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[发明专利]微电子工艺和结构-CN03154813.X有效
发明人： R·塞齐 -专利权人：印芬龙科技股份有限公司
申请日： 2003-08-19 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及将空气作为电介质集成到半导体器件中的方法和用该方法生产的以空气层作为电介质的半导体器件，该方法包括下述步骤：a、在衬底(1)上涂布将要形成图案的电介质层(2)；b、在已经涂布的电介质层(2)上形成图案；c、在形成图案的电介质层(2)上涂布导电金属(3)，由导电金属(3)和电介质层(2)形成共用表面；d、在步骤c产生的层上涂布有机电介质层(4)；和e、为了形成用空气作为导体结构之间的电解质且在顶面上有连续电介质层
微电子工艺结构

[发明专利]天线一体型通信模块以及其制造方法-CN201680053959.9有效
发明人：水沼隆贤;番场真一郎;横山通春;上田英树;山田秀章;森冈登 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-09-01 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：多层基板包括第一电介质层以及被配置在第一电介质层的至少内部的导体图案。在多层基板上配置有由与第一电介质层不同的材料构成的第二电介质层。在第二电介质层形成有至少一个辐射元件。供电线将辐射元件和导体图案连接。供电线包括沿第二电介质层的厚度方向延伸的导电性的销。销将辐射元件和被配置在第一电介质层的上表面的导体图案电连接。提供一种容易提高电路模拟的精度且具有电介质材料的选择的自由度高的结构的天线一体型通信模块。
天线体型通信模块及其制造方法

[发明专利]制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理-CN202010472363.0有效
发明人： R·C·德夫林;M·科拉沙尼内加德;F·卡帕索;H·帕克;A·A·海伊 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理。制造可见光谱光学部件的方法包括：提供基板；在基板的表面上形成抗蚀剂层；对抗蚀剂层形成图案以形成限定暴露基板表面的若干部分的开口的带有图案的抗蚀剂层；执行沉积以在带有图案的抗蚀剂层上和在基板表面的暴露部分上形成电介质膜，其中电介质膜的顶表面高于带有图案的抗蚀剂层的顶表面；去除电介质膜的顶部部分以暴露带有图案的抗蚀剂层的顶表面和带有图案的抗蚀剂层的开口内的电介质单元的顶表面；以及去除带有图案的抗蚀剂层以保留电介质单元在基板上
制造针对可见光谱波长电介质表面原子沉积处理

[发明专利]透明导电性薄膜及触摸面板-CN201110332529.X有效
发明人：中岛一裕;梨木智刚;菅原英男 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供透明导电性薄膜及触摸面板，所述透明导电性薄膜在将透明导电层图案化了的情况下也可以将图案部P和图案开口部O的可视性差异抑制在较小的程度。所述透明导电性薄膜在透明薄膜基材1上依次具备第1电介质层21、第2电介质层22、及透明导电层3，第1电介质层的厚度d21比第2电介质层的厚度d22大，第1电介质层的厚度d21为8～40nm，第2电介质层的厚度d22为3～25nm，第1电介质层的厚度d21与第2电介质层的厚度d22之差d21-d22为3～30nm。
透明导电性薄膜触摸面板

[实用新型]透明导电性薄膜及触摸面板-CN201120411581.X有效
发明人：中岛一裕;梨木智刚;菅原英男 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供透明导电性薄膜及触摸面板，所述透明导电性薄膜在将透明导电层图案化了的情况下也可以将图案部P和图案开口部O的可视性差异抑制在较小的程度。所述透明导电性薄膜在透明薄膜基材1上依次具备第1电介质层21、第2电介质层22、及透明导电层3，第1电介质层的厚度d21比第2电介质层的厚度d22大，第1电介质层的厚度d21为8～40nm，第2电介质层的厚度d22为3～25nm，第1电介质层的厚度d21与第2电介质层的厚度d22之差d21-d22为3～30nm。
透明导电性薄膜触摸面板

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201710325964.7有效
发明人：陈春晖;熊涛;罗啸;刘钊;许毅胜;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上制备多条栅极线和多个选择管；在栅极线和选择管上远离衬底的一侧制备夹层电介质层，在单元阵列区域，夹层电介质层远离衬底的一侧形成多个第一类夹层电介质层图形，在周边逻辑区域，夹层电介质层远离衬底的一侧形成多个第二类夹层电介质层图形，对多个第一类夹层电介质层图形进行图案化制程，形成多个第三类夹层电介质层图形，对多个第二类夹层电介质层图形进行图案化制程，形成多个第四类夹层电介质层图形，对夹层电介质层进行平坦化制程。综上，位于栅极线上的夹层电介质层的高度与位于选择管上的夹层电介质层的高度相同或者相近，夹层电介质层较平坦。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法-CN201810762765.7在审
发明人：黄京旭;申东明 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：所述发光器件包括：衬底；形成在衬底上的发光结构；在发光结构上的第一透射导电层；形成在所述第一透射导电层上的第一电介质图案层，所述第一电介质图案层包括多个开口；第二透射导电层，其共形地形成在通过所述多个开口暴露的第一透射导电层上和所述第一电介质图案层上；填充所述多个开口的第二电介质图案层；以及形成在所述第二透射导电层和所述第二电介质图案层上的反射电极层。
电介质图案透射导电层发光器件开口发光结构衬底发光器件封装反射电极层封装件共形填充暴露制造

[发明专利]介电常数恢复-CN201610213407.1在审
发明人： P·达什;D·帕迪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了一种在经图案化的基板上的低k电介质层中形成特征的方法。可在低k电介质层中形成通孔、沟槽或双镶嵌结构。对低k电介质层的图案化也会增加介电常数。通过将UV光照射在低k电介质层上，同时使低k电介质层暴露于含碳和氢的前体来处理经图案化的基板以修复或降低介电常数。随后，在所述低k电介质层上形成共形的气密层。所述共形的气密层配置成在稍后的处理期间以及在所完成的器件的使用寿命期间将水和污染物保持在低k电介质层外部。
介电常数恢复

[发明专利]高频电路-CN202180007262.9在审
发明人：新田耕司;上宫崇文;山岸杰;岛田茂树;上田宏;木谷聪志 -专利权人：住友电工印刷电路株式会社;住友电气工业株式会社
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高频电路，具备：第一电介质层；电路层，设置在所述第一电介质层上，具备高频信号的传输路径和配置在所述传输路径的周围的接地图案；第二电介质层，设置为使所述电路层位于所述第二电介质层与所述第一电介质层之间；以及电磁波屏蔽件，在所述传输路径的周围，设置于所述第一电介质层及所述第二电介质层，所述电磁波屏蔽件具备：第一接地导电体，形成在形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第一电介质层的一个以上的第一孔的内表面；以及第二接地导电体，形成在形成为不贯通所述接地图案而贯通所述第二电介质层的一个以上的第二孔的内表面，所述第一接地导电体及所述第二接地导电体分别与所述接地图案电连接。
高频电路

[发明专利]三维NAND存储器及其制造方法-CN202180003256.6在审
发明人：张坤;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该方法包括在衬底上形成交替电介质堆叠体，其中，交替电介质堆叠体包括多个电介质层对，每个电介质层对包括第一电介质层和与第一电介质层不同的第二电介质层。该方法还包括在交替电介质堆叠体中形成阶梯结构，以及在阶梯结构和交替电介质堆叠体上设置绝缘层。该方法还包括在绝缘层上形成嵌入式硬掩模，其中，嵌入式硬掩模包括两组或更多组图案，该两组或更多组图案被配置为形成依次制造的两组或更多组垂直结构。两组或更多组图案嵌入在3D存储器器件中。
三维 nand 存储器及其制造方法

[发明专利]封装基板以及包括该封装基板的半导体封装-CN202211209069.6在审
发明人：金承玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：该封装基板包括：电介质层；在电介质层上的导电焊盘和布线图案；在电介质层上的保护层，该保护层覆盖布线图案；以及在电介质层和保护层的相对表面之间的底切区域，该底切区域暴露布线图案的侧壁，并且底切区域的宽度小于布线图案的宽度
封装以及包括半导体

[发明专利]制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理-CN201680077924.9有效
发明人： R·C·德夫林;M·科拉沙尼内加德;F·卡帕索;H·帕克;A·A·海伊 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：一种制造可见光谱光学部件的方法，包括：提供基板；在基板的表面上形成抗蚀剂层；对抗蚀剂层形成图案以形成限定暴露基板表面的若干部分的开口的带有图案的抗蚀剂层；执行沉积以在带有图案的抗蚀剂层上和在基板表面的暴露部分上形成电介质膜，其中电介质膜的顶表面高于带有图案的抗蚀剂层的顶表面；去除电介质膜的顶部部分以暴露带有图案的抗蚀剂层的顶表面和带有图案的抗蚀剂层的开口内的电介质单元的顶表面；以及去除带有图案的抗蚀剂层以保留电介质单元在基板上
制造针对可见光谱波长电介质表面原子沉积处理

[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法以及触摸面板-CN201380025510.8有效
发明人：上田拓明;近藤晃三;檀野和久 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种透明电极层被图案化时，图案也不易被视觉辨识的带有透明电极的基板及其制造方法。本发明的带有透明电极的基板在透明膜的至少一面依次具有第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层以及被图案化的透明电极层。第一电介质层是以SiOx为主要成分的硅氧化物层，第二电介质层是以金属的氧化物为主要成分的金属氧化物层，第三电介质层是以SiOy为主要成分的硅氧化物层。透明电极层是以铟·锡复合氧化物为主要成分的导电性金属氧化物层。第一电介质层的折射率n1、上述第二电介质层的折射率n2以及上述第三电介质层的折射率n3满足n3＜n1＜n2的关系。各电介质层及透明电极层优选具有规定范围内的膜厚及折射率。
带有透明电极及其制造方法以及触摸面板

[发明专利]包括电容器的半导体器件-CN201810971335.6在审
发明人：姜相列;曹圭镐;林汉镇;黄澈盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。
电介质层半导体器件绝缘图案开关元件隔离层焊盘电容器电容器电介质导电焊盘电极侧表面单晶多晶电连接下电极基板穿过

[发明专利]具有包括掩埋晶粒停止层的顶侧金属化结构的功率半导体装置-CN202080021107.8在审
发明人： S·萨布里;D·J·里施顿瓦尔纳;E·R·范布朗特;S·T·艾伦;B·胡尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：半导体装置包括在宽带隙半导体层结构上延伸的多个栅极指。在栅极指上形成金属间电介质图案，所述金属间电介质图案包括覆盖相应栅极指的多个电介质指。在金属间电介质图案上以及在宽带隙半导体层结构的上表面的暴露部分上设置顶侧金属化。顶侧金属化包括在金属间电介质图案上以及在宽带隙半导体层结构的上表面的暴露部分上的第一导电扩散阻挡层、在第一导电扩散阻挡层的上表面上的导电接触层和掩埋在导电接触层内的晶粒停止层。
具有包括掩埋晶粒停止金属化结构功率半导体装置