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- [发明专利]玻璃钝化二极管芯片及其制作方法-CN201410270013.0在审
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李建利;黄亚发
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安徽芯旭半导体有限公司
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2014-06-17
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2014-08-27
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H01L21/329
- 本发明公开了一种玻璃钝化二极管芯片及其制作方法，包括：提供一PN结衬底，PN结衬底包括有第一沟槽，且第一沟槽使PN结衬底形成有至少一个台面；在第一沟槽内形成玻璃钝化层，玻璃钝化层与台面齐平；通过光刻工艺曝光显影，并在玻璃钝化层的中央区域进行刻蚀，以形成贯穿玻璃钝化层的第二沟槽；在PN结衬底上形成电极，沿第二沟槽切割得到至少一个玻璃钝化二级管芯片。通过刻蚀玻璃钝化层而形成第二沟槽，避免了出现第二沟槽的槽底残留玻璃的情况，进而提高了切割效率。本发明提供的玻璃钝化二级管芯片，在台面的边缘区域没有多余的环状玻璃，避免了在封装焊接时，环状玻璃与金属引线接触而产生封装结构应力，进而降低产品可靠性的情况出现。
- 玻璃钝化二极管芯片及其制作方法
- [实用新型]耐高压钝化保护二极管芯片-CN201120386728.4有效
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汪良恩;裘立强;喻慧丹
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扬州杰利半导体有限公司
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2011-10-12
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2012-07-11
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H01L23/00
- 耐高压钝化保护二极管芯片。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片。提供一种在确保封装温度下能可靠地保护芯片，解决封装隐患，且制作工艺更简单的耐高压钝化保护二极管芯片。本实用新型相对于现有工艺在掩膜时，固化沟槽内的所有填充料（现有技术中为防止裂片时钝化保护层碎裂，必须将沟槽中间的玻璃去除）；然后，采用热压模压制、加热固化成型；制得产品能保留底部的玻璃材料，在裂片后，确保整个弧面覆盖有钝化保护层，且与现有技术相比，玻璃层厚度更大，因此钝化保护层的强度相应也更大，从而无需在钝化保护层（玻璃层）外再设置缓冲保护层。由于模压口沟槽最低部的玻璃最薄，在裂片时，能形成理想的断裂面（与芯片的轴线平行）。
- 高压钝化保护二极管芯片
- [实用新型]一种芯片及芯片封装结构-CN201922108901.3有效
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高骏华;裴紫伟;曾剑飞
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力特半导体（无锡）有限公司
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2019-11-29
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2020-06-02
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H01L23/495
- 本实用新型涉及半导体器件技术领域，公开一种芯片及芯片封装结构。芯片包括至少一个PN结，芯片的上表面和/或下表面设有至少三个不沿同一直线排布的玻璃钝化点，且芯片同一表面上的玻璃钝化点的数量不少于PN结的数量，每个PN结的位置与芯片同一表面上的一个玻璃钝化点的位置上下正对芯片封装结构包括芯片、引线框架和盖板，引线框架与芯片的下表面通过焊料粘接固定，盖板与芯片的上表面通过焊料粘接固定；芯片上表面的玻璃钝化点与盖板的下表面相接触，和/或芯片下表面的玻璃钝化点与引线框架的上表面相接触本实用新型能有效防止在芯片装配过程中盖板和引线框架发生倾斜，提高了芯片封装结构的质量，减少了产品的废品率，增加了产量。
- 一种芯片封装结构
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