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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种直拉单晶炉在线式热场再生系统-CN202222141087.7有效
发明人：张军彦;冯文彪;王晓峰;白枭;李媛 -专利权人：山西中电科新能源技术有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉在线式热场再生系统，属于半导体技术领域；包括载气提供装置和工艺气体提供装置；载气提供装置和工艺气体提供装置通过进气管路与直拉单晶炉副室相连接，直拉单晶炉连接有抽气管路；抽气管路与直拉单晶炉的连接处位于保温筒底部以下；载气提供装置提供的载气为惰性气体，工艺气体提供装置提供的工艺气体为卤素气体；本实用新型通过载气和工艺气体的有序流动，在高温状态下与炉内杂质反应将其有效去除，延长了单晶炉内部炭素材料的寿命；提升了单晶棒的寿命
一种直拉单晶炉在线式热场再生系统

[实用新型]一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极-CN201620266947.1有效
发明人：栗宁 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极，包括从外向内嵌套设置的主电极体、副电极体和通冷却水的电极水套，主电极体和副电极体之间绝缘。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极解决了现有技术存在的设备改造成本高、拉晶功耗高的问题。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极将主电极、底电极集成在一个金属电极上，将原4个电极减少至2个电极，避免了增加金属电极会带走热场中热量的情况，可以节约拉晶功耗8％左右，而且其结构简单，避免因改造单晶炉产生的高额费用，利用单晶炉炉底原电极孔、配套电缆、水管即可安装，兼容性强。
一种直拉单晶炉用嵌套金属电极

[实用新型]一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉-CN201922387139.7有效
发明人：王宇;冯德伸;于洪国;雷同光;李燕;马英俊;林泉 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉。一种直拉单晶炉底部用保温装置包括：坩埚杆，以及套设于所述坩埚杆上的一个或多个保温板，所述多个保温板间隔设置。本实用新型提供的保温装置可随坩埚的升降而移动，保持了坩埚底部与保温装置的距离稳定，有效的增强了单晶炉中坩埚底部的保温效果，减少温度梯度的变化，并且实用方便，效果显著，适用于低位错锗等一些对温度梯度要求较高晶体的直拉法生长工艺
一种直拉单晶炉底部保温装置

[实用新型]一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒-CN201721802617.0有效
发明人：杨东;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒，包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体，导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本实用新型一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处，利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用，有效避免了热量散失，从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。
导气筒单晶硅单晶炉直拉法拉晶本实用新型炉膛生产内排气孔排气孔处热量反射热量散失有效运行再次利用反射片内反射钼片

[发明专利]直拉式单晶炉的副炉-CN201110455233.7无效
发明人：汤仁兴 -专利权人：汤仁兴
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及直拉式单晶炉的副炉，属于单晶硅的生产制造设备领域。一种直拉式单晶炉的副炉，其特征在于：它包括副炉本体（1），所述副炉本体（1）包括内壁（2）和外壁（3），所述内壁（2）和外壁（3）之间设有水夹层（4），所述内壁（2）和外壁（3）的上下两端分别连有上法兰这种直拉式单晶炉的副炉在外壁上开设了镁棒接口，镁棒接口与内壁与外壁之间的水夹层相连通，镁棒接口中插入镁棒后，将代替内壁和外壁上的铁与自来水中的氯离子发生反应，使得氯离子不会对炉壁产生腐蚀。
直拉式单晶炉

[实用新型]一种用于判定直拉硅单晶位错的装置-CN202023249599.2有效
发明人：王万华;李英涛;王凯磊;皮小争;姜舰;崔彬;吴志强 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于判定直拉硅单晶位错的装置。该装置包括CCD相机，该CCD相机通过固定支架固定在单晶炉副室炉筒侧壁上的观察窗，并通过数据线连接电脑；该CCD相机正对单晶炉副室炉筒内的硅单晶表面，并将采集到的硅单晶表面的图像传输到电脑，经电脑对图像进行分析确定滑移线的位置采用本实用新型的装置来判定单晶位错，炉室单晶不存在因外力作用产生的划痕，不会对滑移线的判断造成干扰；并且该装置在线判定滑移线的位置，判断精确且效率高。
一种用于判定直拉硅单晶位错装置

[发明专利]一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩-CN202010670469.1在审
发明人：武建军;张培林;柴利春;张作文;王志辉 -专利权人：大同新成新材料股份有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，包括保温罩，所述保温罩底部的中间设置有外导流罩，所述外导流罩的内侧设置有内导流罩，所述外导流罩外侧的顶部设置有封气环，所述保温罩顶部的一端设置有观察口，所述观察口内部顶部的一侧和底部的一侧设置有观察镜，所述保温罩顶部的中间设置有封闭阀，所述封闭阀的顶部设置有副室炉，所述保温罩顶部的两侧铰接有支撑架；本发明装置通过观察口和观察镜的配合下，使视野不受影响，方便工作人员时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况，在支撑架的作用下对副室炉其承托作用，防止副室炉倒塌，同时在取单晶棒时也起到承托的作用。
一种直拉法单晶炉半导体石墨导流

[实用新型]直拉法生长高少子寿命掺镓硅单晶炉用的附加导流装置-CN201320077801.9有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦;任丽
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶炉用的附加导流装置，包括：石英套筒，石英套筒顶端设置外沿，在外沿下方依次设置若干圆周分布小孔，小孔均匀分布。所述的石英套筒呈倒梯形。通过单晶炉内导流系统的优化，使所生长的掺镓硅单晶的少数载流子寿命（以下简称少子寿命）得以提高。本实用新型具有不破坏通用单晶炉构造、改造成本低、具有能够有效提高直拉法生长掺镓硅单晶少子寿命的特点，并且同样适用于其它直拉法掺杂硅单晶炉，生产掺杂硼的硅单晶和掺杂磷的硅单晶。
直拉法生长少子寿命掺镓硅单晶炉用附加导流装置

[实用新型]一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构及单晶炉系统-CN202020649335.7有效
发明人：赵国伟;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构及单晶炉系统，包括相对设于单晶炉副室内部的定位装置，且相对设置的定位装置可相对靠近或远离的转动，对籽晶进行定位、稳定；其中，定位装置包括旋转驱动装置和定位件，旋转驱动装置与单晶炉副室的内壁连接，定位件与旋转驱动装置连接，定位件在旋转驱动装置的作用下转动，对籽晶进行定位、稳定。本实用新型的有益效果是应用于直拉单晶过程中，能够在直拉单晶过程中对籽晶进行稳定，使得籽晶稳定这一过程实现自动进行，实现籽晶的自动稳定，降低了劳动的强度，提高了生产效率。
一种自动稳定籽晶单晶炉定位机构系统

[发明专利]硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法-CN201110407848.2无效
发明人：曾泽斌 -专利权人：曾泽斌
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法。由提拉头、副炉室、隔离阀、炉体、上部保温罩、加热器、坩埚升降旋转机构、石墨坩埚、坩埚、钢丝绳、夹头等组成单晶提拉部分，由小炉筒、加料仓，隔离阀、加料和称重装置、连续熔化管，隔热体、加热器、熔体温度稳定管等构成熔体连续加注部分，实现多晶硅的连续熔化和硅单晶的连续生长。本发明能将相邻两次打开单晶炉的间隔时间延长到30天以上，能有效降低坩埚的尺寸、降低直拉硅单晶生长方法的能耗，提高了生产效率，也能有效降低直拉硅单晶生长方法的氧含量。
硅熔体连续加注直拉硅单晶生长及其方法

[实用新型]一种夹持装置和单晶炉-CN202221917088.X有效
发明人：朱永刚;董升;白锋;曹杰;张伟建;李侨 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种夹持装置和单晶炉，涉及直拉单晶生长技术领域，以解决现有技术中在取晶时晶棒易与副室相撞，致使晶棒掉落进而导致晶棒和单晶炉损坏的问题。所述夹持装置应用于单晶炉，该夹持装置包括：基架、支架、驱动件和夹持组件。两个支架设置于基架，至少一个支架与基架移动连接。驱动件与至少一个支架驱动连接，用于使两个支架沿相互靠近和远离的方向移动。本实用新型还提供了一种单晶炉。该单晶炉包括副室和如上述技术方案所述的夹持装置。夹持装置设置于副室的侧壁，夹持组件沿副室的径向伸入副室内，用于夹持固定晶棒。
一种夹持装置单晶炉

[实用新型]一种外部装料结构-CN201420520573.2有效
发明人：朱亮;王巍;倪军夫;孙明;沈兴潮 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉硅单晶生长设备的辅助设备，旨在提供一种外部装料结构。该种外部装料结构用于将石英坩埚和真空罩连接密封后，整体吊装放入或取出单晶炉热场；外部装料结构的主体包括单晶炉中的籽晶系统和旋转机构，籽晶系统安装在副炉室上，籽晶系统利用钢丝绳与真空罩上的吊环连接，实现对连接密封后的石英坩埚和真空罩整体进行升降运动；旋转机构用于带动副炉室进行旋转运动，进而带动安装在副炉室上的籽晶系统进行旋转运动，实现吊装在籽晶系统上的连接密封后的石英坩埚和真空罩整体完成旋转运动和升降运动。本实用新型不需增加额外吊装辅助设备，利用了单晶炉固有的籽晶系统和副炉室旋转机构，能有效的实现坩埚炉外装料。
一种外部装料结构

[实用新型]一种直拉法硅单晶生产炉台副室自动定位机构-CN202122383480.2有效
发明人：景吉祥;郭谦;张文霞;王林;高润飞 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉法硅单晶生产炉台副室自动定位机构，包括：用于限位直拉法硅单晶生产炉台副室与副室隔离仓的自动定位装置。本实用新型的有益效果是减小了定位误差，实现副室自动定位功能，减少人员劳动操作，同时实现了副室自动下降，避免定位磨损产生的金属碎屑，影响单晶品质。
一种直拉法硅单晶生产炉台自动定位机构

[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂-CN201010292543.7有效
发明人：江国庆 -专利权人：江国庆
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。
直拉法生长单晶硅利用混合气体

[发明专利]一种直拉单晶炉在线式热场再生方法-CN202211016232.7在审
发明人：张军彦;冯文彪;王晓峰;白枭;李媛 -专利权人：山西中电科新能源技术有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶炉在线式热场再生方法，属于半导体技术领域；所述直拉单晶炉包括主炉壳；主炉壳顶部连接有副室，所述主炉壳内设置有保温筒，保温筒内设置有坩埚，坩埚的顶部设置有导流筒；载气和工艺气体通过进气管路沿导流筒进入坩埚，再沿坩埚与保温筒之间流入保温筒下部并沿抽气管路排出主炉壳；载气与工艺气体的体积比20‑50:1；载气为惰性气体，工艺气体为卤素气体；本发明通过载气和工艺气体的有序流动，在高温状态下与炉内杂质反应将其有效去除，延长了单晶炉内部炭素材料的寿命；提升了单晶棒的寿命。
一种直拉单晶炉在线式热场再生方法

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