[发明专利]多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法在审
| 申请号： | 201510659806.6 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105133019A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 | 申请（专利权）人： | 云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B30/04;C30B11/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 施建辉 |
| 地址： | 650503 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 多室砷化镓单晶 生长 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，其特征在于该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉，通过以下步骤进行合成：A、多室砷化镓单晶生长炉：包括四个独立的炉室（1）和与炉室（1）配套的纵向磁场装置（2），炉室（1）嵌套在纵向磁场装置（2）中，四个炉室（1）的纵向磁场装置（2）通过导线连成一体，其中：炉室（1）结构包括炉体（7）、炉壁（8）、瓷管（9）、加热器、热电偶、热电偶、石英异型管（15）、PBN坩埚（16）、炉芯（18）、升降机（19）；炉壁（8）固定在炉体（7）内壁上，瓷管（9）固定在炉壁（8）内壁上，加热器为三个，分为上部加热器（10）、中部加热器（11）以及下部加热器（12），分别固定在炉壁（8）内的上、中、下三处；石英异型管（15）呈漏斗状，放置在瓷管（9）内；PBN坩埚（16）放置在石英异型管（15）内，炉芯（18）安装在石英异型管（15）底部；热电偶为两个，分别为上部热电偶（13）与下部热电偶（14），上部热电偶（13）固定在炉体（7）顶部，下部热电偶（14）固定在炉芯（18）中；升降机（19）与炉芯（18）底面连接；纵向磁场装置（2）包括弧形磁场线圈（3）、内筒（4）、外筒（5）、氩气罐（6），弧形磁场线圈（3）安装在内筒（4）中，内筒（4）放置在外筒（5）内，氩气罐（6）与外筒（5）连接；B、操作步骤：（1）砷化镓籽晶（17）的安置：将砷化镓籽晶（17）安置在PBN坩埚（16）的底部，并用氧化硼封堵PBN坩埚（16）底部；（2）准备原料及备炉：将纯度为99.99999%的高纯砷化镓多晶原料分别放入PBN坩埚（16）中，并将坩埚放入石英异型管（15）内；（3）石英异型管（15）的封焊：将上述步骤的石英异型管（15）抽真空至10‑3Pa～0.4*10‑4Pa，并利用氢氧焰对石英异型管（15）进行封焊，然后将真空度良好的石英异型管（15）放入炉室（1）中；（4）原料的熔融：在24小时内增加，逐步增加三个加热器功率，使上部加热器（10）功率达到6kW～8kW、中部加热器（11）功率达到8kW～10kW、下部加热器（12）功率达到10kW～12kW，对PBN坩埚（16）进行加热，熔融PBN坩埚（16）中的原料；（5）籽晶（17）半熔融：待上部热电偶（13）测得温度为1267.5℃～1275℃时，开启纵向磁场装置（2），调节纵向磁场装置（2）电流至475A～1000A，保持上部加热器（10）和中部加热器（11）功率不变，并调节下部加热器（12）的功率至12.5kW～20kW，使下部热电偶（14）测得的温度为1235℃～1250℃；（6）晶体肩部生长：保持上部加热器（10）和中部加热器（11）功率不变，下部加热器（12）功率稳定降低24小时，下降速度为0.1kW/h～0.25kW/h，使晶体肩部稳定生长；（7）晶体等径部分的生长：调节纵向磁场装置（2）电流为400A～900A，下部热电偶（14）测得的温度为1240℃～1245℃，出现诱导漩涡，然后以0.1A/h～0.4A/h的速度降低纵向磁场装置（2）电流，同时分别以0.1kW/h～0.4kW/h、0.12kW/h～0.24kW/h、0.1kW/h～0.22kW/h的速度降低上部加热器（10）、中部加热器（11）以及下部加热器（12）的三个加热器的功率，并以7mm/h～10mm/h匀速降低升降机（19）高度，此步骤时间为48小时，使晶体等径部分稳定生长；（8）晶体退火：待上部热电偶（13）测得温度为1230℃～1226℃，分别降低上部加热器（10）功率降低速度1kW/h～2.6kW/h、中部加热器（11）功率降低速度2kW/h～3kW/h以及下部加热器（12）加热器功率降低速度3kW/h～4kW/h，加热器功率下降时间为80小时，然后关闭升降机（19）和纵向磁场装置（2）；（9）取晶及脱坩埚：待加热器功率下降为0时，关闭加热器电源，使砷化镓单晶自然冷却至室温，将装有生长完成的砷化镓单晶的PBN坩埚（16）放入纯度为99.99999%的高纯高纯甲醇中，加热甲醇溶液至40℃～60℃，待24小时～48小时后，砷化镓单晶和PBN坩埚（16）发生分离，得到砷化镓单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南鑫耀半导体材料有限公司，未经云南鑫耀半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510659806.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗腰腿疼痛的中药配方
- 下一篇：一种音频去噪方法和系统
- 同类专利
- 砷化镓晶体和砷化镓晶体基板-201780087442.6
- 福永宽;秋田胜史;石川幸雄 - 住友电气工业株式会社
- 2017-07-04 - 2019-10-11 - C30B29/42
- 在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
- 一种砷化镓多晶合成装置和合成方法-201910666881.3
- 王金灵;白平平;周铁军;罗小龙;廖彬;刘留 - 广东先导先进材料股份有限公司
- 2019-07-23 - 2019-09-20 - C30B29/42
- 本发明提供了一种砷化镓多晶合成装置和合成方法，包括合成炉，合成炉包括圆柱状的炉室；炉室内具有石英棉、加热器、石英管、第一石英舟和第二石英舟；炉室包括高温区和低温区，高温区和低温区均具有加热器，加热器固定在炉室的内壁上；石英管位于炉室内部，第一石英舟和第二石英舟位于石英管内，且第一石英舟位于高温区，用于装载镓材料，第二石英舟位于低温区，用于装载砷材料，以合成砷化镓多晶棒。本发明中，采用石英舟代替原来的PBN舟，形成了杂质和孔洞较少的砷化镓多晶棒，从而提高了砷化镓多晶的纯度，进而提高了砷化镓单晶的性能和成活率。
- 从热解氮化硼坩埚中分离砷化镓单晶的分离方法以及分离装置-201910507570.2
- 李万朋;许所成;马英俊;许兴;林泉;赵敬平 - 有研光电新材料有限责任公司
- 2019-06-12 - 2019-09-10 - C30B29/42
- 本发明提供的一种从热解氮化硼坩埚中分离砷化镓单晶的分离方法以及分离装置，涉及单晶生长技术领域，包括如下步骤：将待分离的热解氮化硼坩埚和砷化镓单晶浸泡在有机溶剂中，加热所述有机溶剂，然后进行超声处理。在上述技术方案中，通过加热与超声波结合的方式进行脱埚操作，可以加速二者的分离效率，使整个脱锅周期大大的缩短，从而也大大缩短了热解氮化硼坩埚在有机溶剂中浸泡的时间，降低对热解氮化硼坩埚的损伤，此脱埚处理过后的热解氮化硼坩埚表面平整，使用寿命大大延长。并且，该分离方法操作简单，所有操作都在低温下进行，没有特殊操作要求。
- 一种砷化镓多晶的制作方法及装置-201910537542.5
- 向丽君;王金灵;朱凌强;周铁军;刘留;罗小龙 - 广东先导先进材料股份有限公司
- 2019-06-20 - 2019-08-20 - C30B29/42
- 本发明公开了一种砷化镓多晶的制作方法及装置，该方法采用水平梯度凝固法使装有砷的氮化硼舟与装有镓的氮化硼舟在密封的石英管内反应形成砷化镓多晶；然后切割去除所述石英管的管口的石英帽，取出砷化镓多晶，并且采用的切割步骤为：将所述石英管固定在切割台上；然后将运转的锯片布置在与所述石英管上靠近所述石英帽的正下方的横截面共面的位置；最后所述锯片相对所述石英管在所述横截面所在平面内做平移靠近运动，直至所述石英管被切断。在上述制作方法中，能够有效的避免切割工序中氮化硼舟因与砷化镓多晶料频繁碰撞而导致的两端破损的问题，使得氮化硼舟的使用寿命得到有效的提升，同时还能够有效的降低石英管的管口破损率。
- 一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法-201610173297.0
- 刘广政;杨冠卿;于天;徐波 - 中国科学院半导体研究所
- 2016-03-24 - 2019-07-05 - C30B29/42
- 本发明提供了一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。
- 水平舟生产法的反应装置-201821021625.6
- 雷仁贵;肖亚东;谈笑天 - 汉能新材料科技有限公司
- 2018-06-29 - 2019-06-11 - C30B29/42
- 本实用新型公开了一种用于水平舟生产法的反应装置。该装置包括密闭反应管，所述反应管在水平方向的不同位置处布置有水平舟容器，其中，所述水平舟容器包括至少一个第一层水平舟容器，在所述第一层水平舟容器的至少一个上设置有支架装置，在所述支架装置上叠置一第二层水平舟容器，其中，所述支架装置设置为支撑所述第二层水平舟容器，并在所述第一层水平舟容器和第二层水平舟容器之间提供间隙。本实用新型提供的装置可实现水平舟的更灵活布置，并改进半导体的生产工艺。
- 一种砷化镓多晶合成方法-201810827502.X
- 肖亚东;雷仁贵;谈笑天 - 汉能新材料科技有限公司
- 2018-07-25 - 2018-11-23 - C30B29/42
- 本发明提供了一种砷化镓多晶合成方法，包括以下步骤：提供具有相连通的上腔和下腔的反应容器，在下腔内填装砷，在上腔内安装承装容器，且承装容器内填装有镓；然后密封并抽真空反应容器；随后对反应容器进行升温处理，以使砷和镓进行合成反应；最后，对反应容器进行降温处理，并将合成的砷化镓多晶体取出。本发明采用垂直布里奇曼法进行多晶合成，生产量高；多晶料在承装容器内成型，因此在单晶装料时，可与承装容器完全匹配，提高每炉次的投料量并降低单晶生产成本；由于反应容器垂直设置并具有上腔和下腔，反应容器热场的温度梯度分布均匀，合成的多晶料致密、无孔洞，无富镓，合成比例较之前有比较大的改善。
- 水平舟生产法的反应装置和半导体制备方法-201810698438.X
- 雷仁贵;肖亚东;谈笑天 - 汉能新材料科技有限公司
- 2018-06-29 - 2018-09-21 - C30B29/42
- 本发明公开了一种用于水平舟生产法的反应装置和水平舟生产法的半导体制备方法。该装置包括密闭反应管，所述反应管在水平方向的不同位置处布置有水平舟容器，其中，所述水平舟容器包括至少一个第一层水平舟容器，在所述第一层水平舟容器的至少一个上设置有支架装置，在所述支架装置上叠置一第二层水平舟容器，其中，所述支架装置设置为支撑所述第二层水平舟容器，并在所述第一层水平舟容器和第二层水平舟容器之间提供间隙。本发明提供的装置和方法可实现水平舟的更灵活布置，并改进半导体的生产工艺。
- 在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法-201510082868.5
- 贾少鹏;何巍;陆书龙 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2015-02-16 - 2018-08-28 - C30B29/42
- 本发明公开了一种在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法，包括步骤：S101、选取Ge衬底置于反应腔室中；S102、在所述Ge衬底上生长一As原子层；S103、在所述As原子层上生长一GaAs缓冲层，对所述GaAs缓冲层反复进行退火工艺，直至由RHEED观察到的图像由点状变为线状；S104、在所述GaAs缓冲层上生长GaAs外延薄膜。该方法能够促进Ge衬底和GaAs外延薄膜之间的反相畴自湮灭，提高了外延薄膜的晶体质量和改善了外延薄膜的表面形貌。
- 砷化镓单晶的生长方法-201510389316.9
- 雷仁贵;易明辉 - 广东先导先进材料股份有限公司
- 2015-07-02 - 2018-07-06 - C30B29/42
- 本发明提供一种砷化镓单晶的生长方法，包括步骤：(1)清洗石英坩埚；(2)将石英坩埚放入装有高纯镓的石英管内，对石英管重复进行抽真空和充气操作，最后充入惰性气体或氮气；(3)对石英管进行加热，直至石英管内温度达到1240℃以上并进行保温，之后冷却至室温；(4)将石英坩埚从石英管内取出，用酸浸泡，用去离子水清洗，再用无水乙醇进行脱水处理，放入干燥箱内待用；(5)按装料要求向石英坩埚依次装入籽晶、多晶料、余砷，将石英坩埚放入石英安培瓶内并进行抽真空、烘烤、封焊处理；(6)按传统的VGF法完成砷化镓单晶的生长。本发明既没有使用PBN坩埚，也没有使用液封剂B2O3，因此从源头上确保了GaAs单晶不受额外引入的B元素的污染。
- 砷化镓多晶合成装置-201721485950.3
- 刘留;罗小龙 - 广东先导先进材料股份有限公司
- 2017-11-08 - 2018-06-22 - C30B29/42
- 本实用新型提出一种砷化镓多晶合成装置，包括一石英管，所述冷却装置还包括内置于石英管内的一石英帽、一进气管，进气管的一端伸入石英管内且与石英帽的半球形封闭面相对设置。本合成装置通过增加进气管由现有技术的自然降温变为局部冷却，降温更有针对性，使得砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽内而非石英管上，可以有效保护石英管、PBN桥和PBN，对石英管的二次利用造成的影响小。
- 一种砷化镓多晶的合成方法及合成装置-201711455507.6
- 李超;朱刘;狄聚青;高鹏飞;黄宇彬 - 广东先导先进材料股份有限公司
- 2017-12-28 - 2018-06-01 - C30B29/42
- 本发明提供一种砷化镓多晶的高压合成方法，包括以下步骤：在真空和保护性气体气氛下，将高纯镓单质和砷单质依次进行升温、均匀化、VGF定向凝固和降温，得到砷化镓多晶；所述VGF定向凝固为：均匀化后采用VGF工艺降温，等温面的移动速率为30～60mm/h。本发明的优势在于高纯、高效、低成本、下游配套。化合物反应为液相‑液相反应，速率比水平双温区的气相‑液相反应快。反应不需要石英管，避免了Si污染液降低了成本。反应完成、均匀化之后的定向凝固步骤借鉴VGF工艺，不需要机械装置，设备简单、密封性能好。本方法得到的砷化镓多晶棒不用切割，避免二次污染。本发明还提供了一种砷化镓多晶的合成装置。
- 一种用于砷化镓生产的热场装置-201721475709.2
- 王文昌;于会永;张军军;赵春峰;袁韶阳;荆爱明;穆成锋 - 大庆佳昌晶能信息材料有限公司
- 2017-11-07 - 2018-05-29 - C30B29/42
- 一种用于砷化镓生产的热场装置，涉及砷化镓生产设备领域，包括炉体、保温筒、电加热筒、坩埚托架、坩埚和导流筒，电加热筒上设有用于将电加热筒连接在电路中的电极，所述的保温筒的下沿设置有托环，托环的外沿连接有吊绳，所述的炉体内侧的上沿设置有挂钩，所述的吊绳的上端挂在挂钩上，所述的保温筒的下方设置有保温板，保温筒的下沿设置有截面为梯形的环形凸起，环形凸起插装在保温板上的凹槽内，所述的电极的外侧设置有圆锥面，该圆锥面与保温板上的圆锥孔相匹配，从而实现对电加热筒的定位。本实用新型在保温筒底部设置了托环，通过吊绳可将托环连同保温筒一同吊起，与现有技术相比，可有效避免保温筒的损伤。
- 一种砷化镓超薄衬底-201720170298.X
- 易德福;守建川 - 江西德义半导体科技有限公司
- 2017-02-24 - 2017-09-08 - C30B29/42
- 本实用新型公开了一种砷化镓超薄衬底，所述砷化镓超薄衬底的形状为正六边形，所述砷化镓超薄衬底的内部包括至少两个边长依次减小的多孔正六边形，呈窝蜂状。其加工方法为材料提纯、多晶料制备、晶体生长、切片、磨边、研磨、腐蚀、粗抛和精抛、清洗、光刻腐蚀，该超薄砷化镓衬底应用于热核电池，可有效增强热核电池对放射源辐射能量的吸收效果，提高转换效率，电池输出的电压和电流可达到0‑4V、0.8‑2A。
- 一种砷化镓多晶合成装置-201720026915.9
- 杨向东;李玉平;侯利伟;李晓 - 新乡市神舟晶体科技发展有限公司
- 2017-01-11 - 2017-08-08 - C30B29/42
- 一种砷化镓多晶合成装置,包括从外到内依次设置的合成炉体、石墨保温罩和石墨坩埚，石墨坩埚内设有若干氮化硼坩埚，石墨坩埚的底部连接有石墨坩埚杆，石墨坩埚和石墨保温罩之间设有加热器，所述加热器为环形，加热器沿周向分布在石墨坩埚的外侧，所述石墨保温罩的内壁从上到下设有若干个保温罩环形凸台，加热器的外壁上设有若干个加热器环形凸台，保温罩环形凸台与加热器环形凸台的位置相适配；本实用新型能及早发现石墨坩埚和加热器的触碰，防止触碰的幅度变大，甚至变为加热器和石墨保温罩的触碰，避免发生事故。
- 一种砷化镓超薄衬底及应用-201710102563.5
- 易德福;守建川 - 江西德义半导体科技有限公司
- 2017-02-24 - 2017-05-24 - C30B29/42
- 本发明公开了一种砷化镓超薄衬底及应用，所述砷化镓超薄衬底的形状为正六边形，所述砷化镓超薄衬底的内部包括至少两个边长依次减小的多孔正六边形，呈窝蜂状。其加工方法为材料提纯、多晶料制备、晶体生长、切片、磨边、研磨、腐蚀、粗抛和精抛、清洗、光刻腐蚀，该超薄砷化镓衬底应用于热核电池，可有效增强热核电池对放射源辐射能量的吸收效果，提高转换效率，电池输出的电压和电流可达到0‑4V、0.8‑2A。
- 砷化镓多晶材料的合成工艺-201410626143.3
- 张晶 - 青岛首泰农业科技有限公司
- 2014-11-10 - 2016-06-08 - C30B29/42
- 本发明公开了一种砷化镓多晶材料的合成工艺，采用该工艺方法在合成砷化镓多晶材料时无需氧化硼封盖层，可以实现批量合成满足化合物半导体单晶材料生长工业化要求的半导体多晶材料。
- 化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法-201480030086.0
- 野田朗;太田优;平野立一 - 吉坤日矿日石金属株式会社
- 2014-03-11 - 2016-01-13 - C30B29/42
- 对于将含有Zn作为杂质的III-V族化合物半导体单晶作为基板的光电转换元件，可以不使转换效率降低，而将基板大型化。在耐热性的容器中填充原料和密封剂，将原料和密封剂加热，由此将原料熔解制成熔融液，同时使密封剂熔解，用密封剂将上述熔融液从上方覆盖，控制容器内的温度，以使相对于密封剂下部，密封剂上部的温度在不成为密封剂下部的温度以上的范围升高，在熔融液中浸渍晶种，将晶种相对于熔融液向上方提拉，由此使单晶由晶种生长。由此，虽然Zn的平均浓度是5×1017cm-3以上且3×1018cm-3以下的不会表现结晶硬化效果的低浓度，但可以得到直径2英寸以上的大型的、位错密度低、为5000cm-2的化合物半导体晶片。
- 砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法-201510659597.5
- 卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞 - 云南鑫耀半导体材料有限公司
- 2015-10-14 - 2015-12-16 - C30B29/42
- 一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
- 多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法-201510659806.6
- 卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 - 云南鑫耀半导体材料有限公司
- 2015-10-14 - 2015-12-09 - C30B29/42
- 一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
- 一种立式长晶单晶炉用的炉口堵头-201420805195.2
- 武壮文;于洪国;赵静敏;周晓霞 - 有研光电新材料有限责任公司
- 2014-12-17 - 2015-06-03 - C30B29/42
- 一种立式长晶单晶炉用的炉口堵头，它包括由上至下设置的盖体、炉口固定块和衬管固定块；该盖体为板状，盖在该单晶炉的炉口的顶部；该炉口固定块外部形状与该炉口的内壁形状相适应，使得该炉口固定块恰能插入该炉口并互相贴紧；该衬管固定块为环状，且外壁形状与该单晶炉的衬管的内壁形状相适应，使得该衬管固定块恰能插入该衬管并互相贴紧；该衬管固定块内壁的直径由上至下依次递增。本实用新型可以增加炉体上部端口保温性，保证炉内热场均匀，并防止石英管与保温毯之间的反应。
- 一种砷化镓基多晶无液封合成装置-201410521834.7
- 刘振宇;方清平 - 青岛康和食品有限公司
- 2014-09-30 - 2015-02-04 - C30B29/42
- 本发明一种砷化镓基多晶无液封合成装置提供一种包括合成炉体和位于所述合成炉体内的石墨系统，石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元，所述保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶，所述加热单元包括电极、加热器和外围温控电路，所述合成单元、以及所述加热单元中的电极和加热器位于所述保温单元的内部，所述加热单元中的加热器和电极位于所述合成单元外围中下部，所述合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚，其特征在于，所述石墨系统还包括使所述合成单元升降转动的运动单元，所述运动单元与所述合成单元、所述合成炉体相连接；所述石墨坩埚和所述石墨坩埚盖在连接处设计有互相啮合的台阶形状。
- 一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置-201420238426.6
- 郑婧鹏 - 郑婧鹏
- 2014-05-12 - 2014-12-17 - C30B29/42
- 本实用新型公开了一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置，该装置属晶体生长技术领域。它包括一个闭合的不含观察窗(6)的均匀加热场系统(1)，在加热场系统(1)内高中温结合部设一无加热体的空置区(3)，在安瓿反应室(5)一端设一可控砷压仓(4)。从而使热场分布更加均匀，垂向和径向温度梯度都变得更易控制，砷压可随机控制，使晶体具备优异化学计量比，成晶率重复性增加，从而使产品质量明显提高。
- 单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶-201410171993.9
- 藤井俊辅;川濑智博;羽木良明;桥尾克司 - 住友电气工业株式会社
- 2010-01-08 - 2014-10-22 - C30B29/42
- 提供一种可通过较简单的构造获得良好品质的单晶的单晶制造装置、单晶的制造方法及单晶，单晶制造装置(1)将坩埚(4)中保持的原料加热熔化后，使其从一个方向凝固，从而制造出单晶，具有安瓿(3)及坩埚(4)、底座(2)、加热器(5)，底座(2)支撑安瓿(3)，加热器(5)用于加热安瓿(3)及坩埚(4)，构成底座(2)的材料的导热率为0.5W/(m·K)以上、应形成的单晶的导热率的值以下，构成底座(2)的材料中，波长为1600nm以上、2400nm以下的光相对于厚4mm的该材料的透光率为10％以下。
- 一种简易的热偶保护装置-201320661710.X
- 李磊 - 北京华进创威电子有限公司
- 2013-10-25 - 2014-07-09 - C30B29/42
- 本实用新型公开了一种简易的热偶保护装置，包括双孔瓷管、短瓷管和石墨套管，其中，短瓷管一端密封，热偶丝在炉内直管的部份设置于双孔瓷管内，双孔瓷管的设置于短瓷管内，短瓷管设置在石墨套管内，双孔瓷管、短瓷管和石墨套管整体形成保护结构来将热偶丝与砷蒸气相隔离。本实用新型中，由于铂-铂铑热偶丝在高温区完全由瓷管保护，与砷蒸气不接触，从而避免了腐蚀。
- 一种改进型梯度凝固GaAs单晶生长方法-201410075134.X
- 金敏;徐家跃;何庆波 - 昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司
- 2014-03-04 - 2014-05-14 - C30B29/42
- 本发明专利提供了一种改进型梯度凝固GaAs单晶生长方法，它对传统垂直梯度凝固法(VGF)或垂直布里奇曼法(VB)晶体生长装置进行了改造。其特征在于加热系统被安装在晶体生长炉顶部，加热元件为一组串联的U型硅钼棒。炉体内温度分布曲线通过隔热板形成。GaAs原料在隔热板以上的高温区熔化，熔体在隔热板形成的温度梯度区结晶生长。获得的晶体通过下降装置移至隔热板以下，高温原位退火释放热应力。采用该工艺生长的GaAs单晶具有低位错、大尺寸以及热应力小等优点。
- 化合物多晶的制造方法和制造装置、以及化合物单晶的制造方法-201310498994.X
- 柴田真佐知;稻田知己 - 日立金属株式会社
- 2013-10-22 - 2014-05-07 - C30B29/42
- 本发明提供能够不使用液体密封剂或石英安瓿而简便地合成高纯度的化合物多晶的化合物多晶的制造方法和制造装置、以及化合物单晶的制造方法。在本发明的一个方式中，提供一种化合物多晶的制造方法，其包括：将Ga（110）和As（111）收纳在通过细孔与外部连接的反应容器（10）中的工序；将反应容器（10）载置在压力容器（101）内，将压力容器（101）密闭的工序；用不活泼气体（112）置换压力容器（101）内的气氛的工序；和通过控制不活泼气体（112）的压力，总是以As的蒸气压以上的压力对压力容器（101）内进行加压，并且对反应容器（10）进行加热，使Ga（110）和As（111）反应，合成化合物多晶（114）的工序。
- 结晶材料的真空储存方法及装置-201180072961.8
- 堀冈佑吉;梶原治郎;真田浩嗣 - 三菱综合材料技术株式会社
- 2011-08-25 - 2014-05-07 - C30B29/42
- 本发明的目的在于单晶硅生长的过程中的炉内碳零件的劣化的防止、生长结晶中的碳浓度降低、以及单晶的多晶化比例的改善。再者，系为解决炉开放时，水分会吸附于炉内零件、烧结金属材料、或半导体结晶原料所致的炉的随时间变化或结晶的差排等问题。本发明的技术手段系包含真空抽取步骤，将填充有烧结金属的原料的模板，或是填充有砷化镓结晶以及用以进行半导体结晶生长的原料的坩埚的开口，以设有供应管及真空排气管的盖子予以闭合，该半导体结晶生长系为单晶硅或多晶硅的半导体结晶生长，且藉由该真空排气管将该模板或该坩埚的内部真空抽取成为10-4托尔以下的高真空状态；以及升温干燥步骤，藉由该供应管将50℃以上且200℃以下的高温惰性气体填充于该模板或该坩埚的内部，使该原料升温并干燥，其中该原料系储存于为该盖子所覆盖的状态的该模板或该坩埚的内部。
- 一种砷化镓多晶合成装置-201310744999.6
- 任知良;王明刚;王雪梅 - 青岛润鑫伟业科贸有限公司
- 2013-12-23 - 2014-04-23 - C30B29/42
- 本发明提供一种砷化镓多晶无液封合成装置，包括合成炉体和位于合成炉体内的石墨系统，石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元，保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶，加热单元包括电极、加热器和外围温控电路，合成单元、以及加热单元中的电极和加热器位于保温单元的内部，加热单元中的加热器和电极位于合成单元外围中下部，合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚。石墨坩埚和石墨坩埚盖在连接处设计台阶形状相吻合，所述运动单元包括石墨坩埚杆和不锈钢坩埚杆，石墨坩埚杆和不锈钢坩埚杆相连接，不锈钢坩埚杆和合成炉体之间采用可升降转动的活动连接，合成炉体外部的转动电机驱动不锈钢坩埚杆升降和转动。
- 一种砷化镓多晶合成装置-201310751698.6
- 任知良;王明刚;王雪梅 - 青岛润鑫伟业科贸有限公司
- 2013-12-23 - 2014-04-23 - C30B29/42
- 本发明提供一种砷化镓多晶无液封合成装置，包括合成炉体和位于合成炉体内的石墨系统，石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元，保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶，加热单元包括电极、加热器和外围温控电路，合成单元、以及加热单元中的电极和加热器位于保温单元的内部，加热单元中的加热器和电极位于合成单元外围中下部，合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚，其特征在于，所述石墨系统还包括使合成单元升降转动的运动单元，运动单元与合成单元、合成炉体相连接；石墨坩埚和石墨坩埚盖在连接处设计台阶形状相吻合。
- 专利分类
