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[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN202211049834.2有效
发明人：杨国文;唐松 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：半导体激光器包括：外延结构、电流注入区和非电流注入区。在外延结构的部分区域沿第一方向依次设置第一非电流注入区、第一电流注入区、第二电流注入区、第二非电流注入区。第一电流注入区和第二电流注入区的电流注入大小不同。上述结构设计，可降低半导体激光器腔面区域的载流子密度，从而降低腔面温度，提高光学灾变损伤阈值。进一步在第二非电流注入区设置第二限制凹槽，一方面进一步降低了前腔面区域的载流子密度，另一方面有效控制第二非电流注入区面积过大带来的损耗增加。本方案可以保持相同注入电流下光功率输出基本相同，同时降低了腔面温度，提高了半导体激光器的最高输出功率和可靠性。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]发光元件-CN201680042134.7有效
发明人：滨口达史;泉将一郎;滝口由朗;风田川统之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：通过将由GaN基化合物半导体制成的第一化合物半导体层(21)、活性层(23)和第二化合物半导体层(22)分层来形成该层状结构；模式损耗有效点(54)，其设置在第二化合物半导体层(22)上并且形成模式损耗有效区域(55)，该模式损耗有效区域对振荡模式损耗的增加/减少具有作用；第二电极(32)；第二光反射层(42)；第一光反射层(41)；以及第一电极(31)。在层状结构(20)中，形成有电流注入区域(51)、围绕电流注入区域(51)的非电流注入内部区域(52)以及围绕非电流注入内部区域(52)的非电流注入外部区域(53)。所述模式损耗有效区域(55)的投影图像覆盖非电流注入外部区域(53)的投影图像。
发光元件

[发明专利]一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法-CN201811205139.4在审
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法，其中，该垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；所述电流限制层包括形成于所述发光层上的第一电流限制层和形成于所述第一电流限制层上第二电流限制层；所述第一电流限制层包括第一电流注入区域；所述第二电流限制层包括与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；所述P型电极层包括与所述第二电流注入区域对应的出光孔。
电流限制层电流注入区域垂直腔面发射激光器芯片发光层衬底多层限流制备垂直腔面发射激光器衬底背面出光孔单模申请

[实用新型]一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器-CN201821678467.1有效
发明人：彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；所述电流限制层包括形成于所述发光层上的第一电流限制层和形成于所述第一电流限制层上第二电流限制层；所述第一电流限制层包括第一电流注入区域；所述第二电流限制层包括与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；所述P型电极层包括与所述第二电流注入区域对应的出光孔。
电流限制层电流注入区域垂直腔面发射激光器芯片激光器发光层衬底多层限流垂直腔面发射激光器衬底背面出光孔单模申请

[发明专利]表面发射激光器及其制造方法-CN200810131769.1有效
发明人：关口芳信 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：该表面发射激光器包括：孔口部分，其是用于将电流注入活性层的路径；电流限制区域，其被提供在孔口部分的周边；以及电流注入区域，其被提供在光输出侧的相对于活性层的相对侧上，该活性层在该光输出侧和该相对侧之间，其中，在电流注入区域中的电流注入路径的直径小于孔口部分的直径。
表面发射激光器及其制造方法

[发明专利]汇流条及其制备方法-CN201710198349.4有效
发明人：徐在水;张利波 -专利权人：新华三技术有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01R25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种汇流条及其制备方法，该汇流条包括：汇流条本体，以及设于所述汇流条本体的多个电流注入部和多个电流负载部；所述汇流条本体包括第一区域和第二区域，多个所述电流注入部位于所述第一区域，多个所述电流负载部位于所述第二区域；其中，在所述第一区域朝向所述第二区域的方向，各个所述电流注入部对应位置的截面积增大；和/或各个所述电流负载部对应位置的截面积减小。本发明的汇流条将电流注入部和电流负载部从上到下依次排布，并使载流量较大的电流注入部及电流负载部于汇流条的中间位置分别向两端排布，该汇流条根据实际载流量需求来设计汇流条的尺寸，以在满足最大载流量的基础上，
汇流及其制备方法

[发明专利]半导体激光器元件和半导体激光器器件-CN201010100012.3无效
发明人：今西大介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器元件和半导体激光器器件，该半导体激光器元件包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极。在该半导体激光器元件中，第一半导体层、有源层、第二半导体层以及第三半导体层被依次层叠在衬底上，第一半导体层具有约束有源层的电流注入区域的电流约束层，第三半导体层形成在第二半导体层的上表面上对应于有源层的电流注入区域的区域中，电极形成在第二半导体层的上表面上除第三半导体层的区域以外的区域中。
半导体激光器元件器件

[发明专利]自调整电流注入技术-CN201980099311.9在审
发明人： I·吉塔鲁 -专利权人：罗姆电力技术控股有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G05F1/70 文献下载
摘要：一种方法包含提供初级、次级及电流注入绕组(102、112、120)。存在受控电压源(134)、输入电压源(104)、连接到所述初级绕组的初级开关(106)、跨越所述初级开关反射的寄生电容(110)、次级整流器构件(114)，及电流注入电路(13)，所述电流注入电路包含连接到所述电流注入绕组(120)的电流注入开关(140)，及连接到所述电流注入绕组的单向电流注入开关(132)。所述方法包含接通所述电流注入开关，以开始从所述受控电压源流动穿过所述单向电流注入开关及所述电流注入绕组的电流注入。所述电流注入反射到所述初级绕组中，从而使跨越所述初级开关反射的所述寄生电容放电，在所述电流注入开关接通之后以延迟时间(δ)接通所述初级开关，且在所述电流注入达到零幅值之后关断所述电流注入开关。
调整电流注入技术

[发明专利]一种飞机表面电流注入试验中的回流通道设置方法-CN201310628758.5有效
发明人：方愔 -专利权人：中国航空无线电电子研究所
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种飞机表面电流注入试验中的回流通道设置方法，包括以下步骤：在飞机表面选择电流注入点和流出点；在飞机内关注区域对应飞机蒙皮外部附近构造附加注入电流的回流通道，其中该回流通道由金属板和/或栅格组成；电流源输出电流至选择的飞机电流注入点，电流按电流环绕的面积最小和环路阻抗最低的原则自动调整其走向流过飞机蒙皮，经飞机电流流出点进入回流通道，最后返回电流源，本发明通过在飞机内关注区域对应飞机蒙皮外部附近构造附加注入电流的回流通道，以较小的注入电流在飞机内关注部位产生较强的电磁环境
一种飞机表面电流注入试验中的回流通道设置方法

[发明专利]发光二极管与其制作方法-CN201610867377.6有效
发明人：陈立宜;张珮瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管与其制作方法，该发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层、电流控制结构、第一电极及第二电极。第二型半导体层连接于第一型半导体层。电流控制结构连接于第一型半导体层，且在其内具有至少一个电流注入区域。第一电极通过电流控制结构的电流注入区域而电性连接至第一型半导体层。第二电极电性连接至第二型半导体层。通过电流注入区域限制第一型半导体层与第一电极之间的接触区域，使流入发光二极管的电流密度可获得提升。
发光二极管与其制作方法

[发明专利]基于斯格明子的模拟神经元装置和模拟神经网络-CN202211166045.7在审
发明人：许洪基;刘博;于昊;王禹禾;王翔;蒋韫希 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：基于斯格明子的模拟神经元装置包括：磁斯格明子赛道，磁斯格明子赛道上靠近第一电流注入端口的一端设置有电压控制区域，电压控制区域通过电压控制所在区域的磁各向异性常数，第一电流注入端口产生的斯格明子移动至电压控制区域后停止移动，直至电压控制区域累积的斯格明子超过预设阈值后再向第二电流注入端口移动；铁磁层上靠近第二电流注入端口的一端设置有斯格明子检测装置，斯格明子检测装置用于检测斯格明子的状态，当将检测到斯格明子状态变化时输出触发信号
基于明子模拟神经元装置神经网络

[发明专利]一种快速恢复电路及连接于该快速恢复电路的误差放大器和比较器-CN201210407747.X有效
发明人：刘天罡;樊茂 -专利权人：华润矽威科技(上海)有限公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速恢复电路，适用于连接到受控电路的一个端口以使该端口的电压快速脱离无效区域，所述快速恢复电路包括第一MOS管、第二MOS管、输入端、电流注入节点、第一电源端、第二电源端以及电流源，所述输入端连接所述受控电路的端口，所述第一MOS管的栅极与所述输入端相连接，所述第一MOS管的源极和漏极其中一个与所述电流注入节点连接，另一个与所述第一电源端或第二电源端相连接，所述第二MOS管的栅极连接所述电流注入节点，所述第二MOS管的源极和漏极分别与所述输入端和所述电流注入节点相连接，所述电流源与所述电流注入节点相连接。
一种快速恢复电路

[发明专利]垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器-CN202211690864.1在审
发明人：李峰柱;王冲 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：所述方法包括：提供依次层叠的第一导电半导体层和有源层；在有源层上外延生长第一半导体材料，并降低第一半导体材料的电导率以形成电流注入阻隔层；在电流注入阻隔层上刻蚀出具有预设尺寸的电流注入孔，电流注入孔贯穿电流注入阻隔层以暴露出有源层的上表面；在所述电流注入阻隔层上形成电流注入层，所述电流注入层填满电流注入阻隔层的所述电流注入孔；在所述电流注入层上形成第二导电半导体层。
垂直发射激光器制备方法

[发明专利]一种大电流注入探头及电磁兼容测试装置-CN201811112447.2在审
发明人：李楠;李军 -专利权人：广州市诚臻电子科技有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大电流注入探头，包括本体，所述本体包括第一电流注入钳和第二电流注入钳，所述第一电流注入钳的一端与所述第二电流注入钳的一端通过铰链连接，所述第一电流注入钳的另一端上设有磁性连接件，所述第一电流注入钳的另一端通过所述磁性连接件磁性吸附在所述第二电流注入钳的另一端上本发明能够有效地提高大电流注入探头合拢时的严密度，从而提高了电磁兼容试验的准确性。本发明还提供了一种电磁兼容测试装置。
大电流探头电磁兼容测试磁性连接件电磁兼容试验合拢磁性吸附铰链连接有效地

[实用新型]一种大电流注入探头及电磁兼容测试装置-CN201821563510.X有效
发明人：李楠;李军 -专利权人：广州市诚臻电子科技有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大电流注入探头，包括本体，所述本体包括第一电流注入钳和第二电流注入钳，所述第一电流注入钳的一端与所述第二电流注入钳的一端通过铰链连接，所述第一电流注入钳的另一端上设有磁性连接件，所述第一电流注入钳的另一端通过所述磁性连接件磁性吸附在所述第二电流注入钳的另一端上本实用新型能够有效地提高大电流注入探头合拢时的严密度，从而提高了电磁兼容试验的准确性。本实用新型还提供了一种电磁兼容测试装置。
本实用新型大电流探头电磁兼容测试磁性连接件电磁兼容试验合拢磁性吸附铰链连接有效地

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