷热固性胶层；将上述化合物半导体、硅基互补金属氧化物半导体晶圆键合；刻蚀化合物半导体的衬底、形成部分键合介质层以及胶层。本发明通过选区刻蚀形成的腐蚀槽，利于热固性胶层中气泡的排出，在化合物半导体上形成键合介质层，保护了化合物半导体的表面，通过热固性胶层与键合介质层的键合，实现了化合物半导体的外延层与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的良好键合
化合物半导体互补金属氧化物集成方法器件

[发明专利]一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法-CN201511031542.6有效
发明人：刘丽蓉;马莉;夏校军 -专利权人：昆山成功环保科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：(1)对硅基半导体进行清洗，之后在其表面沉积氧化硅；(2)对化合物半导体进行清洗，之后在其上沉积三氧化二铝介质；(3)在沉积完三氧化二铝介质后对其表面进行三甲基铝气体吹扫；(4)对硅基半导体二氧化硅表面进行氧等离子体吹扫，之后将两种半导体进行热键合。本发明所述的低温化合物半导体与硅基半导体键合方法，温度低于350度，且采用三氧化二铝与二氧化硅键合，键合步骤简单、成本低。
一种化合物半导体进行方法

[发明专利]一种异构集成射频放大器结构-CN201910708220.2有效
发明人：常虎东;孙兵;杨枫;丁武昌;刘洪刚;金智 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公布了一种异构集成射频放大器结构，包括：第一化合物半导体器件、第二化合物半导体器件、第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件；第一硅基PMOS器件和第二硅基PMOS器件；第一硅基PMOS器件的源极连接第三化合物半导体器件的集电极，第二硅基PMOS器件的源极连接第四化合物半导体器件的集电极；第一硅基PMOS器件的源极和第三化合物半导体器件的集电极连接电压输出端的第一端，第二硅基PMOS器件的源极和第四化合物半导体器件的集电极连接电压输出端的第二端；第一化合物半导体器件的基极连接电压输入端的第一端，第二化合物半导体器件的基极连接电压输入端的第二端。
一种集成射频放大器结构

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