[发明专利]在图案化衬底上的III族氮化物半导体器件在审
| 申请号： | 202180002254.5 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113508467A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;李浩;郑浩宁;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 在此提供一种III族氮基半导体器件。III族氮基半导体器件包括硅衬底。硅衬底具有形成在其中的周期性凹槽阵列的表面。在周期性凹槽阵列的每个凹槽内形成不连续绝缘层，使得相邻的凹槽之间的硅衬底表面的一部分未被不连续绝缘层覆盖。在具有周期性凹槽阵列和不连续绝缘层的硅衬底其上形成第一外延III族氮基半导体层。第二III族氮基半导体层设置在第一III族氮基半导体层上并且其具有的带隙大于第一III族氮基半导体层的带隙。至少一个源极和至少一个漏极设置在第二III族氮基半导体层上。栅极还设置在源极和漏极之间的第二III族氮基半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 衬底 iii 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
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