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[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法-CN96123443.1无效
发明人：轰原广见;三浦英生;铃树正恭;西原晋治;池田修二;佐原政司;石田进一;阿部宏美;荻岛淳史;内山博之;阿部园子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1996-11-14 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有硅基片、电布线用金属、开在形成于硅基片上的绝缘膜上并用于硅基片和电布线用金属连接的多个接触孔、形成于该接触孔内部的硅化钛膜，其特征是，硅化钛膜的膜厚为10nm-120nm，最好是20nm-84nm，通过该硅化钛膜连接半导体区域和电布线用金属。
半导体集成电路器件及其制造方法

[发明专利]一种基于铝盐回用的电絮凝除硅系统和方法-CN202210749265.6在审
发明人：朱田震;张迪彦;王萌;纪巍;姚光源;于德泽;何爱珍;陶蕾;滕厚开;秦立娟;衣龙欣;赵新星;王宁 -专利权人：天津正达科技有限责任公司;中海油天津化工研究设计院有限公司;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铝盐回用的电絮凝除硅系统和方法。所述系统包括依次连接的电絮凝除硅处理单元、电絮凝絮体浓缩回收单元、浓碱溶液处理单元和上清液回用除硅单元。所述电絮凝除硅处理单元包括阳极和阴极；所述电絮凝絮体浓缩回收单元选用自然沉降、过滤、离心、蒸发、干燥中的一种或几种组合；所述浓碱溶液处理单元包括含有pH≥12浓碱水的反应槽以及与其连接的分离装置，分离装置选用沉淀、离心、过滤中的一种或几种组合；上清液回用除硅单元包括将浓碱溶液处理单元与电絮凝除硅处理单元连接的回流管。本发明不仅能有效降低铝阳极材料的消耗量，降低材料成本，还能降低电絮凝处理产生的污泥量，减轻处理负担。
一种基于铝盐回用絮凝系统方法

[发明专利]具有共通源极导线的半导体结构-CN03120284.5无效
发明人：陈柏安;徐隽 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2003-03-10 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：具有共通源极导线的半导体结构，至少包含二条字元线、多条位元线、硅层与金属硅化物层。在此硅层位于二条字元线间并与其电性隔离，但与这些位元线电性耦接，而金属硅化物层位于硅层上并与硅层电性耦接。此外，硅层与金属硅化物层二者可以用含硅传导层所取代，并且硅层与金属硅化物层二者可以用来直接电性耦接位于底材中且相互电性隔离的多个掺杂区域。
具有共通导线半导体结构

[实用新型]一种硅光芯片光电共封装用的封装结构-CN202320476433.9有效
发明人：彭德军;代等;陈享郭;许广俊;王峻岭;廖斐 -专利权人：深圳市光为光通信科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅光芯片光电共封装用的封装结构，包括：硅光芯片、扇出结构基板、转接电路模块，硅光芯片设置在转接电路模块顶端中间处，扇出结构基板设置在硅光芯片上方，硅光芯片与扇出结构基板电性连接，转接电路模块与扇出结构基板电性连接，转接电路模块顶端可拆卸设置有壳体，硅光芯片与扇出结构基板位于壳体内。本实用新型的目的在于提供一种结构简单、封装方便的硅光芯片光电共封装用的封装结构。
一种芯片光电封装结构

[发明专利]用于动态随机存取存储器的存储单元-CN98119679.9有效
发明人：格尔德·谢勒;马丁·高尔;莱因哈德·J·斯滕格尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-09-22 - 公布日： 1999-04-07 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种形成存储单元的方法包括在硅芯片上形成沟槽;在沟槽壁上形成介电层;用多晶硅填充沟槽;在芯片表面生长外延硅层,以在沟槽顶部形成单晶硅层,用作第一源/漏极;对外延硅层构图形成凸台;形成第一介电层;凸台侧面形成隔离物去除凸台侧面之外的第一介电层;形成第二介电层;去除侧壁隔离物,保留凸台侧面的第一介电层,用作栅极氧化物;在第二介电层表面上形成第一多晶硅层;形成第三介电层;平面化以暴露凸台表面;在凸台上形成第二多晶硅层,以在凸台上形成一个多晶硅凸台
用于动态随机存取存储器存储单元

[发明专利]硅氧烷化合物及其聚合物和用该聚合物制备介电膜的方法-CN200410100231.6无效
发明人：李在俊;宣钟白;郑铉潭;林珍亨;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型多功能线型硅氧烷化合物、用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物，以及用该硅氧烷聚合物制备介电膜的方法。该线型硅氧烷聚合物具有高的机械性能(如模量)、超级热稳定性、低碳含量和低吸湿性；它是线型硅氧烷化合物通过均聚或者该线型硅氧烷化合物与其他单体通过共聚制备的。制备介电膜的方法是将含有高反应性的硅氧烷聚合物的涂布液热固化。用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物不仅具有令人满意的机械性能、热稳定性和抗裂性，而且吸湿性低，与成孔材料有优异的相容性，从而导致低的介电常数。另外，硅氧烷聚合物能够保持较低的碳含量和较高的SiO₂含量，从而能够改善其在半导体器件中的适用性。因此，该硅氧烷聚合物能够有利地用作半导体器件的介电膜的材料。
硅氧烷化合物及其聚合物制备介电膜方法

[发明专利]二次电池用负极、电极用铜箔、二次电池和二次电池用负极的制造方法-CN201080020327.5无效
发明人：谷俊夫;久保田昌明;阿部英俊 -专利权人：古河电气工业株式会社;古河电池株式会社
申请日： 2010-05-10 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种在充放电中能获得高容量、并且即使反复进行循环也能够抑制容量下降的非水溶剂电解液的二次电池用负极等。二次电池用负极是在具有规定表面的集电体基材上，形成了含有规定氢浓度的氢化硅的、且具有规定厚度的硅系负极活性物质被膜。而且，二次电池用负极是在具有规定表面形状的集电体基材上，利用规定方法形成了具有规定表面形状的硅系负极活性物质被膜。并且，二次电池用负极是在集电体基材上，利用规定方法形成了具有规定的双电层容量倒数的硅系负极活性物质被膜。
二次电池负极电极铜箔制造方法

[发明专利]背面穿硅通孔与金属连线制法、和背面用的光掩模制法-CN201210404030.X无效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及背面穿硅通孔与金属连线制法、和背面用的光掩模制法。背面穿硅通孔与金属连线制法包括：将具有穿孔中间制作技术制得的穿硅通孔的半导体基板的正面形成一凸块并与载板结合、将半导体基板的背面薄化以露出穿硅通孔、于半导体基板的背面涂布光敏性介电层、将光敏性介电层图案化而具有开口露出穿硅通孔将光敏性介电层图案化以具有开口露出穿硅通孔的方式，可经由利用背面用的光掩模达成。背面用的光掩模的穿硅通孔位置相关图案可经由利用半导体基板正面图案的镜像来获得。工艺处理温度低，整体工艺便利。
背面穿硅通孔金属连线制法光掩模

[实用新型]一种基于可控硅开关的风力发电机组辅电电路保护装置-CN201720993726.9有效
发明人：朱敏;唐彬伟 -专利权人：明阳智慧能源集团股份公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于可控硅开关的风力发电机组辅电电路保护装置，由作为执行单元的可控硅开关和用于控制该可控硅开关开合的可控硅控制器组成，可控硅开关和可控硅控制器分别安装在风力发电机组的主控配电柜内，且可控硅开关和可控硅控制器并联后一起串联于风力发电机组的辅电干变的400V侧与辅电回路之间，可控硅控制器由风力发电机组的辅电用的UPS进行供电，并检测辅电干变的400V侧的三相电压，同时该可控硅控制器分别与可控硅开关和风力发电机组的主控PLC进行通信，在辅电干变的400V侧出现极端过压或极端谐波超标的情况时，通过控制可控硅开关的开合实现对辅电回路的保护。
一种基于可控硅开关风力发电机组电路保护装置

[发明专利]一种供电供热装置-CN202210837244.X在审
发明人：卢小溪;卢惠民 -专利权人：济南易航新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种供电供热装置，涉及风光发电技术领域，所述装置包括：智能综合电源协调控制系统、风电系统、光伏发电系统、网电系统、铁空气电池储电系统、硅热储热系统、用电负载、热交换器以及用热负载；所述智能综合电源协调控制系统分别与所述风电系统、所述光伏发电系统、所述网电系统、所述铁空气电池储电系统、所述硅热储热系统以及所述用电负载连；所述热交换器分别与所述硅热储热器和所述用热负载连接。
一种供电供热装置

[实用新型]一种供电供热装置-CN202221830619.1有效
发明人：卢小溪;卢惠民 -专利权人：济南易航新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种供电供热装置，涉及风光发电技术领域，所述装置包括：智能综合电源协调控制系统、风电系统、光伏发电系统、网电系统、铁空气电池储电系统、硅热储热系统、用电负载、热交换器以及用热负载；所述智能综合电源协调控制系统分别与所述风电系统、所述光伏发电系统、所述网电系统、所述铁空气电池储电系统、所述硅热储热系统以及所述用电负载连；所述热交换器分别与所述硅热储热器和所述用热负载连接。
一种供电供热装置

[发明专利]低介电常数硅质膜制造用组合物和使用其来制造固化膜和电子器件的方法-CN202080055072.X有效
发明人：会田健介;有马一弥;樱井一成 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：提供一种低介电常数硅质膜制造用组合物，该组合物能够形成具有优异机械性能和稳定电性能并带有分散的孔的低介电常数硅质膜。[解决手段]本发明提供一种低介电常数硅质膜制造用组合物，其包含：聚硅氧烷、造孔材料、缩合催化剂产生剂和溶剂。
介电常数质膜制造组合使用固化电子器件方法

[发明专利]太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法-CN201210327712.5有效
发明人：张群社;祁伟 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池用锗锡共掺单晶硅，在单晶硅中的三种杂质原子体积浓度分别为：电活性杂质为1013～1021atoms/cm3、锗为1016～1019atoms/cm3、锡为1013～1016atoms本发明还公开了上述太阳能电池用锗锡共掺单晶硅的制备方法，在太阳能级多晶硅原料中同时掺入电活性杂质、锗、锡，通过常规CZ法制得单晶硅，单晶硅中的上述三种杂质的最终原子体积浓度分别为上述的数值，即成。本发明方法制备的单晶硅，对日光转换效率更好，光衰更小。
太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法

[发明专利]非水电解质二次电池用负极及具备其的非水电解质二次电池-CN201510507176.0无效
发明人：长田宪和;久保木贵志;松野真辅 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明提供一种非水电解质二次电池用负极及具备其的非水电解质二次电池。实施方式的非水电解质二次电池用负极包含集电体和形成于所述集电体上的含有第一粒子、第二粒子及粘结剂的电极合剂层。所述第一粒子由硅、硅氧化物和碳质物构成。所述第二粒子具有电子传导性，且具有1％以下的氧含量。所述电极合剂层的特征在于，在其厚度方向上，与所述集电体接触的面的附近及与所述集电体接触的面的相反面附近的硅浓度高于中心部的硅浓度。
水电二次电池负极具备

[发明专利]用于具有持续高容量/单位面积的锂离子电池的Si/C复合材料阳极-CN201510105615.5有效
发明人： J-A·冈萨雷斯 -专利权人：巴莱诺斯清洁能源控股公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明涉及制备能够成合金的硅碳复合电活性阳极材料(AM)的方法，该方法包括将微米级硅粉与微米级有机聚合物粉末混合以制得硅‑聚合物‑混合物，将硅‑聚合物混合物在惰性气体中加热至热解温度并将其在该温度保持足够长的以将有机聚合物热解并形成热解聚合物涂覆硅的时间，将所述热解聚合物涂覆硅在惰性气体中研磨以形成硅碳复合电活性阳极材料(AM)。本发明还涉及可通过本发明方法得到的硅碳复合电活性阳极材料(AM)，以及使用该AM生产阳极的方法将其与例如聚合物粘结剂、导电添加剂和溶剂混合，用其涂覆集电体和使涂层干燥。这类阳极尤其适于Li离子电极。
用于具有持续容量单位面积锂离子电池 si 复合材料阳极

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