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[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路-CN201410363381.X在审
发明人：竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 -专利权人：创世舫电子日本株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
半导体器件制造方法以及晶体管电路

[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路-CN201210031265.9有效
发明人：竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
半导体器件制造方法以及晶体管电路

[发明专利]有机电致发光元件-CN200780028996.5无效
发明人：岩隈俊裕;荒金崇士;新井宏昌;长岛英明 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光元件(1)，其中，具有：阴极(10)和阳极(20)、以及设在所述阴极(10)和阳极(20)之间的至少含有发光层(32)和电子传输层(34)的有机层(30)，构成所述电子传输层(34)的电子迁移率最慢的电子传输材料的电子迁移率在0.4～0.5MV/cm的电场强度下为2.0×10^-5cm²/Vs以上，构成所述发光层(32)的主体材料的电子迁移率/空穴迁移率(ΔEM)、与构成所述电子传输层(34)的电子迁移率最慢的电子传输材料的电子迁移率/空穴迁移率(ΔET)满足以下关系，ΔET＞1；0.3≤ΔEM≤10；ΔET＞ΔEM。
有机电致发光元件

[发明专利]一种基于超高迁移率场效应晶体管的低功耗CMOS电路-CN202211294670.X在审
发明人：刘欢;玉虓;丑录录;于飞;韩根全;刘艳 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超高迁移率场效应晶体管的低功耗CMOS电路，所述低功耗CMOS电路由超高空穴迁移率场效应晶体管和超高电子迁移率场效应晶体管串联组成；所述超高空穴迁移率场效应晶体管的衬底采用n型高迁移率沟道材料；所述超高电子迁移率场效应晶体管的衬底采用p型高迁移率沟道材料。超高迁移率场效应晶体管由其迁移率调制实现，所述迁移率调制是基于可移动带正电氧空位受电场调控形成的偶极子作用，本发明基于超高电子和空位迁移率的场效应晶体管，极大提升器件性能，减小操作电压，实现低功耗的CMOS
一种基于超高迁移率场效应晶体管功耗 cmos 电路

[发明专利]开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器-CN201710725884.0在审
发明人：李媛媛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器，开关器件封装结构包括基板，基板上设置有第一金属布线框；高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管采用倒装的方式设置在第一金属布线框上；设置于基板之上的MOSFET，MOSFET与高电子迁移率晶体管串联，其中，高电子迁移率晶体管的栅极与MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极，高电子迁移率晶体管的源极与MOSFET的漏极相连，MOSFET的栅极作为开关器件的栅极，高电子迁移率晶体管的漏极作为开关器件的漏极，MOSFET的Vds电压值的绝对值与高电子迁移率晶体管的Vgs电压值的绝对值相等，从而能承受高电压且更节能、更适用于高频使用，而且可降低驱动设计要求，还可增加高电子迁移率晶体管部分的散热性能
开关器件封装结构空调器电控板以及

[发明专利]一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法-CN202011204720.1在审
发明人：张世勇;徐建星;王蓉;郑鹏辉;童小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管的钝化方法，通过施加较大能量可以将高电子迁移率晶体管表面晶格的原子激发为自由原子，该自由原子会在自由迁移下优先占据形成能较低的漏电通道。在自由原子占据漏电通道之后会改变漏电通道的能带结构，从而使得部分漏电通道中电子跃迁需要能量增加，最终达到漏电流减小，漏电通道得到钝化的效果。上述自由原子会填充并消除高电子迁移率晶体管内部的缺陷，从而将高电子迁移率晶体管中多种漏电通道钝化为同一种漏电通道，提升对高电子迁移率晶体管的钝化效果，提升高电子迁移率晶体管的响应度。
一种基于电子迁移率晶体管钝化方法

[发明专利]半导体器件-CN202211022269.0在审
发明人：杜卫星;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底、第一氮化镓型高电子迁移率晶体管、第二氮化镓型高电子迁移率晶体管、第一内连接器、第二内连接器。第一氮化镓型高电子迁移率晶体管及第二氮化镓型高电子迁移率晶体管配置在衬底的上方。第一内连接器配置在衬底上方，与第一氮化镓型高电子迁移率晶体管相邻，且第一内连接器的长度大于第一氮化镓型高电子迁移率晶体管。第二内连接器配置在衬底上方，与第二氮化镓型高电子迁移率晶体管相邻，且第二内连接器的长度大于第二氮化镓型高电子迁移率晶体管。
半导体器件

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管的栅结构及其制备方法-CN202110888711.7在审
发明人：张昇;魏珂;王鑫华;刘新宇;王万礼;张新玲;张俊芳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管的栅结构，包括：栅极，设于高电子迁移率晶体管的源极和漏极之间，两个栅下凹槽，刻蚀形成于高电子迁移率晶体管的势垒层，栅极的栅脚设于两个栅下凹槽之间，其中，部分栅脚至少设于两个栅下凹槽其中一个中本公开提供的一种高电子迁移率晶体管的栅结构，可以有效调节高电子迁移率晶体管内部的电场分布，以提高其工作电压，增大其输出功率，还可以通过调节栅极的位置，提高高电子迁移率晶体的栅控能力。
一种电子迁移率晶体管结构及其制备方法

[发明专利]砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法-CN201110204341.7有效
发明人：杨瑞霞;王伟;武一宾;牛晨亮 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G01R19/08 文献下载
摘要：本发明砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法，涉及半导体材料电参数的测量方法，是通过一种非接触霍尔测量方法来测量砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料中的载流子浓度与迁移率，步骤是：采用微波霍尔测量装置测量被测量的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的入射功率、反射功率和霍尔效应微波功率；计算被测样品在不同磁场下的电导张量；砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的载流子浓度与迁移率的计算。本发明方法是一种非破坏性、便捷高效和准确测量砷化镓基双平面掺杂赝配高电子迁移率晶体管材料中载流子浓度与迁移率的方法，克服了现有测量方法中操作繁琐，效率低下，存在一定误差，以及不能真实完全地反应材料的电学性能的缺点
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料参数测量方法

[发明专利]一种电子收集器实现方法-CN201410817594.5有效
发明人：周济;兰楚文;李勃 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子收集器实现方法，其特征在于包括以下内容：1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，确定电子收集区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定环形电子收集区域的三个电子迁移率值；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率u_r和环向电子迁移率u_θ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的迁移率分布；4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，并依据电子迁移率与半导体掺杂杂质的关系，得到相应区域掺杂杂质的剂量分布；5)根据环形电子收集区域周围的电子迁移率μ₀，计算得到C区域的掺杂杂质的剂量分布；6)根据环形电子收集区域的尺寸和A扇形区域、B扇形区域以及C区域的掺杂杂质的剂量分布，制作掩模板；7)利用离子注入方式在制作的掩模板上注入相应剂量的掺杂杂质，即制作得到一电子收集器。
一种电子收集实现方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN201811571363.5在审
发明人：黄敬源;邱汉钦;张铭宏;周春华;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括硅衬底、沟道层、势垒层、和栅极，所述硅衬底、所述沟道层、所述势垒层和所述栅极沿所述高电子迁移率晶体管的厚度方向依次层叠设置，其中，所述高电子迁移率晶体管还包括由绝缘材料制成的应变层，所述势垒层背离所述沟道层的表面包括栅极区和增强区，所述栅极设置在所述栅极区，所述应变层包括层叠地设置在所述增强区的增强部，所述应变层的晶格常数与所述势垒层的晶格常数的失配率不低于0.5％。本发明还提供一种高电子迁移率晶体管的制造方法。所述高电子迁移率晶体管性能良好、且成本低。
高电子迁移率晶体管势垒层沟道层应变层晶格常数硅衬底增强区栅极区绝缘材料依次层叠失配制造背离

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911380209.4在审
发明人：黄敬源;郝荣晖;章晋汉 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包含：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，所述衬底、所述缓冲层、所述沟道层、所述势垒层和所述源极、漏极和栅极沿所述高电子迁移率晶体管的厚度方向依次层叠设置本发明还提供一种高电子迁移率晶体管的制造方法。所述高电子迁移率晶体管性能良好，具有低的漏极电场强度，高的击穿电压，高的稳定性，低成本等特征。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法-CN202111558290.8在审
发明人：崔鹏;陈思衡;林兆军;韩吉胜;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法，该方法在不改变器件结构和材料组分的情况下，通过使用双(三氟甲烷)磺酰亚胺对已经制备完成的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管进行表面处理，即在空气环境下将InAlN/GaN高电子迁移率晶体管置于特定浓度的TFSI溶液中浸泡一定的时间，溶液中的氢离子会中和InAlN势垒层中的部分极化电荷，降低极化库仑场散射，从而提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率及器件性能
提高 inaln gan 电子迁移率晶体管电学性能方法

[发明专利]开关器件、空调器的电控板以及空调器-CN201710726238.6在审
发明人：李媛媛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关器件、空调器的电控板以及空调器，开关器件包括基板；设置于基板之上的高电子迁移率晶体管；设置于基板之上的MOSFET，MOSFET与高电子迁移率晶体管串联，其中，高电子迁移率晶体管的栅极与MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极，高电子迁移率晶体管的源极与MOSFET的漏极相连，MOSFET的栅极作为开关器件的栅极，高电子迁移率晶体管的漏极作为开关器件的漏极，MOSFET的Vds电压值的绝对值与高电子迁移率晶体管的由此，本发明实施例的开关器件，通过将MOSFET与高电子迁移率晶体管串联，能承受高电压且更节能、更适用于高频使用，而且可降低驱动设计要求，有效降低成本，还可防止短路直通的危险发生。
开关器件空调器电控板以及

[发明专利]高速电调控太赫兹调制器-CN201110198257.9有效
发明人：张晓渝;秦华;吴东岷;李欣幸;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速电调控太赫兹调制器，包括介质基板(4)，所述介质基板(4)是对太赫兹波透明的材料，且所述介质基板表面分布高电子迁移率晶体管(3)形成的阵列，该介质基板表面以及高电子迁移率晶体管阵列表面还附着有频率选择表面结构(2)，所述频率选择表面结构是具有带通滤波结构的图形化导电薄膜，所述导电薄膜对应于每一高电子迁移率晶体管局部分别构成该高电子迁移率晶体管的源极(b)、漏极(c)和栅极(a)；所述高电子迁移率晶体管的电子迁移率在
高速调控赫兹调制器

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