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C 化学；冶金

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

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国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种单晶炉的炉盖及单晶炉-CN202123095843.9有效
发明人：杨西虎;杨超;武绚丽 -专利权人：曲靖晶龙电子材料有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉的炉盖及单晶炉，包括：炉盖主体，上端中心形成圆形通孔，下端覆盖单晶炉的主室体；炉盖小副室筒，竖直延伸并连通在炉盖主体的圆形通孔处；分流环，设置在炉盖小副室筒的顶端，具有输送惰性气体的进气口和出气口，进气口与外部惰性气体源连通，出气口位于炉盖小副室筒的内壁处；导气管，沿炉盖小副室筒的内壁从出气口延伸至炉盖主体的圆形通孔处。本实用新型的单晶炉的炉盖及单晶炉，通过将导气管延伸至炉盖小副室筒的底端，使得惰性气体可以直接进入单晶炉，杜绝了惰性气体与炉盖小副室筒筒壁干扰产生涡流后在筒壁上沉积氧化物的问题，从而也避免了氧化物掉入单晶炉内，造成成晶困难及影响单晶质量的问题。
一种单晶炉

[发明专利]一种掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法-CN202210078575.X有效
发明人：蔡瑞;刘进;虎永慧 -专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂钟罩系统及其改变掺杂气体分子路径方法，包括主炉室，所述主炉室的顶部固定有隔离阀，所述隔离阀的顶部固定有副炉室，所述主炉室内壁的底部通过支杆固定有石英坩埚，所述副炉室内壁的左侧滑动连接有滑板，所述滑板的右侧固定有石英钟罩，所述石英钟罩的内部设置有石英杯，所述石英杯的顶部固定有挂环，本发明涉及直拉法生产单晶硅设备技术领域。
一种掺杂系统及其改变气体分子路径方法

[发明专利]一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒-CN201010565419.3无效
发明人：李留臣 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体为上大下小的锥形筒状结构，导流筒本体的下端部呈环状分布均匀开有多个分流槽。本发明直拉式硅单晶生长炉用导流筒结构简单，设计合理，使用安全，能有效提高硅单晶的生长效率，可广泛适用于直拉式硅单晶生长设备中。
一种直拉式硅单晶生长导流

[发明专利]一种降低单晶头氧含量的方法-CN202210740650.4在审
发明人：段俊飞 -专利权人：乌海市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种降低单晶头氧含量的方法，属于直拉单晶硅技术领域，所要解决的技术问题是直拉法单晶硅的生长过程中头部的氧含量高的问题，采用的技术方案包括如下步骤：安装热场，装有原料的石英坩埚使用吊料车吊入炉内，进行合炉拆炉后调整干泵频率进行抽真空；熔料，将坩埚中的硅晶体原料加热熔化，形成稳定流动的熔体；将籽晶将至液面使用余热熔接并开始引晶；晶体呈纵向生长等径生长，生长完成后进行收尾；将晶体冷却后取出，进行二次加料，完成后再次熔料；循环上述步骤拉直多段晶体，最后一段将坩埚内晶体熔料消耗剩余5‑7kg停炉。本发明用于直拉法单晶硅生长，可以降低单晶硅头氧含量0.8‑1.5ppma。
一种降低单晶头氧含量方法

[实用新型]单晶炉用连接组件及单晶炉-CN201922013505.2有效
发明人：王维;胥俊东;常晓鱼;陈辉 -专利权人：北京北方华创真空技术有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏领域，公开了一种单晶炉用连接组件及单晶炉。单晶炉用连接组件用于连接副室与旋板阀，包括连接柱、卡盘以及驱动组件；连接柱的一端连接在旋板阀上，连接柱上设置有沿其径向凸出的第一凸台；卡盘卡接在副室上并通过驱动组件与副室连接；卡盘上设置有葫芦孔，葫芦孔包括大孔和小孔，连接柱穿设在葫芦孔内且第一凸台位于葫芦孔的上方，第一凸台的直径小于大孔的内径且大于小孔的内径，当连接柱位于大孔内时，副室与旋板阀脱离；当连接柱位于小孔内时，副室与旋板阀连接。本实用新型提供的单晶炉用连接组件可以大大简化副室与旋板阀的连接、脱离的结构，提高了副室与旋板阀连接、脱离的效率，就能够有效地保证单晶炉的生产效率。
单晶炉用连接组件单晶炉

[发明专利]直拉式单晶炉硅料复投装置-CN201610791369.8有效
发明人：傅林坚;曹建伟;倪军夫;叶钢飞;陈丽婷 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及直拉式单晶炉，旨在提供直拉式单晶炉硅料复投装置。该直拉式单晶炉硅料复投装置包括装料室和下料管，装料室分为至少两个料斗，每个料斗下方装有对应的合页门，每个合页门上安装有吊环，下料管的上方与装料室的下口套合安装，下料管的上部焊有十字提升条；装料室的上方设有装料室上盖板和装料室上法兰，装料室上盖板上布置有提升电机和气缸，提升电机通过钢丝绳连接十字提升条，用于控制下料管的升降，每个气缸分别通过钢丝绳与对应合页门上的吊环连接，用于控制对应合页门的开闭。
直拉式单晶炉硅料复投装置

[发明专利]一种提高直拉法单晶生长速度的单晶炉-CN201310745105.5在审
发明人：吴亮;黄小卫;孟召标;刘辉;伍耀川;陈龙 -专利权人：上海涌真机械有限公司;苏州协鑫工业应用研究院有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高直拉法单晶生长速度的单晶炉，包括导流筒，在导流筒内设置有冷却装置，所述冷却装置包括环绕导流筒内壁的钼筒，钼筒的内侧环绕设置中空的铜管，铜管的两端伸出到单晶炉外部，其中一端为冷却介质的进口本单晶炉结构设计合理，铜管按照一定锥度绕制后，穿出炉外，杜绝了冷却介质在炉内泄漏的可能。导流筒可以避免熔体飞溅到冷却装置。在直拉法单晶炉热场中采用该装置，可以强化生长界面附近的晶体冷却效果，增大晶体的纵向温度梯度，从而大幅提高晶体的生长速度。达到快速生长晶体，降低晶体加工成本的目的。
一种提高直拉法单晶生长速度单晶炉

[实用新型]一种直拉法单晶炉用分段式接晶框-CN201720051795.8有效
发明人：王琳 -专利权人：陕西西京电子科技有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉技术领域，具体公开了一种直拉法单晶炉用分段式接晶框，包括圆柱形固定框架，所述圆柱形固定框架包含多个圆环框架和连接杆，所述连接杆竖向连接所述多个圆环框架；还包括软性框架，所述软性框架包含多条软链本实用新型的直拉法单晶炉用分段式接晶框利用圆柱形固定框架连接软性框架的结构，解决了使用传统一体式接晶框时晶体不便搬运的问题，结构简单，使用方便。
一种直拉法单晶炉用分段式接晶框

[实用新型]一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒-CN201020632875.0有效
发明人：李留臣 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体为上大下小的锥形筒状结构，导流筒本体的下端部呈环状分布均匀开有多个分流槽。本实用新型直拉式硅单晶生长炉用导流筒结构简单，设计合理，使用安全，能有效提高硅单晶的生长效率，可广泛适用于直拉式硅单晶生长设备中。
一种直拉式硅单晶生长导流

[实用新型]一种单晶硅生长炉-CN200820168764.1无效
发明人：李国迪;谈志俊;蒋明霞 -专利权人：浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅生长炉，包括主炉室、副炉室和引晶装置，主炉室和副炉室之间设有翻盖阀门，其特征在于：所述单晶硅生长炉还设有二次加料装置。该单晶硅生长炉可以在保持单晶炉处于高温状态时重复加料，完成多根单晶棒生产，既节省了与单晶炉配套的石英坩锅用量、又节约了能耗。
一种单晶硅生长

[发明专利]一种分体式直拉单晶炉泄压方法-CN202210577422.X在审
发明人：刘海;彭亦奇;王人松;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分体式直拉单晶炉泄压方法，属于光伏技术领域。本发明提出的方法为：首先，利用连接件将泄压门与主炉腔体扣合锁紧；泄压门安装在分体式直拉单晶炉的主炉腔体上，通过连接件与主炉腔体扣合锁紧后形成完整且密封的分体式直拉单晶炉；然后，通过分体式直拉单晶炉进行直拉法制备单晶；之后，当分体式直拉单晶炉中发生爆炸时，主炉腔体中的压力增高，泄压门受压力作用向外打开，高温气体流出，使得主炉腔体中的压力迅速降低。本发明通过将完整的一体式直拉单晶炉腔更改为由泄压门和主炉腔体构成的分体式直拉单晶炉腔，当炉体发生爆炸，泄压门可以迅速打开泄压，从而避免了炉盖脱离炉体，炉中高温气流逸散，造成人员伤亡的问题。
一种体式直拉单晶炉泄压方法

[发明专利]一种侧面加样的单晶炉加样装置-CN201810546875.X在审
发明人：李小刚 -专利权人：峨眉山市元素新材料科技有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明属于单晶炉技术领域，具体涉及一种侧面加样的单晶炉加样装置。针对现有技术中，从单晶炉侧面加样的方式导致加料速度降低且影响单晶质量的问题，本发明的技术方案是：包括炉室和直拉室，炉室中设置有坩埚，坩埚上方设置有导流筒，所述炉室侧面设置有密封闸门，密封闸门的外部和内部分别设置有外部密封法兰和内部法兰本发明适用于单晶炉。
单晶炉加样炉室坩埚加样装置密封闸门内部法兰外部密封导流筒导向管侧面法兰石英侧面设置速度降低影响单晶真空加料加料直拉外部

[实用新型]一种直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置-CN201620267353.2有效
发明人：栗宁 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置，包括升降机构以及水冷管，升降机构用于驱动水冷管进入单晶炉内。本实用新型的直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置解决了现有的单晶炉停炉冷却时间过长的问题。本实用新型的直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置在停炉时，通过升降机构将两根水冷管同步伸入单晶炉热场中，将热场底部保温抬起，通过循环冷却水带走热场中热量，达到降低炉内温度的目的，其结构简单，避免因改造单晶炉产生的高额费用，利用单晶炉炉底预留电极孔即可安装，冷却效果显著，可将拆炉时间缩短一半。
一种直拉单晶炉停炉快速冷却装置

[实用新型]一种新型双副室单晶炉-CN202020037070.5有效
发明人：卢阳华;马向东 -专利权人：深圳晶鑫智造科技有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型双副室单晶炉，包括一机架、设置在机架上的一主炉室、一第一驱动机构与一第二驱动机构、以及与第一驱动机构、第二驱动机构输出端对应连接的第一副炉室与第二副炉室。本实用新型的是设计一种全新的双副室单晶炉，一个上部配置高精度提拉头的副室用于拉硅单晶棒，另一个上部配置低成本提升机的副室用于二次加料；从而节约停炉等待时间，大幅提高单炉的产出量和单晶炉主炉室的使用效率，减少电能和Ar气消耗，降低单晶硅生产成本。
一种新型双副室单晶炉

[发明专利]一种真空直拉炉生产机构及其拉直取晶方法-CN202110308694.5有效
发明人：程旭兵;周波 -专利权人：浙江晶阳机电股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种真空直拉炉生产机构，生产机构包括第一底板，所述第一底板上设有第一支架，第一支架上设有单晶炉，单晶炉包括炉体，炉体下方设有坩埚升降转动组件，炉体上设有旋阀，旋阀上设有副室，炉体上端设有导向组件，副室上端设有转动盘，第一底板一侧设有取晶组件，取晶组件包括夹紧组件和尾托组件。本发明生产机构结构稳定可靠，硅晶棒拉直简单快捷，导向组件能够有效避免单晶炉在进行拉升时由于拉绳转动时不稳定，出现偏移现象，提高了硅晶棒同心率，提高了产品质量，在进行取晶时，夹紧组件和尾托组件可以有效的调节位置
一种真空直拉炉生产机构及其拉直方法

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