[发明专利]硫族化物材料、可变电阻存储器件和电子设备在审
| 申请号： | 202010711127.X | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112599663A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 郑光先;潘尚炫;安俊九;李范锡;李泳昊;李禹太;李钟豪;张桓埈;赵性来;曹艺天;黄旭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。 | ||
| 搜索关键词： | 硫族化物 材料 可变 电阻 存储 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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