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[发明专利]一种具有侧边PN结的复合光电探测器及其制作方法-CN201910575712.9有效
发明人：金湘亮;曹胜果 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有侧边PN结的复合光电探测器，包括P型衬底，P型衬底上设有高压深N阱，高压深N阱内设有环形N阱，环形N阱中通过光刻、注入磷离子形成环形的N+阳极；环形N阱内设有中心圆形P阱，环形N阱与中心圆形P阱形成侧边二极管的感光结构，中心圆形P阱中设有N型TFET结构。本发明通过环形N阱与中心圆形P阱形成的侧边二极管结构作为感光区域，同时利用中心圆形P阱内的隧穿场效应晶体管结构，加快了器件的工作频率。本发明还公开了一种具有侧边PN结的复合光电探测器的制作方法。
一种具有侧边 pn 复合光电探测器及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN200510113646.1无效
发明人：益冈完明 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：该半导体器件具有：P型Si衬底(109)；位于P型Si衬底(109)的元件形成表面侧的P型环形阱(181)；和位于P型环形阱(181)之内的N型环形阱(183)。此外，SRAM－P型阱(185)和SRAM－N型阱(189)位于N型环形阱(183)之内。深N型阱(133)比SRAM－P型阱(185)和SRAM－N型阱(189)更靠近P型Si衬底(109)的底侧。多个P型阱(103)位于P型环形阱(181)之外，并且以阱(101)封闭P型阱(103)的外侧面的方式提供N型阱(101)。
半导体器件

[发明专利]环形离子阱阵列-CN200810200697.1无效
发明人：李晓旭;蒋公羽;汪源源;丁传凡;方向 -专利权人：复旦大学
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：本发明涉及环形离子阱阵列，用于超大容量的离子存储以及按离子的质荷比等特性进行分离和探测的多通道质量分析器。所述环形离子阱阵列有离子引入孔和离子引出孔，两块相互平行的电极采用环形电极阵列，每一个电极上被加工成多个具有特定几何形状的较小电极条，每二个较小电极条之间设有绝缘体或被加工成孔隙；两块环形电极被相互平行且呈镜像对称地组装在一起，其上的较小电极条一一对应，且几何形状、尺寸相同；在电极条上施加不同相位的高频电压信号，使得在两块环形电极阵列之间的空间区域里产生高频电场，构成多个离子束缚区域，这些离子束缚区域围成环形，被捕获离子聚集成一系列平行于电极条的条状离子
环形离子阵列

[发明专利]高压肖特基二极管器件-CN201510626613.0有效
发明人：杨新杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压肖特基二极管器件，包含：一N型深阱；在N型深阱的外围，俯视平面上，有一环形的高压P阱环绕包围N型深阱，且与N型深阱不接触；高压P阱中还具有重掺杂P型区；在N型深阱中，具有环形的P阱，以及位于环形P阱外围环形的N阱，P阱与N阱之间以场氧隔离；P阱中具有重掺杂P型区，N阱中具有重掺杂N型区，重掺杂P型区和重掺杂N型区上有接触孔形成引出；所述N型深阱和其外围的高压P阱是位于一P型埋层之上
重掺杂P型区高压P阱肖特基二极管器件外围重掺杂肖特基二极管场氧隔离耐压能力不接触接触孔俯视环绕包围

[发明专利]高压肖特基二极管器件-CN201510626633.8在审
发明人：杨新杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压肖特基二极管器件，包含：一N型埋层；位于N型埋层之上的N型深阱；在N型埋层外围具有P型埋层，在俯视角度上P型埋层是环绕包围N型埋层；P型埋层之上为高压P阱，对应地，高压P阱环绕包围N型深阱；高压P阱中还具有重掺杂P型区；在N型深阱中，具有环形的P阱，以及位于环形P阱外围环形的N阱，P阱与N阱之间以场氧隔离；P阱中具有重掺杂P型区，N阱中具有重掺杂N型区，以形成引出；所述隔离环形的P阱和N阱的场氧之上，具有多晶硅场板；并且多晶硅场板与肖特基二极管的负极通过金属短接。本发明通过增加多晶硅环形成与肖特基二极管的负极相连的多晶硅场板，调节场氧下的电场，提高肖特基二极管的耐压能力。
高压肖特基二极管器件

[实用新型]一种可用于研究非绝热跃迁的静电表面阱-CN202120383919.9有效
发明人：仲秋阳;张楠楠;孔凡晟;李文慧;李胜强 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2021-02-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01N27/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可用于研究非绝热跃迁的静电表面阱，涉及芯片相关领域；该静电表面阱包括电极组件，所述电极组件由外径逐渐增大的一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极组成，所述一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极同圆心且等距间隔设置，所述圆心处为阱中心，所述一号环形电极和三号环形电极的厚度相等且小于二号环形电极厚度，一号环形电极、二号环形电极和三号环形电极上分别开设有一号缝隙、二号缝隙和三号缝隙；通过调节电极电压使该阱的阱中心的场强在零和非零之间灵活切换；可以避免阱中分子由于非绝热跃迁而逃逸，还可以形成中心场强为0的势阱，形成阱中心场强非0的势阱，避免非绝热跃迁。
一种用于研究绝热跃迁静电表面

[实用新型]一种用于LPCVD设备真空管道系统的冷却装置-CN201822001513.0有效
发明人：王锦;刘建华 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于LPCVD设备真空管道系统的冷却装置，包括冷阱本体组件、进水接头和出水接头，阱本体组件包括冷阱内筒和冷阱外筒，冷阱内筒与冷阱外筒之间形成封闭的环形冷却腔，进水接头和出水接头均与环形冷却腔连通，环形冷却腔内沿周向依次设有一个隔水片和至少一个分水片，隔水片固定在冷阱内筒与冷阱外筒的筒壁上，其两端延伸至环形冷却腔的两端，进水接头和出水接头分设于隔水片的两侧，分水片固定在冷阱内筒与冷阱外筒的筒壁上，其一端延伸至环形冷却腔的一端，另一端指向与环形冷却腔的另一端且二者之间具有一定间隙，相邻两个分水片的指向相反。
环形冷却腔冷阱冷阱外筒内筒出水接头进水接头分水片隔水片本实用新型管道系统冷却装置设备真空筒壁指向冷却效果两端延伸组件包括分设连通封闭延伸

[发明专利]一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法-CN201310128455.7有效
发明人：金湘亮;陈长平 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2013-04-13 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种单芯片集成用硅基复合增强型光电探测器的制作方法，其步骤是：在P衬底上注入形成N阱和P阱，在N阱内制作环形栅PMOS结构（P阱包围N阱），或在P阱内制作环形栅NMOS结构（N阱包围P阱），在N阱和P阱之间形成侧向环形PN结光电二极管结构。
一种芯片集成用硅基复合增强光电探测器制作方法

[发明专利]一种离子阱、质谱仪、离子阱组装装置及组装方法-CN202211487138.X有效
发明人：张贤栋 -专利权人：四川质谱生物科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：一种离子阱、质谱仪、离子阱组装装置及组装方法，属于离子阱及质谱分析领域，离子阱包括壳体，壳体内部同轴设有环形电极，环形电极的两端各设有一块端盖电极。端盖电极的端面具有圆锥孔，圆锥孔的锥顶处同轴开设有离子通道，端盖电极与环形电极之间设有环形垫圈，环形垫圈为绝缘材料制成，壳体的两端均设有用于压紧端盖电极的端盖，端盖通过多颗连接螺钉安装于壳体。质谱仪包括上述的离子阱。离子阱组装装置包括设于一对平行轨道中部的夹持机构以及滑动设于轨道上的两组拧紧组件，拧紧组件分别位于夹持机构的两侧。离子阱组装方法包括预装、定位夹持及拧紧。上述设计能有效提高离子阱圆环电极、端盖电极的组装位置精度及组装效率。
一种离子质谱仪组装装置方法

[发明专利]隔离结构及工艺方法-CN201810832763.0有效
发明人：许昭昭 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离结构，在P型衬底上具有P型外延，在P型外延中，形成有环形的N型深阱，以及位于环形中心区域的P阱；环形的N型深阱与P阱之间间隔外延层；所述的环形的N型深阱的下方还具有N型埋层，P阱的下方具有P型埋层；N型深阱中还包含有环形的N阱；在P型外延的表面具有场氧层，在场氧层中开有窗口，分别将N阱，以及P阱引出；所述的P型埋层，其正下方的衬底中还具有N型注入区，P型埋层和N型注入区两者互不接触。
隔离结构工艺方法

[发明专利]在离子阱中同时进行正负离子分析的方法-CN201810534658.9有效
发明人：余泉;李曼;王晓浩;钱翔;倪凯 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01J49/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种在离子阱中同时进行正负离子分析的方法，其特征在于：所述离子阱是由两个独立的离子阱轨道围成的环形离子阱，每个所述离子阱轨道均由四个独立的电极板围成其离子分析区域；所述方法包括：在所述环形离子阱的离子入射、分离阶段和离子分析阶段，均分别向两个所述离子阱轨道施加方向相反的直流恒定电压，使离子入射到所述环形离子阱内时按正负分离至两个所述离子阱轨道，从而使得在离子分析阶段，其中一个离子阱轨道进行正离子分析的同时，另一个离子阱轨道进行负离子分析。通过本发明可实现在同一个离子阱内正负离子的分离和同时分析。
离子阱轨道离子分析正负离子分析入射离子直流恒定电压方向相反分离阶段电极板负离子正离子施加

[发明专利]一种IO口间无相互干扰的低电容多通道瞬态电压抑制器-CN201410673950.0有效
发明人：蔡银飞;翟东媛;蒋金鸿;朱俊;赵毅 -专利权人：绍兴米来电子科技有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：低电容多通道瞬态电压抑制器，包括P+半导体衬底，P‑外延层位于P+半导体衬底上；外延层上从左到右分别有包含第一环形P+有源注入区的左端，第一N阱，第一环形P+有源注入区的右端，第二N阱，第一P阱，第三N阱，第二环形P+有源注入区的左端，第四N阱，第二环形P+有源注入区的右端。所述的第一N阱和第四N阱上分别设有第一N+有源注入区和第五N+有源注入区；所述的第二N阱上设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一P阱上设有第三N+有源注入区；所述的第三N阱上设有第四N+
一种 io 口间无相互干扰电容通道瞬态电压抑制器

[发明专利]环形管状电极离子阱-CN200810200754.6无效
发明人：蒋公羽;罗婵;李晓旭;周鸣飞;丁传凡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：本发明环形管状电极离子阱，用于离子存储与分析装置，与离子存储和离子质量分析技术相关，具体地说涉及离子存储和按离子的质荷比等特性来分析和探测的分析仪器。环形管状电极离子阱，有离子引入孔和离子引出孔，其电极由二个或二个以上直径不等的管状环形电极同轴组装在一起，构成一组同轴环形管状电极组，在两个相邻的环之间形成一个环形的空间区域，二个平面电极与轴垂直且分别设置在环形管状电极的二端，由外圈环形管状电极和二个端平面电极构成离子阱的边界电极，在相邻环形管状电极之间形成离子束缚区域，引入到该区域离子将被捕获、存储或者被选择性地排出。
环形管状电极离子

[发明专利]光栅-结型复合雪崩单光子检测器及其制作方法-CN202210476759.1在审
发明人：金湘亮;张维宇 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种光栅‑结型复合雪崩单光子检测器，包括P型衬底；P型衬底上设有N型埋层；N型埋层上设有圆形高压N阱、环形P型外延层、环形高压N阱；环形高压N阱中设有环形N+注入区，环形N+注入区外侧设有第一浅槽隔离环；环形P型外延层中设有第二浅槽隔离环；圆形高压N阱中设有低压P阱，低压P阱表面中心设有P+注入区，P+注入区外侧设有环形多晶硅栅。
光栅复合雪崩光子检测器及其制作方法

[发明专利]一种具有多指漏极的光电探测器件及其制作方法-CN201910577217.1在审
发明人：金湘亮;曹胜果 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多指漏极的光电探测器件，包括P型衬底，P型衬底上嵌有高压深N阱，高压深N阱上嵌有P阱，P型衬底与高压深N阱、高压深N阱与P阱形成两个二极管结构；P阱上设有多个同心的环形N+漏极，P阱上设有环形P+源极，P+源极与位于最外侧的N+漏极之间设有环形栅极，多个N+漏极与P阱形成PN结的感光结构。本发明采用多指的N+注入区作为漏极并与P阱形成具有紫外/蓝紫光响应的光电二极管的结构进行感光，同时利用P阱与高压深N阱以及高压深N阱与P型衬底所形成的两个二极管结构，通过电极引出端形成短路结构，有效降低了器件对可见
高压深N阱漏极衬底光电探测器件二极管结构蓝紫光嵌有源极波长选择性电极引出端光电二极管短路结构感光结构环形栅极近红外光同心的注入区响应感光制作

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